芯周刊 ｜ 3月23日-3月27日 半导体与存储产业大事记

芯周刊 ｜ 3月23日-3月27日 半导体与存储产业大事记

时序流转，创新为纲；科技迭代，洞察先行。GMIF 创新观察聚焦存储技术与半导体产业前沿，每周为您汇总硬核突破、行业趋势相关热点消息。

01

宏观政策 / 机构数据

Macroeconomic Policies / Institutional Data

SEMI中国总裁冯莉：预计2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元， HBM产能缺口达50%—60%。

3月26日电，SEMI中国总裁冯莉在会议致辞时表示，她指出2026年半导体产业的三大趋势。

• 第一个趋势：AI算力。2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求，而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。

• 第二个趋势：存储革命。存储是AI基础设施核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体第一增长极。2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口达50%—60%。

• 第三个趋势：技术驱动产业升级。随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍。先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。

CFMS：2026年3季度存储产品涨幅将放缓

CFM总经理邰伟发布行业报告：存储产品的价格已经历了连续三个季度大涨，预计2026年三季度开始涨幅会放缓，逐渐收敛。相比起火热的AI市场，以手机为代表的消费类市场就进入阵痛期，成本迅速上升，预计销售量将下降约10%，部分手机降幅最高将达30%。

野村大幅上调存储芯片价格涨幅预期：预计Q2 DRAM与NAND分别环比增长51%与50%

野村日前发布全球市场研究报告，大幅上调对存储芯片价格的预测，预计2026年第二季度DRAM与NAND价格将分别环比增长51%与50%，此前预估为6%与20%。野村强调，此轮涨势不仅反映短期供需失衡，更标志着产业结构正在发生根本性转变。

深圳：加快存储芯片先进封装技术攻关 重点发展企业级SSD、企业级内存模组等高端存储产品

深圳市工业和信息化局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》，其中提出，支持开展存储芯片研发及应用，加快存储芯片先进封装技术攻关，重点发展企业级SSD、企业级内存模组等高端存储产品；强化近存封装、存算一体等新型技术研发，提升高端存储供应能力，打造适配大模型训练、超算中心的高端存储产品供给体系。

集邦咨询：预估2026年智能手机平均存储容量年增4.8%

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，尽管2026年全球智能手机品牌面临NAND Flash价格高涨压力，但由于原厂制程升级迫使低容量规格淘汰，以及高端品牌旗舰机AI需求等因素驱动，预估全年手机平均存储容量将逆势年增4.8%。

存储芯片正迎供需失衡加剧局面 Wedbush预计部分产品价格将涨超100%

海关总署10日发布数据显示，1-2月，我国集成电路出口额3046.7亿元人民币，同比增长68.9Wedbush最新报告指出，在需求激增与供应紧张的双重推动下，部分存储产品价格有望出现超过100%的涨幅。Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上涨，预计2025年第四季度基础上，2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平。其中，DRAM价格涨幅有望达到130%至150%，NAND涨幅也接近这一水平，显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。%。

全国首只AIC产业并购基金揭牌，聚焦集成电路装备。

3月23日，中国建设银行与上海国有资本投资有限公司（以下简称“上海国投”）在上海举办全国首只AIC产业并购基金揭牌仪式暨上海国投－建设银行“见投即贷”产品发布活动。该基金将聚焦集成电路装备关键核心领域，为产业并购重组、资源整合、技术迭代提供资本支撑，向并购交易及产业投资市场注入长期资本活水。

美国国际贸易委员会（ITC）正式对非易失性存储器和动态随机存取器存储芯片启动337调查，铠侠、SK海力士等为列名被告

据中国贸易救济信息网，3月26日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定非易失性存储器和动态随机存取器存储芯片（Certain NAND and DRAM Memory Chips）启动337调查（调查编码：337-TA-1492），铠侠、SK海力士等为列名被告。

广州：重点突破国产化AI算力芯片适配、异构算力动态调度技术 构建自主可控的智算中心架构

广州市人民政府办公厅印发《广州市促进人工智能产业高质量发展实施方案》。其中提出，通过“揭榜挂帅”等方式，支持各创新主体聚焦基础理论、算力、数据、算法、应用等全产业链环节开展关键技术攻关。重点突破国产化AI算力芯片适配、异构算力动态调度技术，构建自主可控的智算中心架构。

02

行业大新闻

Major Industry News

AI热潮推动需求井喷，三星电子和SK海力士加码中国工厂投资，以提升工艺制程和产能

三星与SK海力士加码中国工厂投资超69亿人民币，升级西安与无锡产线至第八代NAND和1a DRAM工艺，全力应对全球AI浪潮下的存储芯片短缺。中国市场需求激增，两大巨头押注本土产能，HBM订单与高附加值产品量产成关键增长点。

消息称氦气现货价急涨50% 三星、SK海力士等大厂紧盯制程材料供应

据业内人士称，氦气现货价格飙升，已经上涨超过50%。三星电子、SK海力士、东部高科等半导体制造商的采购部门正每天检查关键材料的供应情况和价格波动，以防止生产中断。

DRAM 厂商南亚25日正式揭晓787.18亿新台币（约合170.04亿元人民币）的定增名单：铠侠、闪迪、SK海力士旗下Solidigm及思科四家公司现身

DRAM 大厂南亚25日正式揭晓787.18亿新台币（约合170.04亿元人民币）的定增名单，多家产业巨头现身。

铠侠、闪迪、SK海力士旗下Solidigm及思科四家公司将分别认购私募普通股7000万股、13868万股、7139万股、7150万股，共3.51亿股。且南亚科此次私募普通股定价为每股223.9新台币，按照其今日收盘价226.5新台币计算，仅折价1.15%。公司计划将募得资金投入先进存储器制造厂与生产设备，以应对未来AI计算需求增长。

美光铜锣一厂正式启用，强化台中先进DRAM与HBM产能。

2026年3月26日，美光在台湾苗栗铜锣举行揭牌仪式，宣布原力积电P5晶圆厂正式启用并更名为美光铜锣一厂。该厂距美光台中制造基地不足25公里，将作为其中部大型垂直整合厂区核心，重点提升先进DRAM及HBM产能。交易自2025年11月启动，历时仅12周完成；首批先进制程设备已于3月23日进厂。美光计划年内为该厂新增约1000个就业岗位。

SK海力士：HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量

SK海力士CEO称，HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量。公司将加快先进制程迁移，以最大化产出并高效利用有限的晶圆厂空间，旨在更好地满足客户需求。力争实现净现金规模超100万亿韩元。

佰维存储签下15亿美元存储晶圆采购大单，锁价24个月保供应稳定性

佰维存储公告称，公司与某存储原厂签订日常经营性采购合同，合同总承诺采购金额为15亿美元（约合103亿元人民币），承诺采购期总计24个月。佰维存储表示，每12个月内对该产品的采购量，占2025年公司NAND Flash采购总量的11.1%和2025年公司NAND Flash销售总量的18.01%，占比均较小，提前锁定的未来24个月部分基础用量与公司业务规模及规划匹配，风险整体可控。

美光CEO桑杰 · 梅赫罗特拉：一旦L4级自动驾驶开始普及，单车内存需求将超过300GB。

据媒体报道，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，随着汽车制造商越来越多地推出具备L4级自动驾驶的车辆，单车所需内存将从过去的16GB提升至300GB以上，再加上更多固态硬盘的应用，将推动汽车存储收入大幅增长。美光还透露，正在准备业界首款车规级1γ LPDDR5 DRAM，不过距离广泛使用仍需要一定时间。

SK海力士正在评估使用台积电3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。

SK海力士正在积极评估是否在其第七代高带宽存储（HBM4E）的逻辑芯片上采用台积电的3nm制程，希望借此缩小与三星电子的性能差距。然而，业内分析师警告称，量产时程与成本问题可能对SK海力士的3nm计划带来不小风险。

03

重大技术突破

Major Technological Breakthroughs

谷歌推出压缩算法TurboQuant，宣称实现约6倍内存节省

谷歌近日推出了一种可能降低人工智能系统内存需求的压缩算法TurboQuant。根据谷歌介绍，TurboQuant压缩技术旨在降低大语言模型和向量搜索引擎的内存占用。该算法主要针对AI系统中用于存储高频访问信息的键值缓存（key-value cache）瓶颈问题。随着上下文窗口变大，这些缓存正成为主要的内存瓶颈。TurboQuant可在无需重新训练或微调模型的情况下，将键值缓存压缩至3bit精度，同时基本保持模型准确率不受影响。对包括Gemma、Mistral等开源模型的测试显示，该技术可实现约6倍的键值缓存内存压缩效果。

Arm 发布Arm AGI CPU，首次跨足芯片产品

Arm宣布将产品矩阵延伸至量产芯片，发布首款由Arm自主设计的数据中心 CPU——Arm AGI CPU。该芯片专为代理式AI（agentic AI）基础设施打造，单颗集成136个Neoverse V3核心，TDP 300瓦，可支持风冷、液冷部署，单机架核心数最高超4.5万。Arm表示，其单机架性能达x86平台两倍以上，每吉瓦AI数据中心算力的资本支出（CAPEX）节省可达100亿美元。Meta作为该芯片的早期合作伙伴及联合开发者，后者计划将其与自研Meta训练与推理加速器（MTIA）协同部署。

三星2nm制程良率半年内从20%飙升至60%，与台积电基本持平

据 Hankyung 报道，三星 2 纳米工艺的良率在短短两个季度内增长了两倍多。去年下半年，该工艺良率仅约 20%，导致晶圆上的大部分芯片无法使用。如今良率突破 60%，三星已与台积电的良率水平基本持平。据悉，行业龙头台积电的 2 纳米工艺良率在 60% 至 70% 之间。

04

下游应用

Downstream Applications

2025年国内消费级AI/AR市场销量增幅109%，雷鸟夺冠

CINNO Research最新数据显示，2025年国内消费级AI/AR市场迎来历史性突破——全年销量达69.6万台，同比激增109%，雷鸟、小米、XREAL、Rokid等品牌凭借创新产品矩阵成为核心增长引擎。其中，2025年雷鸟以32%市场份额居首，销量同比暴涨125%。预计2026年国内消费级市场销量同比增长65%，甚至更高。

中国信息通信研究院联合40余家单位共同起草的具身智能领域首个行业标准3月26日正式发布

中国信息通信研究院联合40余家单位共同起草的具身智能领域首个行业标准3月26日正式发布，该标准为具身智能领域构建了统一基准测试框架，标志着具身智能评测迈入“有标可依”的新阶段。据了解，这项标准聚焦人工智能关键基础技术和具身智能基准测试方法，同时明确了具身智能系统框架和能力要求，将于2026年6月1日正式实施。标准规范了在仿真环境和真实环境下，面向具身智能系统的基准测试框架、方法和指标。标准提出的评测体系支持基础能力、认知推理能力以及全链路闭环能力的测试，覆盖静态仿真测试、动态仿真测试、真实环境测试和组合式测试四种测试方法。

荣耀高管谈内存涨价：价格高位或持续到 28 年

3 月 26 日，荣耀中国区智慧生活业务部部长林林发文，坦言当前科技行业各类核心原料几乎全线涨价，成本压力已传导至终端，导致部分老产品出现涨价现象，且存储用量越大的产品涨价幅度越明显。其分析表示目前各厂商应对成本压力的策略取决于企业核心诉求，同时预判存储芯片涨价及高位运行态势将持续至 2027 年下半年甚至 2028 年，短期内即使年中大促也难以缓解涨价带来的消费市场压力。

商务部：1-2月智能眼镜网零额增长183.5%

商务部网站25日消息，商务部电子商务司负责人介绍2026年1-2月我国电子商务发展情况。1-2月全国网上商品和服务零售额增长9.2%，商务大数据重点监测平台智能产品增长亮眼，智能眼镜、擦窗机器人网零额分别增长183.5%和130.8%。

戴尔廖仁祥：今年此时就是购买PC和笔电“最便宜的时刻” 部分CPU出现缺货或交期拉长

戴尔中国台湾地区总经理廖仁祥在谈及今年度PC市场时表示，存储零部件与内存成本持续飙涨，今年此时就是购买个人电脑与笔电最便宜的时刻。针对市场关心的供应链状况，廖仁祥透露目前部分CPU也出现缺货或交期拉长的问题。

华硕系统事业总经理廖逸翔：预计 PC 2026Q2 涨价 25~30%，建议“早买早享受”

3 月 23 日消息，华硕举行了 Zenbook A16 笔记本电脑的中国台湾地区发布会。该企业系统事业总经理廖逸翔在会上接受采访时表示，预计 PC 价格在 2026 年第 2 季度将上涨 25~30%，建议潜在消费（883434）者“早买早享受”。

中国信通院：2026年2月，国内市场手机出货量1678.9万部，同比下降14.6%

3月25日，中国信通院发布2026年2月国内手机市场运行分析报告，2026年2月，国内市场手机出货量1678.9万部，同比下降14.6%，其中，5G手机1593.1万部，同比下降11.4%，占同期手机出货量的94.9%。2026年2月，智能手机出货量1625.8万部，同比下降12.6%，占同期手机出货量的96.8%。