长鑫存储宣布第六代DRAM技术平台已完成工程样片验证：基于4F²单元结构

近日长鑫存储（CXMT）在2026年第三季度业绩交流会上透露，第五代DRAM技术平台和LPDDR6内存已经实现量产，另外基于4F²单元结构的第六代DRAM技术平台已完成工程样片的验证。

目前长鑫存储已推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品，未来会有更多产品转移到第五代DRAM技术平台，包括DDR5和LPDDR6等，不但丰富了客户的选择，而且可以提升内存的性能。相比于第四代DRAM技术平台，改用第五代DRAM技术平台每片晶圆产出的裸片数量将提升至少50%以上，无论成本还是能效，都有更明显的优势。从这点来说，将更好地支持LPDDR6的大规模量产工作。

长鑫存储的4F²单元结构的核心创新属于自研的VSG垂直包围沟道晶体管，能够强化栅控能力，改善漏电与短沟道效应，同时晶体管垂直布局可实现芯片面积微缩。为了适配新的结构，长鑫存储还针对字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺进行攻关，并结合混合键合技术，将存储阵列与外围逻辑电路分开在两片晶圆制造，再通过键合工艺整合，突破传统单片DRAM制造的工艺限制。

之前长鑫存储已确认，预计今年末推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

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