张大妈

国产存储“双子星”浮现:兆易创新登陆港股,长鑫科技冲刺科创板

源自今日头条:新京报

01-22 20:02

兆易创新登陆港股,完成“A+H”股资本布局,其创始人朱一明执掌的长鑫科技亦冲刺科创板。这并非偶然的资本运作,而是中国存储产业在关键赛道上的一次系统性突围,通过“设计+制造”双轮驱动,精准卡位全球市场结构性机遇,展现了国产存储力量的崛起路径与巨大潜力。

国产存储“双子星”浮现:兆易创新登陆港股,长鑫科技冲刺科创板智能速览

  • 兆易创新成功登陆港股,募资46.1亿港元用于研发和战略扩张。

  • 公司卡位利基型DRAM市场,预计该业务未来两年增长50%。

  • 创始人朱一明前瞻布局,构建兆易创新(设计)与长鑫科技(制造)的协同模式。

  • 长鑫科技冲刺科创板,拟募资295亿元,有望成为千亿级半导体巨头。

  • 全球存储市场因AI需求变化,为国产厂商提供了切入窗口。

国产存储“双子星”浮现:兆易创新登陆港股,长鑫科技冲刺科创板精华内容

兆易创新港股上市与长鑫科技冲刺科创板,并非孤立事件。这背后,是中国存储产业在关键赛道上的系统性突围,一场精心布局的‘双子星’战略正浮出水面。

港股上市,资本助力研发

1月13日,国产存储芯片龙头兆易创新成功登陆港交所,上市首日股价大涨37.53%,市值突破1500亿港元。此次港股上市募得净额46.10亿港元,其中约40%将投入持续研发,约35%用于战略投资及收购,以强化其在全球半导体市场的核心竞争力。

这笔资金的注入,将为兆易创新在现有产品线上持续迭代、开拓新领域提供坚实的保障,是其实现全球化战略布局的关键一步。

卡位利基,业绩高速增长

兆易创新的业绩爆发,得益于对全球存储市场结构性变化的精准把握。人工智能浪潮推动国际巨头将产能向HBM等高端产品倾斜,导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给收缩。

兆易创新凭借其覆盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM矩阵,抓住了这一市场窗口。2025年第三季度,公司营收同比增长20.82%,净利润增长30.18%。公司预计其利基型DRAM业务2025年营收将同比增长50%,并计划在未来5年占据国内30-40亿美元市场至少三分之一的份额。

双雄布局,协同攻克DRAM

兆易创新的崛起,与创始人朱一明的战略眼光密不可分。在NOR Flash领域取得成功后,朱一明于2016年将目光投向技术壁垒更高、市场空间更广阔的DRAM领域,联合合肥市政府创立了长鑫科技。

为全力攻克DRAM量产难关,朱一明亲自挂帅长鑫科技,开启了“二次创业”。这形成了独特的“设计+制造”协同模式:采用Fabless模式的兆易创新专注于设计,而长鑫科技则为其提供DRAM产品代工服务,共同打破了海外巨头在DRAM领域的长期垄断。

长鑫冲刺,产业链迎新篇

朱一明的前瞻布局正迎来收获期。长鑫科技2025年前三季度营收高达320.84亿元,同比增长97.79%。尽管仍在投入期,但其亏损已显著收窄,第三季度单季扣非净利润同比大增174%,毛利率提升至35%。

2025年底,长鑫科技向上交所科创板提交的IPO申请已获受理,拟募集资金高达295亿元。若成功上市,其估值预计将超过1500亿元,将成为中国半导体产业又一家千亿级巨头,带动国产DRAM全产业链的加速成长。

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