国产存储芯片能否撼动三星海力士?800+用户观点大PK
25-12-08
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21. 深度丨国内NAND巨头长江存储正迈向100%设备本土化
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40. 国产存储芯片突破封锁!长鑫发布DDR5顶级性能产品
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41. 达到全球主流水准!国产先进存储发布,外媒
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42. 国产芯片王炸!长鑫存储发布DDR5内存 跻身业界第一梯队 最新名单
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43. 长鑫存储DDR5量产冲击全球市场
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44. 国产芯突破!长鑫存储首发DDR5,打破三星垄断
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45. 中国有了自己的国产 DDR 5 产品
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46. 关键时候,国产芯片打破国外垄断,等手机降价有戏了!
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47. 三星减产,手机涨价,国产芯片悄悄接棒
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48. 内存涨价潮中破局!长鑫LPDDR5X技术登顶,国产存储终崛起
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49. 国产DRAM破局
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50. 正面硬刚SK海力士!长鑫LPDDR5X-10667首秀,国产内存正式杀入高端旗舰战场
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51. 美韩芯片最高涨价50%!长鑫存储LPDDR5X出世,突破10667Mbps!
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52. 国产存储登顶10667Mbps!长鑫LPDDR5X追平国际顶尖水准
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53. 国产存储新突破!长鑫存储量产LPDDR5X,速率登顶10667Mbps性能比肩国际巨头
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55. 长鑫量产LPDDR5X,三星慌了?国产内存真能弯道超车?
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56. 长鑫存储LPDDR5X芯片量产,国产存储实现10667Mbps突破!!
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57. 国产内存 世界一流!长鑫首次秀出LPDDR5X-10667
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58. 国产全面崛起!长鑫存储全面展示DDR5和LPDDR5X新品组合
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59. 国产存储芯片厂商,终于迎来了最好机会
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60. 存储芯片涨价潮来袭,6家国产龙头逆势突围,国产替代正当时
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61. 存储芯片量价齐升!兆易创新们喝汤,这波热度藏硬逻辑
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62. 这不是某家企业的胜利,是我们整个民族在“科技博弈”里的翻身仗 #大咖观察 #红衣聊AI #英伟达 #国产芯片
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63. #如何看英伟达对华再推新芯片#英伟达近期针对中国市场推出新型特供芯片(如B30A),是其在复杂国际环境下的战略调整,来看看微博智搜的分析⬇️1)技术性能,持续降级下的妥协方案新芯片基于Blackwell架构,采用单芯片设计(非旗舰双芯片),原始算力约为旗舰B300的50%,但性能仍强于前代H20。其配备高带宽内存和NVLink技术,适用于AI推理任务,但放弃HBM内存和先进封装技术,参数大幅缩水。内存带宽被限制在1398GB/s(略低于美国1.4TB/s限制线),显存采用GDDR7替代HBM,成本降低但性能受限,设计上“卡尺级”贴合美国出口管制红线。2)市场策略,高价定位与份额保卫战新款B30A售价或达2-2.4万美元(约17万人民币),是H20芯片的两倍,但性能提升有限(宣称达H20的6倍)。华为昇腾910C单价仅20万元,性价比优势显著。英伟达在华份额从2022年的95%暴跌至50%,若不推出新品,将彻底丢失中国500亿美元数据中心市场。黄仁勋承认,美国制裁加速了国产替代,华为昇腾已在部分指标反超英伟达。3)政策博弈,中美角力下的生存之道抽成条款:英伟达需将中国销售额的15%上缴美国政府,换取出口许可。 安全指控:中国网信办约谈英伟达,要求解释H20芯片后门风险;美方被曝在服务器中植入位置追踪器,可远程锁机。特朗普曾表态允许对华销售“性能削弱30%-50%”的芯片,但国会两党议员反对放宽限制,新芯片能否获批仍存变数4)国产替代,不可逆的加速趋势华为昇腾910B通过多层堆叠实现集群算力提升,FP16算力达320 TFLOP/s(H20的2倍),成本低30%;阿里自研AI芯片兼容英伟达生态,降低迁移成本。国企项目要求国产化率超80%,政府劝阻采购含安全风险的进口芯片。5767 寒武纪、海光等本土企业获车企、云厂商订单,中芯国际/华虹扩产车规芯片。5)博弈中的双输困局对英伟达:特供芯片是市场自救,但性能阉割+高价策略难以挽回客户信任。若继续妥协,长期将丧失技术主导权;若退出中国,百亿美元营收缺口难补。对中国:短期仍需混合使用进口与国产芯片,但制裁倒逼产业升级。国产芯片在软件适配和集群能力上仍有差距,但迭代速度加快,3-5年内或实现中高端替代。美国以安全之名行技术封锁之实,却催生中国自主产业链;英伟达欲平衡商业与政治,反陷“性能越低→价格越高→客户流失”的死循环。这场博弈无赢家,唯有加速全球科技格局重构
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64. 中国科技企业在全球半导体舞台上,将发出越来越响亮的声音。 #大咖观察 #红衣聊AI #半导体 #芯片
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65. 知道这几年为什么没有国外半导体工厂火灾新闻了吗?因为中国存储芯片成了:长鑫存储和长江存储25年一季度的营收都超过10亿美元,市场份额大幅提升,今年都会超过10%。在美国人的施压下,中国存储产业链自主可控快速提升,目前产能急剧提升。长鑫今年年底的内存芯片产能将达到28万片晶圆/月,26年将超过30万片/月,达到15%的全球DRAM市场份。很可能会超过美光,居全球第三。韩国媒体曝长鑫存储今年产能激增68%,直逼美光,接近SK海力士一半,远超过外媒评估的提升20%。长鑫产品LPDDR5系列DDR5系列都已经规模供应了。长江存储的三个芯片工厂都已完工,总产能360万片/年,预计26年的闪存产量就能超过SK海力士,仅次于三星。长江存储的技术发展路径体现了中国半导体产业"后发先至"的特点。该公司跳过了平面NAND技术阶段,直接投入3D NAND技术的研发和产业化。通过自主创新的Xtacking架构,长江存储在存储密度、读写性能和可靠性方面实现了显著提升。制约中国半导体厂商的设备瓶颈已被突破,恐怖的半导体产能大潮要狂飙了。有技术、有市场,扩大产能从来都是中国公司的拿手好戏。就等着看日本和美国厂子亏损破产的到来了。
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66. 近期存储产品集体涨价,1TB SSD较去年贵近百元,内存条同步上涨。4月至9月存储芯片已涨两轮,闪迪、美光等国际巨头带头调价,美光9月12日起停报DDR4/5产品并取消优惠,后续或涨20%-30%,群联等也跟进暂停报价。涨价因供需失衡:头部厂商转产DDR5砍旧产能,致DDR4等老款缺货;AI催生高端存储需求,HBM、DDR5等供不应求。此背景下,澜起科技、兆易创新、佰维存储等国产存储厂商在相关领域实现突破。短期涨价是消费痛点,长期或成国产存储替代契机。
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67. 美国打响芯片 “围堵战”!强逼台积电涨价,国产芯片迎破局机遇
今日头条
68. #手机内存是金子做的吗#感觉今年的手机内存价格上涨厉害,不过去年就说过会涨,主要也是因为AI需求爆发致存储芯片产能向HBM倾斜,传统手机内存供应缩减,加上全球存储芯片进入涨价周期,DRAM价格同比涨幅超170%,像LPDDR5X等技术升级推高研发与生产成本,品牌定价策略差异也有影响,综上来看目前的内存价格确实偏高,当然国产存储设备也有新突破,如果量产的话应该能解决这个问题。
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69. 长鑫存储官宣,国产DDR5/LPDDR5X双产品,冲进全球第一梯队!
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70. 中国芯片行业未来怎么看?
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71. 美国限制下,中国芯片生产制程只能在14纳米水平上商业化生产。那么中国AI芯片怎么和美国竞赛?
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72. 全球超7800亿元规模,国外销售占7成,国产芯片设备如何在内卷中“替代”?
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73. 【从年亏5亿到半年净赚10亿!寒武纪上半年营收暴增4347%,扭亏为盈】寒武纪从2024年净亏损约5.3亿元,而2025年上半年净赚10.38亿,这背后是国产AI芯片的加速成长。8月26日,寒武纪发布半年报显示,上半年营业收入28.81亿元,同比增长4347.82%;归属于母公司所有者的净利润10.38亿元,上年同期净亏损5.3亿元,同比扭亏为盈。寒武纪表示,业绩大幅增长主要得益于人工智能算力需求持续增长,公司凭借人工智能芯片产品的核心优势,持续深化与大模型、互联网等前沿领域头部企业的技术合作。作为国产AI芯片的龙头,寒武纪业绩的爆发式增长,已经凸显了行业的微妙变化,国产AI芯片正在受到追捧 。特别是在英伟达H20深陷后门风波质疑的背景下,国产AI芯片爆发式增长已经凸显了国产自主替代的重要性,更何况现在的国产AI芯片性能相比英伟达H20等已经完全不落后。
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74. 历史性突破!首款全国产通用GPU发布,曦云C600正式发布!
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75. 华为、中芯国际主导中国AI芯片产能三倍扩张 自主制造挑战全球格局
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76. 中国芯片突破!全球首颗二维-硅基芯片成功研发,速度提升百万倍
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77. 长江存储领跑国产存储:产业链投资机遇全览
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78. 中国存储双雄出货量大增,预计第三季度跻身世界第一梯队
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79. 长鑫存储破局!DDR5速率8000Mbps碾压国际巨头
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80. 长鑫存储国产LPDDR5X芯片量产!性能提升66% 功耗降30%
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81. 国产存储硬核破局!长鑫存储 DDR5 登顶性能高地
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82. 重磅!长鑫存储发布DDR5产品系列,打破三星海力士等垄断
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83. 国产 LPDDR 模组崛起!国内核心厂商全梳理,覆盖手机、AI、汽车三大赛道
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84. 存储芯片价格暴涨之际,长鑫存储重磅发布DDR5!国产有了替代
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85. 长鑫科技IPO辅导收官,“存储芯片第一股”点燃产业链投资机遇
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86. 长江存储加速产能扩张新公司注册资本达207亿,其认缴出资104亿元
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96. 对标国际巨头,长鑫存储发布8000Mbps DDR5内存跻身高端市场
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98. 谈谈长江存储与长鑫存储的区别? #长江存储 #长鑫存储 #存储 #芯片 #知识分享 长江存储和长鑫存储谁才是存储行业龙头,其实在技术路线、市场表现等方面存在明显区别,二者的发展潜力也各有优势。以下是具体分析: 在技术路线方面长江存储专注于3D NAND领域,以Xtacking架构为核心,已量产294层3D NAND TLC芯片,存储密度和接口速度等性能指标表现出色,其混合键合技术还被三星引入用于420层NAND研发。 长鑫存储则聚焦DRAM领域,继承奇梦达Buried Wordline技术并自主改进,17nm DDR4产品良率达百分之八十,单位晶圆成本比韩国厂商低百分之十五至百分之二十,且已量产LPDDR5及DDR5产品,还在HBM技术上取得突破,2025年9月交付华为G4制程HBM3样品。 在市场表现方面长江存储2025年Q1全球NAND市占率达百分之八,消费级品牌“致态”在京东双11 SSD销量超越三星,企业级市场进入苹果供应链及东南亚数据中心。 长鑫存储2025年DRAM产量预计273万片,同比激增百分之六十八,全球市占率目标冲击百分之十至百分之十二,在成熟制程市场占比已超百分之三十。 在产业链布局方面长江存储与北方华创、中微公司、长电科技等众多企业建立合作,构建了较为完整的产业链生态,国家大基金一期、二期合计持股超百分之二十二。 而长鑫存储的设备供应商主要有北方华创、中微公司等,封测与模组方面与深科技、通富微电合作,国家大基金二期持股百分之九点八,兆易创新、阿里巴巴等战略入股。 在发展潜力方面长江存储,随着294层NAND量产及Xtacking 4.0技术升级,将推动单位存储成本下降百分之二十三,三期扩产计划将产能提至30万片/月,设备国产化率已达百分之四十五,未来有望规避外部制裁风险,在3D NAND领域的技术优势和产能扩张将使其在全球NAND市场的份额进一步提升,发展潜力巨大。 而长鑫存储的HBM3样品已交付华为,2026年量产有望抢占AI存储市场,17nm工艺风险试产及上海先进封装厂的投资将提升其产能和技术水平,在DRAM及HBM领域的国产替代空间广阔,随着AI算力需求的爆发,其业绩增长具有较高的可见性。屏幕前的你怎么看呢?评论区聊聊
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99. 长鑫长江谁更强?大白话扒透国产存储双雄的真本事
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100. 全球存储芯片迎“超级周期”,国产厂商加速替代 存储芯片涨价潮席卷全球,AI算力需求与供应链结构性失衡正推动行业步入新一轮高景气周期。 全球存储芯片市场自2025年下半年以来价格持续攀升,主要厂商三星、美光、SK海力士等多次上调产品报价,部分产品半年内累计涨幅超过200%。 这轮被业内称为“超级周期”的涨价潮,主要由AI算力需求爆发、原厂产能转向高端产品以及国产替代加速三大因素共同驱动。 01 价格涨势:从上游晶圆到终端产品 2025年9月以来,存储芯片市场迎来两轮密集涨价。三星将部分DRAM价格上调15%–30%,NAND闪存涨幅达5%–10%;美光部分芯片价格涨幅达20%–30%。 现货市场反应更为激烈。主流DRAM芯片现货均价已连续三周涨幅超过5%,DDR4内存在不到一个月内价格飙升近30%,半年累计涨幅超200%。 终端产品价格随之水涨船高。以智能手机为例,中高端机型因存储成本上涨普遍提价100-500元,部分机型不同内存版本的差价甚至达到3000-4000元。 02 涨价动因:AI需求爆发与供应链失衡 AI服务器对存储芯片的需求呈指数级增长。据分析,每台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍,NAND需求是3倍。 OpenAI的“星际之门”项目预计每月需要高达90万片DRAM晶圆,可能占全球DRAM总产量的40%,进一步加剧了供应紧张。 供应链出现结构性失衡。三星、SK海力士、美光等原厂将产能加速转向HBM和DDR5等高利润高端产品,导致消费级DDR4等传统存储产品供应锐减,与市场上稳定的消费需求形成错配。 03 国产替代:从跟跑到并跑的跨越 在全球存储芯片供应紧张的背景下,中国存储产业正加速国产化替代。长江存储在3D NAND领域实现技术突破,其Xtacking架构的位密度超越三星、SK海力士等国际大厂。 长鑫存储已实现DDR5产品量产,良率达80%,单位晶圆成本较韩国厂商低15%–20%,成为全球第四大DRAM厂商。 国内模组厂商江波龙第三季度净利润同比暴增1994.42%;佰维存储第三季度扭亏为盈,业绩大幅回升。 #存储芯片 #股票干货 #科技 #金融财经
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102. 长江存储,国内NAND 领域的独行者,美日韩主导下的国产突围孤勇者
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111. 堪比黄金!三星SK海力士DRAM价格暴涨30%
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124. 新突破!长鑫存储LPDDR5X发布,还将推出业内最薄封装! 近日,IEEE第十六届国际ASIC会议在昆明举办。长鑫存储副总裁李红文在闭幕会议上透露,公司已正式推出涵盖12GB - 32GB容量、速率8533Mbps - 10677Mbps的LPDDR5X系列产品,且正在研发厚度仅0.58mm的业内最薄LPDDR5X,若量产成功,将带来新突破。 在技术分享中,长鑫存储介绍了低功耗产品趋势及主流封装方式。POP封装能节省PCB空间、提升性能,此前官宣的LPDDR5芯片基于此封装。MCP封装集成同类或简单组合芯片,uMCP是其升级版,功能更复杂,但存在灵活性受限、测试周期长等问题。长鑫存储的uPoP封装可让国内手机厂商分开生产组装闪存和内存。 此外,长鑫存储正在开发的HiTPoP封装技术,遵循JEDEC标准,通过减薄技术有望改善DRAM高速IO性能瓶颈。封装创新已成为国产移动产业链破局关键,长鑫存储的创新技术与国产SoC厂商能力结合,推动高性能低功耗方案落地,加速国产化替代,重构全球移动生态竞争格局,缩小与头部大厂技术差距。#芯片封装 #半导体设备 #真空回流炉 #长鑫存储
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140. 爆料!中国芯片令人振奋的消息:长鑫存储已发布 LPDDR5X,国产高端手机加速自主化
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