HBM之外再落一子！SK海力士启动3D堆叠DRAM开发

快科技7月24日消息，SK海力士正在推进一项面向端侧AI的新型内存技术 3D堆叠DRAM，并已开始招聘相关工程师，与美国客户联合设计芯片方案。

这项技术的核心思路，是把DRAM直接堆叠在逻辑芯片上，相比传统的PoP封装，它能缩短芯片之间的连接距离，提供更多数据传输通道，从而提升带宽、降低延迟，同时改善功耗表现和空间利用率。

从SK海力士发布的招聘信息来看，公司正在美国圣何塞招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师，岗位职责包括与美国客户密切合作，主导相关逻辑芯片的联合设计。

外界认为，这说明SK海力士已不只是进行前期技术储备，而是在为后续落地提前做准备。

SK海力士之所以押注这项技术，主要是因为端侧AI设备对内存提出了更高要求，随着生成式AI逐步进入智能手机、可穿戴设备、机器人等终端，本地运行AI模型需要更高带宽、更低功耗以及更紧凑的芯片方案，传统封装方式正越来越难满足需求。

业内普遍认为，手机处理器将是这类技术最有希望率先落地的场景之一，手机处理器本身就是终端设备的核心计算芯片，苹果、高通等厂商也一直在推动更先进的工艺和封装，以提升端侧AI能力。

值得注意的是，SK海力士此前已经凭借HBM在AI服务器内存市场占据重要位置，如今又开始布局面向端侧AI的3D堆叠DRAM，也意味着其正提前卡位HBM之后的新一轮AI内存竞争。

今年4月，SK海力士管理层也曾公开提到，除了定制化HBM之外，公司还在推进高带宽闪存HBF以及3D堆叠DRAM-on-Logic等新方案，目标是针对不同AI负载提供更合适的存储产品。

整体来看，如果说HBM主要受益于数据中心AI，那么3D堆叠DRAM瞄准的则是智能手机、可穿戴设备和机器人等端侧AI市场。

SK海力士此次启动相关人才招聘，也释放出一个明确信号，下一代AI内存之争，正在从云端延伸到终端。

编辑：知微

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