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1z nm工艺16Gb DDR4:Micron 美光 业界首发量产第三代10nm级内存进度胜过三星

2019-08-16 16:58:34 36点赞 53收藏 73评论 直达链接

本文经快科技授权转载,原标题《美光量产第三代10nm级内存:首发1Znm工艺 16Gb DDR4》,作者:宪瑞,未经允许请勿转载。

日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第第三代10nm级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

1z nm工艺16Gb DDR4:Micron 美光 业界首发量产第三代10nm级内存

在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图,实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm,这样一来10nm级别就有六种制造工艺了,现在正好演进到到了第三代。

美光表示,与上一代1Ynm制程相比,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本,不过美光并没有给出具体的数据,性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据,唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗,但这个比较也太过宽泛。

此外,美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

1z nm工艺16Gb DDR4:Micron 美光 业界首发量产第三代10nm级内存

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