SK海力士6月起交付HBM4E样品,英伟达成首家客户

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06-15 10:15

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1. 英伟达SK海力士联手,官宣将共研AI工厂下一代存储

2. 三星半导体的下一代“聚宝盆”出样了。三星已率先向客户提供 HBM4E 12层堆叠样品。今年2月刚量产 HBM4,3个月后就把 HBM4E 送去客户验证,这个节奏很猛。HBM4E 单Pin速度最高16Gbps,单堆叠带宽达到3.6TB/s,容量提升到48GB,同时能效提升16%,热阻改善14%以上。AI时代,GPU负责算,HBM负责喂数据。谁能拿下下一代HBM订单,谁就能吃到AI服务器最肥的一块肉。对三星半导体来说,HBM4E很可能就是下一个真正的聚宝盆。

3. 【人均将分320万元!#韩国海力士掀起造富狂欢#】2025年SK海力士员工人均奖金约1.4亿~1.48亿韩元,这一数字今年有望高达7亿韩元(约320万元人民币)。高薪潮直接“点燃”周边楼市,公寓成交价刷新纪录,员工更是成为婚恋市场顶流,地位超越医生律师。过去四个月,已有约200名三星员工跳槽至SK海力士。SK海力士“发钱”的底气,来自于其在HBM(高带宽内存)市场的领先地位。通过与英伟达GPU的深度绑定,SK海力士在HBM市场的份额已达到57%。HBM作为AI训练的关键零部件,正为这家公司持续带来惊人的利润。(每日经济新闻) #SK海力士今年人均奖金或320万#

4. 美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利,其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长,且良品率优化速度显著加快。美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚日前在摩根大通投资大会确认,该产品将应用于英伟达AI计算平台Vera Rubin。美光HBM4的核心DRAM芯片采用10纳米级第五代1β工艺,并由美光自主优化基底芯片以提升整体性能。美光计划于明年量产下一代HBM4E标准产品。HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺,这是美光首次在量产工艺中引入ASML的EUV光刻设备。此外,美光将改变生产策略,HBM4E的基底芯片将委托台积电进行制造。美光HBM4E首批产品将符合JEDEC标准,后续会根据客户需求提供定制化版本。

5. 【#基金被迫卖出三星SK海力士#】今年以来,三星电子、SK海力士的股价持续暴涨,并带动韩国股市屡创新高。过去一年,SK海力士涨幅超过1000%,而三星电子涨幅超过400%。韩国国家养老金服务(NPS)的最新动作,进一步强化了市场看涨情绪。本周四,韩国福利部宣布,作为全球第三大养老基金的NPS,已将截至2026年底的国内股票配置目标,从此前的14.9%大幅提升至20.8%。市场普遍预计,大量新增配置资金将继续流向三星电子与SK海力士等核心科技资产。受上述消息刺激,两家公司股价周五再度走高,三星电子收涨5.84%,SK海力士收涨1.92%。然而,两家公司市值急剧膨胀,导致受限于单一个股10%持仓上限规则的基金越来越频繁地触及这一限制,迫使这些基金抛售这两只股票。其中,就包括苏黎世的GAM投资管理公司和新加坡的Jupiter资产管理公司,它们不得不重新调整投资组合以保持合规。据彭博社报道,分析师将今年韩国股市创纪录的外资流出归因于这种因基金再平衡而引发的机械性抛售压力,这进一步加剧了已然较高的波动性。这种动态也凸显了这一交易已变得何等拥挤——投资者纷纷涌入人工智能热潮,推动这两家芯片制造商的市值双双突破1万亿美元。对于资产管理公司而言,分散投资规则限制了大额押注。对单一个股的风险敞口通常被限制在资产的10%以内,而超过5%的持仓合计不得超过投资组合的40%。First Eagle Investments的投资组合经理Christian Heck表示,虽然这些规则旨在遏制集中度风险,但即使基金仍看好相关股票,也可能导致卖出。这些限制正体现在基金经理应对股价上涨的方式上。Amundi SA亚洲投资主管Florian Neto表示:“我们更多是从投资组合构建的角度来获利了结,这就是风险之一。我认为这些股票的市值增长太快,已达到投资者因需要分散投资而不得不卖出的水平。”彭博社指出,截至本周四,全球投资者净卖出了636亿美元的韩国本地股票,这是自1999年有数据以来的最大月度卖出规模。其中,今年三星电子和SK海力士合计净流出586亿美元。高盛估计,自去年10月下旬以来,分散投资规则已引发约690亿美元的抛售,因为管理着近2000亿美元资产的韩国主题基金正面临这两家芯片制造商合计权重增长的压力。高盛分析师Timothy Moe团队在一份报告中指出,如果三星电子和SK海力士的市场集中度继续上升,其可能会面临更大的卖出压力,尽管大部分抛售已经结束。在直接持仓受限背景下,越来越多投资机构开始寻找“代理交易”(Proxy Trade)机会,通过关联公司间接押注韩国AI产业链。例如,持有SK海力士20.5%股份的SK Square公司,过去一年股价飙升超过1000%。而持有三星集团核心资产8.58%股份的三星人寿保险,其股价同期也上涨超过三倍。首尔Eugene资产管理公司的首席投资官Ha SeokKeun表示:投资者可能会寻求通过持有这两家公司大量股份的关联公司、控股公司或保险公司,来间接扩大韩国半导体行业的风险敞口。市场分析认为,这类“影子半导体资产”未来可能成为国际资金新的配置方向。近期的资金流向也印证了这一趋势。韩国交易所数据显示,5月27日,“退休基金”等机构投资者净买入SK Square的规模达139.51亿韩元,为当日仅次于三星电子的第二大净买入金额;而同日这些基金对SK海力士反而净卖出了25亿韩元。机构资金从直接持有转向间接持有的脉络清晰可见。有分析师指出,在全球AI算力竞赛持续升级背景下,HBM、先进存储以及AI服务器供应链的重要性仍在快速提升,中长期资金对亚洲科技龙头的配置需求依旧强劲。本周五,三星电子宣布,已开始交付其最新款高带宽内存(HBM)芯片——12层HBM4E的样品,并称这是全球首款此类产品出货。据悉,三星电子的12层HBM4E提供48GB的容量,比上一代产品增加了30%以上,并计划根据客户需求扩展产品线,包括32GB(8层)和64GB(16层)配置。(券商中国)#戴尔暴涨30%##科技股调整原因#

6. 英伟达与 SK 海力士宣布合作,将共同开发下一代 AI 内存,双方联手将对行业发展和市场带来哪些影响?

7. 【#黄仁勋大赞SK海力士#:#黄仁勋称为SK海力士的成功而自豪#】据韩媒 The Elec 今晚报道,英伟达 CEO 黄仁勋对 SK 海力士的增长势头大加赞赏,并重申双方紧密合作关系。黄仁勋同时表示,英伟达希望与韩国 AI 和机器人产业展开更广泛合作。谈到英伟达如何评估高带宽内存(HBM)供应商时,黄仁勋表示,性能、质量、可靠性和供应能力都是关键标准。“HBM 可能看似很简单,实际上可是极其复杂。我们与 SK 合作非常紧密,我们保持了长期关系,我为 SK 的成功感到自豪。SK 海力士最近成为一家市值达 1 万亿美元(现汇率约合 6.78 万亿元人民币)的公司。我很高兴看到 SK 海力士取得成功。”黄仁勋还提到,英伟达未来可能把 GTC 开发者大会带到首尔。“韩国是电竞、游戏和 PC 房(对应国内‘网吧’)文化的发源地之一。如果首尔想办,我们就会在那里举办。何乐而不为?从早期 GeForce 图形处理器时代开始,韩国对英伟达就一直具有特殊意义。”(IT之家)

8. 【#三星电子市值突破2000万亿韩元#】#三星电子市值创韩企新纪录# 据韩国交易所数据,当地时间上午 11 点 44 分(北京时间 10 点 44 分),三星电子股价报 346500 韩元(现汇率约合 1571 元人民币),总市值达到 2025 万亿韩元(现汇率约合 9.18 万亿元人民币),成为韩国首家突破 2000 万亿韩元(现汇率约合 9.07 万亿元人民币)市值的企业。三星电子曾在上周五宣布,全球首款 HBM4E 样品已出货,此后公司股价持续上涨。市场对 AI 半导体行业前景的乐观,也进一步提振了投资者情绪。值得注意的是,韩国国内市值第二大的上市公司 SK 海力士同样股价高涨,同一时刻为 1690 万亿韩元(现汇率约合 7.66 万亿元人民币),约等于三星电子的 83.4%。(IT之家)

9. 半导体圈人才流动直接掀翻行业格局!近200名三星核心工程师集体跳槽SK海力士,主攻HBM高带宽存储领域,刚好踩在AI芯片最关键的赛道上。一边是SK海力士手握英伟达大单、奖金福利拉满,一边三星还面临大规模罢工风波,薪酬差距、发展前景形成鲜明反差。高端芯片人才争夺战早已白热化,往后存储行业格局怕是要重新洗牌了。#三星200人跳槽到SK海力士##AI芯片##英伟达##三星#

10. 报道:SK海力士拟赴美ADR上市,发新股筹资10-15万亿韩元,全速押注HBM扩产

11. HBM4E样品交付战打响 SK海力士或提前至6月

12. SK海力士关键一役!报道:HBM4最终样品即将交付,若通过英伟达认证本月即可量产

13. SK海力士HBM4E即将送样

14. SK海力士将向英伟达交付最终HBM4样品

15. SK海力士:HBM4E下半年送样,明年量产

16. SK海力士计划2026H2出样HBM4E:基于1c DRAM,2027年量产

17. SK海力士:HBM4E样品年内完成开发

18. SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存

19. 6月3日消息,SK 海力士今年在台北国际电脑展 COMPUTEX 上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die,引脚速率达到 16.0Gbps,单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分,SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品,并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD)。 SK海力士的其它展品还包括用于 NVIDIA DGX Spark 的 1anm 16GB LPDDR5X-8533、支持 DLC 液冷的 PEB210 E1.S 固态硬盘、适配 NVIDIA Bluefield-4 DPU 的 PE9010 M.2 固态硬盘、面向 NVIDIA Vera Rubin 超级芯片的 1cnm 96GB LPDDR5X-9600 SOCAMM2 等。 #SK海力士 #HBM4E #AI内存 #DRAM #COMPUTEX

20. SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存,引脚速率16Gbps

21. 全球领先!HBM4芯片详细参数首次亮相

22. 单堆栈带宽达4.0TB/s!SK海力士12层堆叠48GB HBM4E内存亮相

23. SK海力士HBM4E官宣:12层堆叠48GB,带宽狂飙至4TB/s

24. SK海力士在台北国际电脑展展示HBM4E 48GB 12层堆叠 单颗带宽达4TB/s

25. 16Gbps 速率 + 12 层堆叠 SK 海力士 HBM4E 引爆 AI 内存竞赛

26. HBM4E技术细节与性能影响解析 HBM4E技术细节 HBM4E为第四代高带宽内存的增强版本,主要面向人工智能、高性能计算及数据中心领域。其核心特点包括采用32Gb DRAM裸片,通过16层垂直堆叠实现单堆栈64GB容量,数据传输率达10Gbps,配合2048位内存接口可实现2.56TB/s带宽,较前代HBM4提升25%。该技术支持逻辑芯片定制化,整合先进制程工艺制造基础芯片,并应用混合键合技术优化信号传输效率。HBM4E在基础芯片层面具备更多定制空间,可满足不同客户对性能与功能的特定需求。 英特尔下一代数据中心加速器Jaguar Shores原计划于2026年发布,并搭载SK海力士的HBM4内存。最新消息显示,英特尔可能跳过HBM4,直接采用性能更强的HBM4E内存,导致产品发布时间推迟至2027年中。这一调整主要因HBM4E的技术升级及定制需求,其量产时间预计在2026年后,因此英特尔需等待供应链成熟。若发布时间进一步延后至2027年末,英特尔可能面临客户已转向竞争对手平台的风险。 HBM4E的采用将显著提升Jaguar Shores的性能表现。其高带宽(2.56TB/s)和低延迟特性可支持更快的模型训练与推理,适用于数据密集型AI工作负载。同时,定制化设计允许英特尔优化能效和集成度,例如引入背面供电技术以提升能效。然而,延迟发布可能削弱英特尔在AI加速器市场的竞争力,因为客户可能已标准化采用NVIDIA或AMD的解决方案。总体而言,HBM4E的引入虽带来性能优势,但也增加了产品上市的不确定性。

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