英特尔谋划推出14A2全新节点，迎战台积电和三星

台积电和三星将在未来几年内以1.4纳米产品搅动代工市场。台积电计划明年将其A14晶圆厂投入运营，而三星则瞄准2029年实现其1.4纳米技术的大规模量产。与此同时，英特尔预计将在明年推出其开创性的14A技术。

就在这一切进行之际，英特尔正考虑更新其制程技术路线图。这些更新主要是为了应对即将与台积电和三星展开的正面交锋。据ETNews报道，在节点更新中，新增了一个被称为14A2的全新节点，这项新技术将是对标准14A技术的优化/改进版本。

英特尔14A采用PowerVia技术，引入了背面供电网络（BSPDN）。14A2节点将采用双面架构，同时利用正面和背面进行供电。基础版14A节点的M0间距将缩减至28纳米，而14A2将进一步把间距尺寸缩小到21纳米。

在半导体制造中，M0间距是指两条金属线中心之间的距离，这些金属线通常负责在晶体管之间传输信号，更小的M0间距意味着可以在芯片内集成更多晶体管。这将通过双重图案化（Double Patterning，半导体制造中的一种光刻技术）等改进来实现，同时也能带来密度提升。14A已经有望实现晶体管密度30%的提升，因此可以预期14A2将带来进一步的密度增长。

虽然这将有助于高数值孔径 EUV（High-NA EUV）设备的利用率，提升单台设备的盈利能力，但21纳米的间距尺寸也带来了一些复杂问题，例如电阻增加。此外，nTSV（纳米硅通孔）的设计也无法应对这些更高的密度需求。为此，据传英特尔采用了一种复合结构，以背面供电网络作为主要电源，同时将一部分供电分配给正面金属层。

随着计算和AI需求呈失控般激增，半导体公司正全力开足马力。据消息人士称，由于三星已经完善了其全环绕栅极（GAA）晶体管架构，在下一代技术方面遇到的问题较少。同样，台积电已在2025年和2026年稳定了其N2工艺技术家族的良率，并且到英特尔启动14A风险试产时，台积电已经转向向市场出货1.4纳米产品。

英特尔在半导体制造业务上，尤其是面向外部客户方面仍有许多需要证明的地方，而18A-P、14A以及现在的14A2等产品正受到所有人的密切关注。因此，英特尔时间紧迫，尤其是其计划2026年10月向客户交付14A PDK 0.9设计套件。