2026年Q1 NAND Flash市场爆发式增长:AI驱动下的存储产业超级周期开启

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05-27 20:32

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【2026存储引擎超越算力,硬件赛道进入‘量缺价暴’时代】2026年全球半导体景气度正在发生深刻切换:存储芯片预计全年增速将超40%,正式超越算力芯片成为驱动增长的第一引擎。随着HBM4、AI DRAM等新品密集上市,市场呈现‘极度短缺、价格暴涨’态势。在AI基建从预训练转向推理落地的关键期,存储仓库的扩容速度已成为决定系统性能的新上限。硬件半导体作为高确定性赛道,正在重塑大科技行业的增长边界。💍🌸
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【长江存储三期项目下半年量产:总产能将超SK海力士!直冲全球第三】据韩国媒体报道,长江存储位于武汉的三期项目(第三座晶圆厂),预计将于下半年开始量产高堆叠层数NAND Flash。 知情人士透露称,三期项目正在进行关键设备的最后安装,一期和二期产线已接近饱和状态。 目前长江存储一期产线月产量达10万片晶圆,二期产线月产约6万片,年产量从2024年的129万片增长至2025年的177万片,预计今年将接近200万片。 一旦三期项目全面投产,长江存储的NAND Flash产量预计将超越SK海力士(约190万片)和美光,跃居全球第三,仅次于铠侠(482万片)和三星电子(468万片)。 在技术层面,长江存储正在稳步提升200层堆叠NAND Flash的产能,并计划拓展服务器和移动设备市场份额,此外300层NAND Flash产品的良率预计今年趋于稳定。 更值得关注的是,长江存储的客户结构可能迎来重大突破,有报道称,一家海外智能手机品牌正在考虑采用长江存储的NAND Flash,以应对当前NAND价格上涨带来的成本压力和供应风险。 若该合作确认,意味着长江存储已通过该客户在质量、可靠性和供应稳定性方面的严苛评估。 有半导体行业人士指出,这将标志着长江存储从以中国市场为主的格局,进入全球顶级手机制造商的供应链。
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1. 【2026存储引擎超越算力,硬件赛道进入‘量缺价暴’时代】2026年全球半导体景气度正在发生深刻切换:存储芯片预计全年增速将超40%,正式超越算力芯片成为驱动增长的第一引擎。随着HBM4、AI DRAM等新品密集上市,市场呈现‘极度短缺、价格暴涨’态势。在AI基建从预训练转向推理落地的关键期,存储仓库的扩容速度已成为决定系统性能的新上限。硬件半导体作为高确定性赛道,正在重塑大科技行业的增长边界。💍🌸

2. 【长江存储三期项目下半年量产:总产能将超SK海力士!直冲全球第三】据韩国媒体报道,长江存储位于武汉的三期项目(第三座晶圆厂),预计将于下半年开始量产高堆叠层数NAND Flash。 知情人士透露称,三期项目正在进行关键设备的最后安装,一期和二期产线已接近饱和状态。 目前长江存储一期产线月产量达10万片晶圆,二期产线月产约6万片,年产量从2024年的129万片增长至2025年的177万片,预计今年将接近200万片。 一旦三期项目全面投产,长江存储的NAND Flash产量预计将超越SK海力士(约190万片)和美光,跃居全球第三,仅次于铠侠(482万片)和三星电子(468万片)。 在技术层面,长江存储正在稳步提升200层堆叠NAND Flash的产能,并计划拓展服务器和移动设备市场份额,此外300层NAND Flash产品的良率预计今年趋于稳定。 更值得关注的是,长江存储的客户结构可能迎来重大突破,有报道称,一家海外智能手机品牌正在考虑采用长江存储的NAND Flash,以应对当前NAND价格上涨带来的成本压力和供应风险。 若该合作确认,意味着长江存储已通过该客户在质量、可靠性和供应稳定性方面的严苛评估。 有半导体行业人士指出,这将标志着长江存储从以中国市场为主的格局,进入全球顶级手机制造商的供应链。

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13. 高盛日前发布的报告指出,2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一,DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。其中2026年DRAM缺口将创15年之最,NAND短缺规模亦达历史高位,即便消费电子需求大幅下滑,服务器市场的疯狂吞噬能力仍将维持紧张格局。在DRAM方面,高盛预测2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%,远超此前预期的3.3%和1.1%,其中2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。主要原因在于服务器需求的爆发式增长,高盛将2026/2027年服务器DRAM(不含HBM)需求预期上调6%/10%,预计将分别达到39%和22%。如果将HBM计算在内,服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57%。NAND市场同样不容乐观,预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%,这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。

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16. #李荣浩真转我五百了# 业绩爆单,订单排到2030年,业绩爆发肉眼可见!别再怀疑景气度!六大高景气赛道全线炸单:存储380亿、绿电2000亿、锂电1500亿、光模块320亿、光纤暴涨418%、创新药最高增3250%,订单集体锁到2028—2030年,未来3年业绩完全透明、肉眼可见!一、国产存储芯片:380亿顶单,排至2028年底AI+国产替代双炸,全球缺货+涨价潮:• 长江存储:订单380亿+,国产3D NAND龙头,232层技术领先,排至2028年底• 长电科技:订单320亿+,存储封测全球前三,HBM良率98.5%,排至2028年Q2• 深南电路:订单220亿+,封装基板龙头,排至2028年Q1• 澜起科技:订单180亿+,内存接口芯片全球龙头,AI服务器必备• 核心逻辑:DRAM/NAND涨价70%+、AI用量8倍、库存仅15天、订单排满2年,业绩完全锁定。二、绿电赛道:2000亿巨单,最长排到2030年能源转型+海外爆发,长单锁死高增长:• 长江电力:订单2050亿+,全球水电龙头,“水光风互补”,排至2030年Q3• 东方电气:订单1880亿+,能源装备全产业链,核电/水电/风电全覆盖• 特变电工:订单812亿+,光伏+特高压,沙特164亿大单,排至2028年• 中国广核:订单630亿+,核电+新能源,绿电占比92%• 核心逻辑:全球碳中和、海外订单暴增、长协锁价、股息5%+,稳健高增穿越周期。三、锂电池/储能:1500亿订单,排至2030年电动车+储能双爆发,材料端锁单最长:• 宁德时代:订单1500亿+,全球动力电池市占50.1%,储能龙头,排至2028年底• 容百科技:长单1200亿(2026—2031),宁德时代磷酸铁锂核心供应商,排至2031年• 龙蟠科技:订单450亿,磷酸铁锂正极,锁至2030年底• 比亚迪:订单400亿+,储能电芯全球第二,刀片电池放量• 核心逻辑:储能增速136%+、钠电量产、海外大单不断、产能满产满销。四、光模块/CPO:320亿爆单,排至2028年Q3AI算力“主动脉”,1.6T供不应求:• 新易盛:订单320亿+,海外占比94%,英伟达/AWS核心供应商,排至2028年• 中际旭创:订单300亿+,800G市占51.6%,1.6T大规模量产,排至2027年Q2• 华工科技:订单110亿+,3.2T CPO全球首发,硅光突破• 核心逻辑:AI服务器光纤用量5—8倍、1.6T涨价70%、产能缺口70%、订单锁2年+。五、光通信/光纤:价格暴涨418%,全球缺口扩大AI“吞光巨兽”,价格创七年新高:• G652.D光纤:从20元→83.4元/芯公里,同比暴涨418%,累计涨超400%• 高端G.654.E:涨超500%,突破200元/芯公里• 长飞光纤/亨通光电:订单均100亿+,生产线24小时运转,库存仅4周• 核心逻辑:AI集群耗纤36倍、全球缺口16.4%、产能2027年底才释放、量价齐升。六、创新药:业绩炸裂,最高暴增3250%从烧钱到盈利,医保+出海双催化:• 富祥药业:净利增2222%—3250%,增速冠军• 通化东宝:降糖减重龙头,增3007%• 万邦德:神经药黑马,增985%• 荣昌生物:ADC龙头,扭亏为盈,增429%• 核心逻辑:创新药医保放量、BD收入爆发、多款新药上市、行业拐点确立。总结:肉眼可见的爆发,3年增长锁死这不是题材,是订单+业绩+供需+政策四重确认:• ✅ 订单规模:千亿级赛道、百亿级龙头、长单锁2—5年• ✅ 排期长度:普遍至2028年,绿电/锂电直达2030年• ✅ 业绩兑现:Q1普遍增100%—4600%,毛利率大幅跳升• ✅ 供需格局:全球缺货、库存见底、产能满产、价格暴涨未来3年,业绩不是预期,是白纸黑字的订单。真正的高景气,从来都是用订单说话——排单越远,确定性越强,爆发越猛!风险提示:以上内容基于2026年4月行业公开信息,仅作产业梳理,不构成任何投资建议。理财有风险,投资需谨慎。

17. 根据CFM闪存市场数据,25Q4全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元,环比增长29.2%,其中DRAM市场规模环比增长29.8%至519.65亿美元,NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。 全年数据,2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿,同比增长32.7%至2215.91亿美元。 25Q4排名前5的DRAM厂商占全球总营收的93.5%,南亚是四季度增长最快的厂商,同比增长54.3%。 25Q4排名前5的NAND厂商占全球总营收的88.6%,SK Hynix是四季度增长最快的厂商,同比增长47.4%。

18. 【存储价格失控 NAND单月跳涨25%!行业面临崩溃】据DigiTimes汇总的市场数据,2026年2月存储芯片现货价格全面飙升,其中NAND闪存晶圆的表现尤为激进。 DigiTimes警告称,存储供需差距的扩大正推动现货价格快速上涨和采购资金压力,如果持续下去,可能导致行业周期崩溃。 在刚刚过去的2月中,1Tb TLC闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元,创下该品类单月最大涨幅纪录。 DRAM方面,DDR5 16Gb(2Gx8)芯片均价升至39美元,环比上涨7.4%;DDR4表现分化,16Gb规格微涨0.26%至78.10美元,8Gb版本上涨6.8%至33美元;DDR3 4Gb芯片上涨7.5%至5.70美元。 2月中旬春节假期短暂冷却交易活动,节后现货市场迅速反弹,DigiTimes指出,DDR4涨幅较1月20-30%的月度增幅有所回落,但这"仅是季节性因素,而非结构性压力缓解的信号"。 现货上涨背景是合约价格预测大幅上涨,TrendForce月初将2026年Q1常规DRAM合约价涨幅预测从55-60%上调至90-95%,PC DRAM更预计环比翻倍,创季度涨幅新纪录;NAND闪存合约价涨幅也从33-38%上修至55-60%。 AI基础设施是本轮涨价的核心原因,北美云服务商自2025年底提前锁定订单,将产能优先分配给服务器DRAM和高带宽内存,导致常规DRAM及消费级NAND供应严重不足。 即便一级PC OEM厂商拥有固定供应商配额,库存水平仍在持续下滑。 NAND领域长期趋势更为严峻,DigiTimes援引中国闪存市场数据称,1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格自2025年10月以来已上涨约三倍,512Gb TLC价格同期涨幅近五倍。 供应商持续将产能转向利润率更高的企业级SSD,限制模组厂商晶圆供应,对整个品类形成持续上涨压力。#NAND#

19. #存储价格上涨原因##内存条价格涨幅远超金条# 2025下半年起,存储芯片开启暴涨模式,DDR5内存条涨幅超300%,DDR4超150%,日涨40元成常态,行情超越2018年高点,“超级牛市”已然来临。本轮涨价核心是AI算力需求的结构性爆发:AI服务器内存需求量是普通服务器的8-10倍,消耗全球53%内存月产能,海量高端需求挤压消费级产能,叠加头部厂商收缩成熟制程,供需缺口持续扩大。涨价潮已沿产业链传导,PC、手机终端纷纷提价500-1500元,存储在整机成本占比飙升至30%以上。机构预测2026年涨价将贯穿全年,一季度涨幅或达40%-50%。这不仅是短期周期反弹,更是AI时代存储架构的重构。终端厂商需优化供应链策略,国产存储企业则迎来替代窗口期,唯有技术突破与产能扩容并举,才能在行业变局中把握先机。#秒懂热点就用智搜# 存储价格上涨原因

20. 日本存储巨头铠侠 Q3 净利润 878.1 亿日元,营业收入与净利润目标较分析师预测高出约 35% 至 60%。受益于 AI 驱动的数据中心及企业级服务器需求爆发,NAND 闪存市场已步入强劲复苏周期,供需格局反转推动产品价格显著上涨,公司财务状况亦持续改善。DRAM涨完NAND还得涨,好日子还在后头啊🤓

21. SK海力士近日警告,DRAM供应短缺将持续至2028年。根据分析,除高带宽内存(HBM)和小型化压缩内存模组(SOCAMM)外,通用型DRAM的产能增长将受限。主要存储厂商已将重心转向满足AI服务器需求,导致面向消费市场的产能增长空间有限。SK海力士预计,AI服务器将在2025年至2030年间大幅增加其市场份额,从38%飙升至53%,推动DRAM需求大幅增长。同时,受服务器端需求激增影响,消费级NAND闪存的供应增长可能无法满足需求。

22. 日本铠侠开始动了。ZDNet Korea 报道称,铠侠计划在明年量产第10代 BiCS NAND,也就是 332 层 NAND。相比上一代 218 层,单位面积存储容量提升 59%,传输速度提升 33%。有意思的是,三星和 SK 海力士反而都放慢了第10代 NAND 的量产节奏。三星原本计划今年量产 430 层级第10代 NAND,但现在至少推迟到明年,SK 海力士也还没有明确大规模投资动作。这就给了铠侠一个窗口期。三星的技术指标更激进,层数更高,但如果量产节奏慢下来,铠侠反而可能先把产品推向市场,先验证客户,先抢订单。当然,铠侠现在也只是表达了明确意愿,真正有没有大规模设备订单,还要看今年下半年。存储行业就是这样,技术领先很重要,量产节奏更重要。谁先把下一代 NAND 稳定做出来,谁就能在下一轮 SSD 和 AI 存储需求里多抢一口肉。

23. 据Counterpoint最新报告,2026年第一季度NAND闪存价格预计环比上涨超40%,低端128GB PC SSD成交价涨幅已达50%。这一轮涨价的核心逻辑,是原厂为满足AI服务器爆发式增长的存储需求,大幅削减了消费级产能,叠加美光关闭英睿达的决策进一步加剧了市场恐慌。 由于原厂产能扩张节奏谨慎,铠侠-闪迪新晶圆厂要到下半年才能释放产能,因此NAND闪存价格在上半年仍将维持强势。这一趋势不仅将直接推高消费级存储产品的终端售价,也会对手机、PC等依赖存储配置的电子产品成本构成压力,进而影响市场定价策略与消费者购机决策。#数码资讯#

24. 中国是2014年开始下定决心重点投资存储的。2016年前后,国家规划了三大国家级存储项目集中落地、集中建厂。其中就包括在武汉的长江存储(NAND);在合肥的长鑫(DRAM),在福建的晋华(DRAM)。2019年,长江存储64层3D NAND量产,长鑫19nm DRAM量产,国产存储开始正式进入市场。长江从一期到三期,到2025年累计投资超过2000亿,冲击到了全球NAND前三。长鑫累计投资超过1500亿,目前已经重点发展到了18nm以下DRAM和HBM3。然后恰到好处地碰到了25/26/27年全球存储行业大周期。10年布局,一朝结果。这种前瞻性的产业政策,跟韩国对存储的布局相比也可以说是伯仲之间了吧。什么是国家战略,产业政策,这就是最典型的例子。

25. 内存涨价,对它的下游伙伴不是好事,但是对于生产存储颗粒的,幼年期的中国产业链来说,是好事,涨价周期意味着供给的客观短缺(无论是真的短缺的部分还是被人金融化导致的短缺部分),供给短缺,新企业才会有更多的被接纳的机会,而且涨价了,新企业才有更大的财力去进行产能投资。#大王闲话##存储芯片短缺或持续至2030年#

26. 铠侠

27. NAND一季度价格涨逾一倍,供应紧势将延续至2027年

28. AI正在把NAND彻底带疯

29. 集邦咨询

30. Korea的DRAM和NAND出口统计显示价格相较上月大幅上涨

31. 2026 NAND市场报告

32. 第一上海 | 【公司研究】SK海力士(660.KS.买入)

33. 单季暴增83.7%,NAND五大厂营收破389亿美元,SSD缺货涨价厂商赚麻了!

34. NAND闪存Q2暴涨75%!SSD价格跟着疯涨,现在不买要等一年?

35. AI驱动超级涨价周期!2026年DRAM/NAND全线上涨,存储芯片销售黄金窗口期开启

36. 摩根大通——铠侠控股

37. 256TB,三星电子宣布下一代SSD技术路线图

38. 机构

39. 2026年存储芯片吃紧持续,新增产能最早2027年释放,涨势贯穿全年

40. 2026存储狂飙

41. 2026年2月NAND市场

42. NAND闪存市场更新-2026年3月

43. 2026 NAND 超级周期确认

44. 有钱也买不到!这家CEO发出预警

45. 主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能,供给短缺预计持续全年

46. 大厂预测!2027年NAND Flash缺货将更严峻!

47. 史诗级缺货!慧荣预警

48. 群联CEO

49. 摩根大通

50. 高盛

51. 内存比黄金保值?全球存储芯片15年来最严重短缺,AI“吞噬”七成产能,消费电子“有钱买不到货”

52. 集邦咨询

53. 长江存储提前释放新产能,仍难扭转NAND供应紧张局面!

54. 群联CEO

55. 单季狂卖200亿!长江存储逼宫三星美光,全球NAND格局彻底变天

56. 全球NAND Flash市场迎来爆发式增长 AI需求推动价格与营收双升

57. TrendForce:上调第一季NAND Flash价格预估,环比增85-90%

58. 机构:AI服务器存储需求大增 推升2025年第四季度NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%

59. 机构:AI服务器存储需求暴增,推升4Q25 NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%

60. 集邦咨询:第一季度全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增83.7%

61. 第三季度 NAND Flash市场有望增长

62. NAND Flash价格即将迎来反弹

63. 25 年第三季度 NAND Flash 合约价格预计将上涨 5-10%

64. TrendForce:预计今年二季度NAND Flash价格将止跌回稳

65. 市场洞察:TrendForce:2025年Q4 NAND前五大厂营收212亿美元 | 2026.03.01~03.06

66. 研报 | AI服务器存储需求暴增,推升4Q25 NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%

67. 集邦:TOP5企业级固态硬盘厂商2025Q3相关营收环比增长28%

68. AI服务器存储需求暴增,4Q25 NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%

69. NAND闪存Q1暴涨90%:AI驱动供需失衡,全年高景气及A股受益标的解析

70. 花旗预言DRAM均价明年同比狂飙200%,NAND价格同比上涨约186%;高盛预计2026年DRAM涨幅达250%-280%,NAND闪存涨幅达200%-250%

71. AI时代,NAND需求为何迎来爆发式增长?

72. SSD价格一周暴涨35%!HDD交期长达一年

73. 最高增87倍!固态硬盘(SSD)非常正宗10大核心龙头(最新整理)

74. 重磅市场观察:三星闪存涨价100%

75. AI驱动NAND需求激增,企业级SSD成新增长点 NAND的需求重心正转向AI推理与数据中心存储,企业级SSD是最直接的增量:2024年eSSD出货同比+86%,eSSD在总NAND比特需求中的占比预计从2025年的29%升至2027年的48%,AI服务器单机存储量预计至少70TB。供给侧以技术迁移和产能克制为主,512GB TLC晶圆现货价7个月上涨5.5倍($2.70→~$15)。行业混合ASP预测2026/2027年+40%/-2%。重点跟踪eSSD渗透率、合约涨价节奏、300层以上工艺与混合键合推进。

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78. 年内再涨120%!利基存储国产龙头业绩爆发式增长,7家核心受益上市公司深度拆解

79. 2025Q4全球五大NAND厂商营收环比增长23.8%

80. [流言板]高盛:全球存储器市场将经历史上最严重供应短缺

81. 资讯 | 闪存创新赋能全域:NAND超级周期下的AI存储革命

82. 机构:AI服务器存储需求暴增,推升2025年Q4 NAND Flash前五大品牌厂营收季增23.8%

83. 供需严重失调,Nand闪存一季度预计涨价90%

84. NAND Flash暴涨60%!AI需求引爆“抢货大战”,核心受益股全梳理

85. 群联电子 CEO:NAND 闪存或短缺 10 年,2026 年将严重短缺

86. 前五大NAND厂商,营收大增83.7%

87. NAND闪存Q1价格暴涨近九成 供应商营收持续冲高

88. AI把闪存链烧断了

89. 季增83.7%!2026年第一季NANDFlash前五大品牌商营收排名出炉

90. 企业级SSD,业绩爆发

91. 价格飙涨!全球前五大NAND Flash一季度营收季暴增83.7%!

92. 全球存储器将经历史上最严重供应短缺!联想喊话:要买硬件趁现在赶紧

93. 2025年第三季度企业级SSD营收排名

94. 史上最强存储上涨周期?瑞银:预计DDR季度环比上涨35%,NAND短缺至少到明年Q3

95. 全球存储史上最严重短缺!联想喊话:要买硬件趁现在赶紧!

96. 美银——闪迪公司——随着NAND对AI推理的战略重要性提升,上调评级;目标价升至390美元(附下载)

97. AI算力需求爆发,DRAM、NAND芯片供需缺口持续扩大

98. CFM:2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元 环比增长29.2%

99. 2月15日消息,高盛日前发布报告称,2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一,DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。其中,2026年DRAM供应将现15年来最严重缺口,而NAND市场则将迎来史上最大短缺之一。 另据"亚洲新闻台"报道,内存芯片在全球面临严重短缺,人工智能和消费电子公司正在争夺日渐稀少的供应,预计这将支持制造商的多年积压订单。摩根士丹利分析师在一份报告中表示:“只要人工智能的发展轨迹保持如此强劲,这一状况可能会持续超过一年,甚至更长的时间。” #存储芯片 #内存芯片 #DRAM #HBM #NAND

100. 研报 | NAND Flash wafer供给紧缩加剧,11月部分产品合约价涨幅逾60%

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104. 首次突破2000亿美元!2025全球Memory市场营收

105. 花旗-三星电子电子2026年内存价格将大幅上涨

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107. 11月NAND Flash wafer价格涨势扩散至所有容量段

108. SSD缺货涨价厂商赚麻了!NAND五大厂营收暴增83.7%:三星直接翻倍

109. NAND闪存价格狂飙40%!AI浪潮催生存储芯片超级周期

110. NAND Flash合约价全面上涨,11月涨幅最高65%!

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113. 供给紧缩加剧,11月NAND Flash wafer价格涨势扩散至所有容量段

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117. 三星西安厂完成236层3D NAND量产,286层工艺计划年内转入生产

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122. 长江存储300层以上3D NAND闪存将量产 #长江存储 官方确认基于Xtacking 4.0架构的300层以上3D NAND闪存完成技术验证并即将量产,Xtacking晶栈技术长江存储独有,优势在于将存储阵列和外围逻辑电路分开制造,再通过金属键合连接。这标志着中国存储芯片技术已经迈入全球第一梯队,甚至在某些维度实现了反超。目前全球主要的NAND原厂三星、SK海力士、美光、铠侠正处于200层至300层的竞争阶段。#芯片 #半导体 #科技 #人工智能 竟业电子IC芯片供应商www.jingyeic.com

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