长鑫第五代DRAM正式量产,半间距11.95纳米,单晶圆产出提升50%
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喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。
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