国产EUV光源样机亮相意味着什么?回顾中国光刻机技术突围时间线

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10-15 22:30

10月12日至16日,第26届中国国际工业博览会在国家会展中心(上海)举行,上海初创公司朗道燧岩在这里首次公开展示了一台极紫外(EUV)光源系统样机——这也是目前公开展示中进度最靠前的国产EUV光源样机,被称作高端光刻机的“心脏”。据解放日报报道,现场工作人员介绍,该光源系统国产化率达到90%,绝大多数核心零部件为自主研发,技术路线与国际领先厂商一致,可用于芯片曝光测试,但距离量产仍需3到5年。这台样机的亮相,改变的不是今天的芯片产量,而是国产EUV这件事的叙事:它第一次让光刻机最难造的子系统之一,以具体产品、具体参数和一条明确的国产化供应链出现在公众面前;而“距离量产3到5年”的现场说法,也把兴奋与冷静同时摆上了台面。界面新闻集微网

先看懂这台机器:点亮了路线,没点亮产线

极紫外光源是7纳米及以下先进制程芯片制造的三大核心零部件之一,长期受海外技术垄断与禁运限制,是制约我国高端芯片自主可控的关键环节。所谓LPP路线,即用高功率激光去轰击锡微滴,激发出13.5纳米波长的极紫外光——朗道燧岩本次展出的光源走的正是这条国际主流路线。ASML的同类光源,从原理验证到量产交付也用了超过二十年。新浪微博知乎

公司官网公布的技术参数显示,其低功率EUV光源系统FlintNano LPP-OXXO的驱动激光功率为1000W,转换效率大于2%,EUV能量大于15W,持续工作时间超过100小时(厂商自报数据)。而商用光刻机需要几百瓦级的光源——这一步验证的是技术路线可行,功率和稳定性距离替代国际量产设备还差一个数量级以上。数量级的差距不只是十几倍的功率,而是转换效率、热管理、锡滴发生器、收集镜寿命必须同时再上一个台阶的工程体系。IT之家在展会报道中同样援引现场口径:国产化率达九成,多数核心零部件自主研发,可用于芯片曝光测试,目前距离量产仍需3到5年。换句话说,这次首秀回答的是“能不能造”的问题,“能不能喂饱光刻机”还是未来几年的题。知乎新浪微博IT之家

15瓦级EUV光源今天的现实定位,是曝光测试与计量检测,而不是量产光刻。多位半导体工程师对照参数后判断,15W级光源的真实市场是EUV计量/检测、光刻胶测试、掩模缺陷检测、科研装置,做光刻扫描机光源远远不够。这并不贬低样机的价值:恰恰相反,一台能做曝光测试的国产EUV光源,本身就是国内此前不存在的科研与检测设备品类——量产机还在路上,产业链的配套生意已经先有了落点。知乎

公司溯源:清华实验室走出的初创

公开报道显示,这家公司的技术底座来自清华大学气体放电等离子体方向的研究积累,创始人王豪为清华电机系博士;公司2024年8月在南京注册成立,最初名为朗道科技(南京),2025年4月在张江高科895创业营路演夺魁,获得数千万元天使轮融资,同年9月更名为朗道燧岩(上海)科技有限公司并迁入上海张江。更值得注意的是股东名单:据媒体报道,公司2026年7月完成A轮融资,投资方中出现中芯国际旗下投资平台中芯聚源——大陆最大晶圆代工厂的产业链资本,提前为国产EUV光源投下一票。一家成立两年多的初创公司能走到工博会展台,本身就是国内光刻机供应链近年水位的直观刻度。知乎

时间线:心脏是被“卡”回实验室的

把镜头拉远,这台样机是二十多年一条追赶曲线上的最新刻度。

  • 1978年,中国开发5微米制程半自动光刻机,此后电子工业部45所、上海光机所、中科院光电所、上海微电子等单位持续推出多个版本的光刻机。 与自身相比,中国芯片产业并未停滞,但最先进的光刻设备始终买不来。中国新闻网

  • 国家科技重大专项时期:集成电路装备重点专项在国家十六个重点支持专项中位列第二,业界通称“02专项”,光刻机长期是其装备攻关的重点方向。中国新闻网

  • 2018年上半年,光源环节率先突围:科益虹源自主研发设计生产的首台高能准分子激光器顺利通过出厂验收,国产光刻光源完成从实验室到产品的第一跳。中国新闻网

  • 2020年9月,华为芯片断供,先进制程设备“卡脖子”成为全行业共识,倒逼攻坚全面提速。中国新闻网

  • 2022年2月,上海微电子装备集团举行中国首台2.5D/3D先进封装光刻机发运仪式,封装光刻环节率先走通量产交付。中国新闻网

  • 2023年,有行业人士向媒体表示,上海微电子自研28纳米光刻机取得突破,有机会全面国产化。中国新闻网

  • 2024年8月至2026年7月,朗道燧岩从南京注册、张江夺魁到完成A轮,两年内把EUV光源从论文带进展厅。

  • 2026年9月,英伟达CEO黄仁勋在All-In峰会回答“中国本土光刻技术何时能实现突破”时,给出了2030年这个答案。智东西

  • 2026年10月12日至16日,EUV光源系统样机在工博会首秀,成为这条时间线上最新、也是第一个以整机子系统身份公开亮相的刻度。

接下来3到5年,看什么

第一,看功率。光源能否从15瓦级跨过百瓦门槛、对外披露连续运行与稳定性数据,是量产前最硬的技术信号;第二,看对接。样机与国产光刻机整机或曝光测试平台的集成进度,决定它停在展品还是走进产线;第三,看配套。EUV物镜系统、双工件台等其余环节何时出现同级别的工程化亮相——光源首秀之后,这三件事都有公开可查的信号可跟踪。

一台15瓦的样机不会改变今天的芯片格局,但它改变了一个前提:高端光刻机最难造的子系统,第一次由中国团队在公开展台上摆了出来。从1978年的5微米到2026年的13.5纳米,这条时间线走了48年;而下一段,行业给出的答案是有刻度的3到5年。

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