三星开始量产第八代 V-NAND 闪存，业界最高比特密度

今日，三星电子有限公司宣布开始大规模生产 236 层 3D NAND 闪存芯片，将其命名为第八代 V-NAND。

第 8 代 V-NAND带来了 2400MTps 的传输速度，也就意味着消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。并可提供 1Tb (128GB) 的方案，但仍将厚度控制在了合理范围之内，封装 512GB 容量也不超过 0.8mm。

三星表示，与现有相同容量的闪存芯片相比，新一代 3D NAND 可提高提高 20% 的单晶生产率，从而进一步降低了成本，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

在未来，三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过 500 层，这被视为 3D 闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示：“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”