三星全面调整存储战略：多条 NAND 线改为 DRAM 生产

在全球 AI 基础设施持续扩张的背景下，存储市场正迎来新一轮结构性变化。韩国业内人士透露，三星正在筹备一次战略级的生产线调整，计划将位于平泽与华城的部分 NAND 闪存产线改造为 DRAM 制造线。即将投产的平泽 Fab 4 也确定将作为专用 DRAM 工厂，采用三星最新的 1c 制程技术，以满足高速增长的内存需求。

由于 AI 工作负载的爆发，标准 DRAM 产品的市场需求正在快速攀升。当前 DRAM 价格大幅走高，一些服务器客户愿意为 96GB 与 128GB 的 DDR5 内存模块支付高达 70% 的额外溢价，但即便如此，供应依旧吃紧。多家科技巨头甚至开始为 2027 年的 DRAM 配额提前锁量，显示行业对未来数年的供需缺口高度警惕。

目前三星在平泽 Fab 1、Fab 3 以及华城园区同时布局 DRAM 与 NAND。然而在最新规划中，Fab 1 与华城的混合产线将陆续向 DRAM 转型，原本的 NAND 设备将逐步拆除。随着平泽 Fab 4 工厂进入收尾阶段，该厂将于明年以纯 DRAM 生产线形态投产，并且原本计划用于代工业务的区域，也可能一并转为 DRAM 产出，以进一步扩大产能。

调整完成后，华城 Fab 1 与平泽 Fab 4 的 DRAM 产量预计将在明年上半年显著提升。与此同时，韩国境内 NAND 产能的减少，将由三星位于中国西安的工厂进行补充，以维持整体 NAND 产品供应的稳定。

这场由 AI 浪潮引发的存储结构重组，不仅将影响三星的中长期路线，也将对全球内存市场格局产生深远影响。