三星与英伟达联合推进铁电NAND技术，功耗直降96%、支持5-bit/cell高密度存储

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03-16 11:29

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【#SK海力士释放强烈信号#】#存储芯片正全面进入卖方市场# 在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。SK海力士在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。受AI真实需求驱动及洁净室空间受限影响，今年存储价格将持续上涨。公司透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。（财联社）

#闪存也开始大涨#三星第一季度将NAND价格上调100%……“供应跟不上需求”三星电子在第一季度将NAND闪存价格上调了一倍以上。这是由于人工智能（AI）普及所推动的NAND存储设备需求激增，而供应并未显著增加所致。存储短缺和价格上涨趋势预计将持续一段时间。据业内人士25日消息，三星电子今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上。据悉，该公司已在去年年底与主要客户完成供应合同，并从1月起开始应用上调后的价格。在DRAM价格上调近70%之后，NAND的上涨趋势也已显著加剧。NAND价格上涨并非近期现象。自去年年底以来，随着存储供应短缺全面爆发，NAND也受到了影响。根据市场研究机构TrendForce的数据，去年第四季度NAND价格较前一季度上涨了33-38%。今年第一季度原本预计涨幅类似，但实际供应价格已超出预期。NAND价格翻番并非三星电子一家的情况。SK海力士也被观察到涨幅处于类似水平。这两家公司占据了NAND市场的第一和第二份额。海外券商如野村证券报告称，市场第五位的SanDisk也计划在新年将NAND价格上调100%。一位业内人士表示：“类似于DRAM，NAND制造商正陆续加入价格上涨行列，”并补充道：“事实上，整个NAND市场的价格上涨已不可避免。”NAND价格急剧上涨源于供需失衡。需求持续增长，但供应不足。首先，受AI基础设施投资扩大的驱动，企业级固态硬盘（eSSD）的需求激增。此外，手机和PC中高性能、高容量存储设备的采用也已普及。这得益于“设备端AI”的强劲趋势，即AI计算直接在终端设备上进行。另一方面，供应则受到限制。去年NAND闪存生产未进行大规模扩产，由于工艺转换等因素，供应量并未显著增加。三星电子在NAND投资上也较为保守。共识是，虽然未达到减产水平，但出货扩张受到了限制。NAND价格预计第二季度也将上涨。据悉，三星电子正与客户讨论第二季度NAND供应价格的上调事宜。DRAM和NAND等存储器价格上涨对市场的影响巨大。首先，构建AI基础设施的成本正在急剧上升。甚至有传言称，存储正成为AI普及的瓶颈。智能手机和PC等搭载存储器的各种设备价格上涨也已不可避免。一位业内人士表示：“不仅AI数据中心，智能手机和PC制造商也计划因存储成本而上调最终产品价格，”并补充道：“由于存储供应无法立即大幅增加，这一趋势很可能持续一段时间。”

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1. 【#SK海力士释放强烈信号#】#存储芯片正全面进入卖方市场# 在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。SK海力士在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。受AI真实需求驱动及洁净室空间受限影响，今年存储价格将持续上涨。公司透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。（财联社）

2. #闪存也开始大涨#三星第一季度将NAND价格上调100%……“供应跟不上需求”三星电子在第一季度将NAND闪存价格上调了一倍以上。这是由于人工智能（AI）普及所推动的NAND存储设备需求激增，而供应并未显著增加所致。存储短缺和价格上涨趋势预计将持续一段时间。据业内人士25日消息，三星电子今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上。据悉，该公司已在去年年底与主要客户完成供应合同，并从1月起开始应用上调后的价格。在DRAM价格上调近70%之后，NAND的上涨趋势也已显著加剧。NAND价格上涨并非近期现象。自去年年底以来，随着存储供应短缺全面爆发，NAND也受到了影响。根据市场研究机构TrendForce的数据，去年第四季度NAND价格较前一季度上涨了33-38%。今年第一季度原本预计涨幅类似，但实际供应价格已超出预期。NAND价格翻番并非三星电子一家的情况。SK海力士也被观察到涨幅处于类似水平。这两家公司占据了NAND市场的第一和第二份额。海外券商如野村证券报告称，市场第五位的SanDisk也计划在新年将NAND价格上调100%。一位业内人士表示：“类似于DRAM，NAND制造商正陆续加入价格上涨行列，”并补充道：“事实上，整个NAND市场的价格上涨已不可避免。”NAND价格急剧上涨源于供需失衡。需求持续增长，但供应不足。首先，受AI基础设施投资扩大的驱动，企业级固态硬盘（eSSD）的需求激增。此外，手机和PC中高性能、高容量存储设备的采用也已普及。这得益于“设备端AI”的强劲趋势，即AI计算直接在终端设备上进行。另一方面，供应则受到限制。去年NAND闪存生产未进行大规模扩产，由于工艺转换等因素，供应量并未显著增加。三星电子在NAND投资上也较为保守。共识是，虽然未达到减产水平，但出货扩张受到了限制。NAND价格预计第二季度也将上涨。据悉，三星电子正与客户讨论第二季度NAND供应价格的上调事宜。DRAM和NAND等存储器价格上涨对市场的影响巨大。首先，构建AI基础设施的成本正在急剧上升。甚至有传言称，存储正成为AI普及的瓶颈。智能手机和PC等搭载存储器的各种设备价格上涨也已不可避免。一位业内人士表示：“不仅AI数据中心，智能手机和PC制造商也计划因存储成本而上调最终产品价格，”并补充道：“由于存储供应无法立即大幅增加，这一趋势很可能持续一段时间。”

3. 据韩媒ETNews报道，三星电子将一季度NAND闪存芯片价格上调100%(两倍)。这比之前市场调研机构TrendForce预测的40%左右高得多。并非只有三星电子将NAND价格翻倍，SK海力士预计也将跟进。另外闪迪（SanDisk）也计划在新年度将NAND价格上调100%。现在中端机定价1TB UFS4.1比512GB UFS4.1贵500左右，后面价差还得拉大，要不然就取消1TB，只给旗舰次旗舰上。

4. 谁能想到，一场吃炸鸡、喝啤酒的聚会，居然炸出了全球AI圈的世纪联姻？表面是网红餐厅打卡，实则是资源互换局。英伟达缺啥？缺HBM内存啊！现在AI芯片抢破头，三星和SK海力士握着全球70%的HBM产能，尤其是三星刚搞出的HBM4，速度比行业标准快一大截，这不正好给英伟达的GPU喂饭？而韩国缺啥？缺算力啊！之前想搞主权AI却没足够芯片，现在英伟达直接甩来26万颗加速器，三星建AI工厂、现代搞自动驾驶、SK搭工业AI云，瞬间从算力贫困户变身土豪，你更看好哪一方的长期收益？

5. 从算力到存储，谁能掌握AI时代的“口粮”？ #大咖观察 #红衣聊AI #算力 #存储 #硬件

6. 【张捷财经】存储芯片暴涨下芯片的卡脖子与挤兑#热点观点# #张捷财经# 2026年1月底，全球存储芯片迎来历史罕见暴涨，部分品类涨幅超10倍，远超以往四五倍后掉头的规律。紧俏规格DDR4单条价格从2025年初不足3.2美元涨至64.5美元，涨幅达1922.8%。此次暴涨由DRAM内存引发，NAND闪存紧随其后，机构预测2026年两者全年产值分别达4043亿美元、1473亿美元。韩国三星、海力士等企业获利丰厚，股价创新高，而国产芯片企业因产能扩张滞后、资金补给不足未能充分享受红利，全球芯片行业博弈激烈，国产突围仍存挑战。 http://t.cn/AXtYCSYe

7. 存储疯狂紧缺！三星NAND将涨价100%，此前DRAM涨70%

8. 都在问泡沫何时破，老黄直接下了更大的赌注 #英伟达#黄仁勋#ces2026#GPU#AI新星计划

9. 英伟达很快会反超谷歌TPU，AI模型的竞争格局会在2026年1季度变天#英伟达 #马斯克 #算力 #Gemini3#TPU #GPU #AI模型#算力集群

10. DDR5暴涨500%！从资源垄断到巨头疯抢，深聊背后的AI硬件争夺战

11. 当英伟达逐步缓解芯片供应压力，AI 行业的核心瓶颈已悄然从算力短缺转向电力不足；数据中心约 40% 的电力消耗于散热冷却，英伟达新一代机架设计功耗较前代激增 100 倍，单机架功耗达常规设备的 10 倍。训练一个大型语言模型的耗电量相当于普通美国家庭 462 年的用量，GPT-4 的训练电力可支撑 10 万人小城运转一年。微软 CEO 纳德拉直言，公司库存堆满 AIGPU 却因电力短缺无法启用，核心难题是缺乏具备充足供电和冷却能力的数据中心外壳。谷歌、Meta 等企业同样受困于电力审批延迟，已建成机房被迫低负荷运行，大量高端芯片闲置。#AI生活指南##AI创造营##微博兴趣创作计划# 种斌Marco的微博视频

12. 三星、英伟达闪存技术获重大突破！三星正与英伟达合作，加速研发下一代铁电基NAND闪存。联合团队成功开发出物理信息神经算子模型，分析速度较现有模型提升10000倍以上，将大幅加快铁电NAND闪存商业化进程。此次合作有望推动全球NAND闪存技术快速迭代，全面利好存储芯片全产业链，并进一步加速国内存储芯片国产替代，带动设计、制造、设备、材料等全环节需求增长。受益概念股梳理 1. 长江存储：国内NAND闪存龙头，专注3D NAND研发与量产，深度受益行业技术升级与国产替代，产能稳步释放。2. 兆易创新：主营存储芯片设计，产品覆盖NOR Flash、NAND Flash，下游应用广泛，受益行业景气度提升与国产替代。3. 北京君正：布局存储+模拟芯片，涵盖SRAM、DRAM、NAND，车载与工业客户优质，受益需求复苏与技术升级。4. 澜起科技：全球内存接口芯片龙头，DDR5领域领先，充分受益存储接口技术迭代与行业扩容。5. 深科技：专注存储封测与制造，NAND、DRAM封测布局完善，绑定头部客户，受益封测需求增长。6. 华邦电子：存储芯片设计企业，主营NAND Flash、SPI NOR，工业与消费电子应用广泛，产品迭代能力强。7. 旺宏电子：专注NOR与NAND Flash，车规级存储布局深厚，受益技术升级与国产替代。8. 东芯股份：中小容量存储设计龙头，覆盖NAND、DRAM，消费电子与工业客户资源优质。9. 普冉股份：聚焦小容量NOR Flash、EEPROM，物联网与消费电子应用广泛，业绩弹性充足。10. 通富微电：专业存储封测厂商，NAND、DRAM封测业务成熟，受益下游产能扩张。11. 长电科技：全球头部封测企业，存储芯片先进封测布局完善，客户优质，业绩增长稳健。12. 晶方科技：晶圆级先进封装领先，适配下一代存储封装需求，受益先进封装需求爆发。13. 中微公司：半导体刻蚀设备龙头，NAND闪存刻蚀实现突破，深度受益存储设备国产替代。14. 北方华创：半导体设备平台型龙头，刻蚀、PVD等布局存储制程，受益存储扩产与国产替代。15. 拓荆科技：薄膜沉积设备龙头，存储芯片制程突破显著，下游扩产带动订单增长。16. 沪硅产业：12英寸大硅片龙头，充分受益存储芯片产能扩张对大尺寸硅片的需求。17. 立昂微：布局半导体硅片与功率器件，6-12英寸硅片产能充足，受益存储制造用料需求。18. 南大光电：半导体材料核心企业，ArF光刻胶、特种气体突破，受益存储芯片材料国产化。总结三星与英伟达联手突破下一代铁电NAND闪存技术，将推动全球存储芯片加速迭代与商业化落地，全面利好存储芯片全产业链。国内企业将同步受益行业景气上行与国产替代加速，设计、制造、封测、设备、材料等环节需求持续释放，长期有望迎来业绩与估值双重提升。

13. 英伟达和OpenAI刚宣布达成合作，包括建设庞大数据中心计划，以及【英伟达对OpenAI最高1000亿美元的投资。】AI对算力、能源与资金需求仍是无穷大根据协议，OpenAI将利用英伟达系统建设并部署至少10吉瓦的AI数据中心，用于训练和运行下一代模型。这一耗电量相当于800万户美国家庭的用电量。#自动驾驶##人工智能#

14. 训练用GPU，推理用ASIC，各有各的主场。 #大咖观察 #红衣聊AI #英伟达 #ASIC

15. 手机电脑内存价格暴涨的主要原因，还是AI算力需求爆发导致存储产能结构性失衡。全球数据中心和高性能计算对HBM（高带宽内存）的需求激增，促使大厂将产能优先转向利润更高的HBM及服务器用DRAM，造成消费级DRAM和NAND闪存供应大幅缩减，再叠加厂商库存普遍偏低、经销商囤货惜售等因素，进一步加剧了市场供需失衡，价格水涨船高，短时间之变不了。

16. #三星闪存价大涨100%#此次三星NAND闪存价格大涨100%，并非孤立事件，而是全球存储行业供需失衡的集中体现。三星、SK海力士等头部厂商同步涨价，推动整个NAND市场进入上行周期； AI基础设施建设成本上升，甚至出现“存储成为AI普及瓶颈”的行业判断；智能手机、PC等终端产品也将面临成本压力，后续终端涨价或成必然此次价格暴涨，不仅反映出AI浪潮对全球产业链的深刻影响，也预示着存储行业的景气周期已全面开启，相关企业的业绩与全球电子设备市场格局都将迎来重塑。

17. 【#三星闪存价大涨100%#】#闪存也开始大涨# 1月25日，据媒体报道，受 AI 应用扩散影响，基于 NAND 的存储设备需求迅速增长，但供给增长有限，导致市场出现供不应求的局面。韩媒 ETNews 报道称，三星电子已将今年第一季度 NAND 闪存供货价格上调 100% 以上。公司在去年年底已与主要客户完成供货合同签署，并从今年 1 月起按上调后的价格执行。在此前已将 DRAM 合同价格最高上调近 70% 的基础上，NAND 价格涨幅进一步扩大。NAND 价格上涨并非短期现象。随着去年年底存储器供应趋紧，NAND 闪存同样受到影响。IT之家注意到，市场调研机构 TrendForce 数据显示，去年第四季度 NAND 价格环比上涨约 33%～38%。此前市场预计今年第一季度涨幅与之相近，但实际供货价格高于这一预期。此次价格大幅上涨并非仅限于三星电子。业内普遍认为，SK 海力士的 NAND 价格涨幅与三星电子相近。两家公司分别位列全球 NAND 市场份额第一、第二位。包括野村证券在内的海外券商此前也指出，全球第五大 NAND 厂商闪迪计划在新一年将 NAND 价格上调 100%。有业内人士表示：“与 DRAM 一样，NAND 制造商也在相继加入涨价行列，实际上整个 NAND 市场的价格上涨已难以避免。”NAND 价格快速攀升的根本原因在于供需失衡。一方面，需求持续扩大。随着 AI 基础设施投资增加，企业级固态硬盘需求显著增长；同时，移动设备和 PC 也加快搭载高性能、大容量存储方案。尤其是在终端设备直接进行 AI 运算的“端侧 AI”趋势推动下，对高规格存储的需求进一步放大。另一方面，供给增长受限。过去一年，NAND 闪存并未出现大规模扩产，加之制程转换等因素，整体供给量未显著提升。三星电子在 NAND 投资方面亦保持相对谨慎，虽然未采取大幅减产，但出货量扩张受到限制已成为业内共识。业内预计，NAND 价格在第二季度仍将延续上涨趋势。三星电子目前正就第二季度 NAND 供货价格上调事宜与客户进行协商。随着 DRAM 与 NAND 等存储器价格持续上行，市场影响正在显现。AI 基础设施建设成本明显上升，甚至出现“AI 普及的瓶颈在于存储器”的说法。与此同时，智能手机、PC 等终端产品，也难以避免面临价格上调压力。另一位业内人士指出：“不仅是 AI 数据中心，智能手机和 PC 制造商也计划因存储器价格上涨而提高最终产品售价。由于短期内难以大幅增加存储器供给，这一趋势预计还将持续一段时间。”（IT之家）

18. 三星高管表示内存芯片的供应短缺，预计将推高整个电子行业商品的价格，如何看待？会带来什么连锁反应？

19. 这不是某家企业的胜利，是我们整个民族在“科技博弈”里的翻身仗 #大咖观察 #红衣聊AI #英伟达 #国产芯片

20. 据行业追踪机构 Counterpoint Research 发布的报告显示，受内存芯片短缺推高成本、压缩产能的影响，明年全球智能手机出货量或将下滑 2.1%。该机构在周二发布的研究报告中指出，受电子元器件整体成本上涨 10% 至 25% 的影响，明年全球智能手机平均售价将上涨 6.9%。不是很懂数码产业，内存芯片短缺提升产能也跟不上吗？#明年全球手机出货量或下滑2.1%##明年全球手机平均售价或涨6.9%#

21. 苹果据报道正在考虑与中国存储芯片制造商长江存储（YMTC，NAND）和长鑫存储（CXMT，DRAM）建立合作伙伴关系，因为全球存储短缺加剧，而三星、SK海力士和美光优先供应AI存储而非智能手机。此举可能使苹果在谈判中占据优势，并确保更稳定的供应链。

22. 【存储价格失控 NAND单月跳涨25%！行业面临崩溃】据DigiTimes汇总的市场数据，2026年2月存储芯片现货价格全面飙升，其中NAND闪存晶圆的表现尤为激进。 DigiTimes警告称，存储供需差距的扩大正推动现货价格快速上涨和采购资金压力，如果持续下去，可能导致行业周期崩溃。在刚刚过去的2月中，1Tb TLC闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，创下该品类单月最大涨幅纪录。 DRAM方面，DDR5 16Gb（2Gx8）芯片均价升至39美元，环比上涨7.4%；DDR4表现分化，16Gb规格微涨0.26%至78.10美元，8Gb版本上涨6.8%至33美元；DDR3 4Gb芯片上涨7.5%至5.70美元。 2月中旬春节假期短暂冷却交易活动，节后现货市场迅速反弹，DigiTimes指出，DDR4涨幅较1月20-30%的月度增幅有所回落，但这"仅是季节性因素，而非结构性压力缓解的信号"。现货上涨背景是合约价格预测大幅上涨，TrendForce月初将2026年Q1常规DRAM合约价涨幅预测从55-60%上调至90-95%，PC DRAM更预计环比翻倍，创季度涨幅新纪录；NAND闪存合约价涨幅也从33-38%上修至55-60%。 AI基础设施是本轮涨价的核心原因，北美云服务商自2025年底提前锁定订单，将产能优先分配给服务器DRAM和高带宽内存，导致常规DRAM及消费级NAND供应严重不足。即便一级PC OEM厂商拥有固定供应商配额，库存水平仍在持续下滑。 NAND领域长期趋势更为严峻，DigiTimes援引中国闪存市场数据称，1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格自2025年10月以来已上涨约三倍，512Gb TLC价格同期涨幅近五倍。供应商持续将产能转向利润率更高的企业级SSD，限制模组厂商晶圆供应，对整个品类形成持续上涨压力。#NAND#

23. 英伟达最新财报：AI狂欢依然在持续，下个季度收入增长会进一步加速#英伟达财报 #AI #英伟达业绩大超预期 #黄仁勋 #智能体

24. 存储涨价潮击穿手机成本线，NAND闪存翻倍涨引发行业连锁反应三星确认2026年Q2继续上调NAND内存供货价，涨幅看齐Q1约100%，叠加此前调价，较2025年底累计涨幅近两倍。SK海力士、铠侠同步跟进，全球存储进入量价齐升的强周期。本轮涨价核心是AI数据中心拉动高容量存储需求激增，叠加头部厂商减产与产能向HBM倾斜，供需严重失衡。作为手机核心元器件，NAND闪存成本暴涨正快速传导至终端，与此前手机涨价风波形成共振，整机BOM成本压力显著抬升。这不仅是短期周期波动，更是AI算力重构存储产业格局的体现。消费电子被迫承接上游溢价，定价逻辑与产品策略面临重塑。对行业而言，成本管控与供应链韧性将成为下一阶段竞争关键，国产存储替代也迎来结构性窗口。数码闲聊站

25. 只有把产业链攥在自己手里，才能真正站在世界科技的前沿。 #大咖观察 #红衣聊AI #英伟达 #芯片

26. 芯片大咖访谈：英伟达最怕的不是AMD，而是华为，中国是半导体供应链最全的国家#AI #芯片 #半导体 #英伟达 #黄仁勋

27. 英伟达：业绩好只是其次，未来还有巨大空间#英伟达 #财报 #AI泡沫 #CUDA #AI

28. #人工智能#当全球还在热议 AI 模型的迭代与智能体的突破时，资本的流向已悄然转向。400 亿美元收购全球顶级数据中心、150 亿美元打造 AI 枢纽、万亿级基础设施园区规划，这些重磅动作揭示了一个被忽视的真相：AI 的狂欢早已脱离纯粹的 “智力游戏”，沦为一场关于钢铁、电力与土地的硬核博弈。#AI创造营##AI智能# 凯文思考的微博视频

29. 韩媒称，三星电子旗下半导体部门（DS）在与苹果公司谈判时，直接报出上涨100%的价格，原本只是想为后续砍价预留空间，没想到苹果当场同意，从而让三星掌握了定价主动权。随后，三星也对自家移动业务部门同步上调了供货价格。业内人士透露，三星半导体最初的目标是将对苹果的供货价提高约60%，但在首轮谈判中先报出100%的涨幅作为“试探价”，结果苹果未做还价，直接接受了这一报价。

30. 三星、SK海力士、铠侠与美光四家主要NAND闪存制造商，已在2025年下半年共同采取减产措施，推动NAND闪存价格进一步上涨。可以说，当前SSD市场价格走高，是行业多方协同调控的结果。去年以来，NAND闪存价格长期在成本线附近徘徊。为改善盈利，三星在与全球主要客户洽谈明年供应协议时，正考虑将价格上调20%至30%，部分订单涨幅可能更高。SK海力士已将产量削减约10%，美光也持类似立场，以谨慎控制产出、顺应市场涨价趋势。尽管AI应用持续拉动存储需求，但在厂商同步控产的背景下，NAND闪存价格正迅速攀升——仅上一季度就上涨约15%，未来几个月内可能再涨40%至50%。#历年爆剧#

31. A/N抢购三星HBM显存?英伟达桌面CPU黄咯,10.10

32. AI应用的快速普及推高NAND存储设备需求，而市场供给增长乏力，供需缺口持续扩大。据韩媒ETNews消息，三星电子将2026年第一季度NAND闪存供货价格上调超100%，该调价方案已于去年底与核心客户敲定合同，今年1月起正式执行。此前三星已将DRAM内存合同价格最高上调近70%，此次NAND价格大幅涨潮，进一步扩大了存储芯片的调价幅度

33. 群联CEO潘健成表示 DRAM 和 NAND 存储芯片短缺恐持续至2030年甚至可能长达十年看不到尽头~ 潘健成预测从2025年底到2026年，许多公司将因无法确保足够的内存供应，而被迫停产或退出产品线。未来这几年对手机厂商影响巨大，尤其是哪些低利润品牌将或消失~ #科技数码##数码资讯##热点##数码闲聊站[超话]#

34. 2026年头部存储厂商基本都没有扩产的产能出来，通过提升效率带来的新增产能比较有限。2027年国内外都会有memory的新扩产出来，不过大批上量的时间要到2027年中以后。所以未来的1年半时间，如果AI继续有高需求，不管是DRAM还是Nand都会有涨价的预期。即使是国产厂商的DRAM和Nand，明年也都被预定完了。

35. 当前，谷歌、微软、亚马逊等企业为布局 AI 算力不计成本扫货，直接推动 DRAM 与 NAND 闪存价格在过去一年内暴涨超 600%。各大存储厂商纷纷将产能优先向利润丰厚的 AI 及数据中心订单倾斜，而毛利较低的消费级需求则被排至供应末位，苹果也因此不得不接受铠侠的涨价条款。据日本半导体行业消息人士透露，苹果已正式接受铠侠提出的全新 NAND 闪存采购协议，自2026年第一季度起，铠侠向苹果供应的NAND闪存单价提升一倍。此次协议的核心变化不仅是闪存价格大幅上调，还首次明确了按季度动态调价的机制，后续定价将根据市场供需变化与价格走势灵活调整。这一调整也标志着上游存储供应商的议价能力迎来强势提升，彻底扭转了此前长期受制于下游终端大厂的行业格局。#春晚节目单#

36. 据 ChosunBiz 报道，三星电子、SK 海力士、铠侠、美光等全球八大 NAND 闪存制造商正协同缩减今年下半年的 NAND 闪存供应量。分析人士指出，此类减产不可避免将造成产出损失 —— 厂商一方面通过控制供应引导价格上涨，另一方面正加速将生产线转向四层单元（QLC）制程，以应对人工智能（AI）数据中心带动的强劲 QLC 需求增长

37. DRAM内存芯片、NAND闪存芯片的极度短缺和价格暴涨，影响的已经不只是内存条、机械硬盘、固态硬盘、U盘等产品，就连显卡也逃不了。毕竟，GDDR显存也是一种DRAM。根据最新曝料，AMD最近内部再次放出消息，由于显存成本和价格大幅上涨，将执行第二次显卡涨价，但具体执行时间、幅度还没有完全定。

38. 英伟达与三星或将携手，共同开发铁电NAND