SK海力士16层堆叠HBM4或继续使用MR-MUF工艺，暂不启用TC NCF技术

去年SK海力士推出了面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。SK海力士沿用了在HBM3E上的Advanced  MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠HBM4达到了最大36GB容量。相比之下，竞争对手三星和美光已开始改用TC NCF技术。

据TrendForce报道，SK海力士经过评估后，打算在16层堆叠HBM4上继续使用MR-MUF工艺，而不是像过去传言那样启用TC NCF技术。传闻SK海力士在去年第四季度启动了对TC NCF技术的全面评估，目标是应用到量产工作，然而并没有达到预期的效果。

SK海力士的MR-RUF技术是将半导体芯片附着在电路上，使用EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。TC   NCF工艺需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。过去SK海力士曾表示，MR-RUF的导热系数大约是TC  NCF的两倍，会对生产速度和产量有明显影响。事实上，过去两年SK海力士在HBM市场的策略非常成功。

TC   NCF工艺也有自身的优势，可以将DRAM垂直堆叠变得更紧密，降低HBM的高度。不过随着去年JEDEC固态存储协会放宽了HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米，让SK海力士有条件在现有键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。

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