【卷王之王】致钛Ti Plus7100上手评测,还不错哦
前段时间评测了致钛Ti Plus5000
我就觉得国产固态做的还可以啊,后来致钛发布了Ti Plus7100,是一个PCIe4.0x4的固态硬盘,我没有赶首发评测,因为那段时间太忙了,但是最近我没那么忙了,于是上周日的时候对这块固态做了一个简单的测试,简单来说我对这块固态还是很满意的
我图便宜,在拼多多买了一个1TB的Ti Plus 7100,因为这块固态准备评测文章发出去之后就抽奖抽了,所以我就没在京东自营买了,这个价格买PCIe4.0x4的固态可以说性价比很高了
简单介绍
包装和Ti Plus5000差不多
还附送了散热马甲以及一些螺丝刀
所以后续的测试我就会用附送的这个散热马甲了,很多新主板自带的散热片比这个还要好,所以这里你们做一个参考
固态硬盘本体依旧是2280的规模
1TB款的背面没有闪存颗粒
拆开贴纸可以看到两个闪存颗粒,每个512GB,以及它的主控
上一代的Ti Plus5000做1TB用了四个闪存,这代由于堆叠层数几乎翻倍,所以两个闪存就能实现1TB了,预估2TB可能是单面4颗粒,你们可以很直接看到这两个闪存旁边有明显的空焊位置
首先来看一下这块固态的基础参数吧
值得一提的是,Ti Plus7100是一个无缓HMB方案的固态硬盘,这一点和Ti Plus5000一样(后续用T5K代指)
不过对比T5K,T71的的IO接口速度从1600MT/s提升到了2400MT/s,提升了50%。
并且T71使用晶栈®Xtacking® 3.0架构,也就是传说中的232层堆叠,速度提升50%,T5K是Xtaking 2.0架构,也就是128层
所以同样四通道的设计,T71可以实现7GB/S左右的速度
目前主流固态硬盘有两种设计,一种是自带DRAM缓存的,DRAM用来缓存数据和存放映射表
比如说SOLIDGM P44 Pro、三星990Pro、西数SN850之类的,这些高端固态都是以1000:1的比例自带LPDDR4内存当缓存,也就是1TB的固态大概是1GB的缓存,2TB就是2GB
第二种就是无缓存方案(DRAM-Less),这意味着缓存数据需要用到主控上的SRAM,映射表可以采用两级映射,一级映射和少量二级映射放SRAM,二级映射数据大多数是直接放在闪存上,在以前这种DRAM-Less的方案通常在入门级固态硬盘上使用,比如说金士顿A400。
但是后续DRAM-Less也逐渐被用到了中高端来了,但是此时都带HMB技术了,所以你们一定要把无缓固态和无缓但是HMB技术的固态区分开,前者更为垃圾
目前主流大厂的中端产品也出现了不少无缓但是带HMB方案的固态,比如说三星980、西数SN770、致钛Ti Plus5000,还有今天的主角——致钛Ti Plus 7100
带缓存设计的SSD优势在于性能可以做的更强(反面例子就是铠侠RC20,带缓存但是性能并不强大)
映射表可以完全放在DRAM上,查找和更新可以更迅速。如果要找缺点,那就是多了一个DRAM,相当于增加了成本以及功耗发热。有人认为它可以加速写入,实际上是不行的。
DRAM-Less的SSD设计则正好相 反,优势是成本和功耗可以相对更低,但是缺点是性能差。由于映射表绝大多数 存储在闪存中,对随机读来说,每次读用户数据,需要访问两次闪 存,第一次是获取映射表,然后才是真正读取用户数据
在后来HMB技术出现了,更多的SSD可以自己不带DRAM,完全用主机的 DRAM,也就是电脑的内存,用以缓存数据和映射表。
拿随机读来说,DRAM-Less访问映 射表的时间是读闪存的时间。带DRAM的SSD,其访问映射表的时间是 读DRAM的时间;而对HMB来说,其访问映射表的时间是访问主机 DRAM的时间,接近DRAM SSD,远远短于DRAM-Less SSD或者 eMMC、UFS。Marvell在2015年闪存峰会 上给了一张图参考
总的来说,目前主流大厂带DRAM设计的固态已经逐渐只给了高端,中端甚至中高端全部用HMB技术的无缓SSD了,对此争议不断,就和QLC一样,这也许是市场的选择,不过我倒是觉得能在不降低体验的情况下降低价格也算是好事了,毕竟现在固态硬盘价格下降还是很明显的,后续固态硬盘的价格可能还会继续下降
详细测试
测试平台如下:
CPU:i9 13900K
主板:华硕Z790 Hero
内存:芝奇DDR5 7200 C34 16GBx2幻峰戟
SSD:SN850 1TB+SX8200 Pro 2TB装在最下面两条,Ti Plus7100装在最靠近CPU那一个槽
显卡:RTX3090火神
测试环境温度为18度左右,12月下旬室内没空调就是这个温度了
空盘下进行CrystalDiskMark测试,1GiB/8GiB/16GiB/32GiB/64GiB都有
这个1GiB的表现非常猛,可以说是超越980Pro了
8GiB测试可以明显看到Q32T16的写入开始大幅下滑
Q32T16进一步下滑
Q32T16继续下降
Q1T1随机出现了显著下滑
对于HMB盘来说压力增大就萎了这个想象很普遍。
测试一下空盘下的SLC缓存
读写288GB,初步估计SLC缓存约为160GB左右,缓内写入可以稳5GB/s左右,缓外可以实现2GB/s左右的写入,值得一提的是堆叠层数的提高对于提高缓外写入很有用
读取方面前期可以坚持6GB/s左右,但是165GB左右开始就出现明显波动了。
来进行一下实际文件写入,直接写一个300GB的大文件
可以说前半程大概150GB以上都可以维持在2GB/s以上,高的时候我观察到3.2GB/s,后半段的速度几乎都维持在2GB/s的写入,这个速度表现可以说非常棒了
这里可能有人有疑惑,为什么跑分中写入明明可以5GB/s以上,但是实际文件写入最高也就3GB/s出头呢?
我研究了一下,发现是Windows复制粘贴程序限制了单个线程的最大速度,也就是说你买回去跑出这个速度是正常的,Windows下就只能是这个复制粘贴速度
我又对空盘进行了一次压力巨大的30分钟的连续4K随机写入,这是我测固态硬盘的特色菜了,用来测试固态硬盘在高压下的表现,结果如图
前半段的IOPS差不多是Ti Plus5000一倍了,就连缓外的IOPS表现都和Ti Plus5000缓内的差不多
这张图可以看出来Ti Plus7100的写入IOPS对比T5K大幅提升,不过写入稳定性并不算好,这是无缓HMB方案的通病了
在进行这个高强度压力测试下,我拍下了Ti Plus7100的温度
可以看到硬盘最高温度的地方仅为63.1度,这个温度对于一个PCIe4.0固态来说算低了,这个温度我说它上笔记本也很合适。当然我这里室温仅为18度左右,如果室温上升到26度左右,这块盘的温度也会有一定程度上升
半盘的简单测试
快餐测试
16GiB测试使得Q32T16的写入出现了明显的下滑
32GiB更是跌的很惨,64GiB我就不测了,因为已经出现明显下滑了
SLC缓存差不多100GB,缓内可以5GB/s,缓外出现明显下滑,变得只有700-800MB/s了
191GB实际大文件写入
SLC缓存约为64GB,缓外实际写入速度为700MB/s左右
可以说这块盘这一点和T5K是一样的,有一定容量的占用之后对比空盘性能下降幅度很大
不过这个速度对比T5K可以说是快了很多啊,要知道T5K在半盘下的缓外写入才240MB/s,这个已经翻了几倍了
最后是高占用下的测试,我把这块硬盘填到88%的占用,进行一些简单测试
除了1GiB这个快餐测试之外,压力大一点就虚的不行,不过出现这种现象可以理解,没有外置OP的新固态硬盘,还是HMB方案,高占用下很难有很好的表现
测试一下SLC大小,由于此时硬盘只剩114GB的空间,所以我就只进行了50GB的读写测试
看起来SLC缓存约为27GB,缓内和缓外都有明显的波动,这是高占用TLC固态的常事,缓外速度大概500-800MB/s
实际写入一个42.6GB的文件,全程接近3GB/s的速度,还挺快啊
总结一下
致钛Ti Plus7100我认为是一个非常优秀的产品,虽然它依旧是一个无缓HMB方案的盘,但是实际速度还是挺不错的,4K随机读写性能很不错,应付日常很多使用环境都是比较强悍的
在进行大文件读写的时候,缓外速度对比当初的Ti Plus5000有大幅提升,如果是作为仓库盘的话我认为它的优先级可以高于Ti Plus5000了,Ti Plus5000在它面前仅有便宜这一个可取之处
致钛Ti Plus7100这个表现可以说是一个无缓HMB方案的980Pro了,是目前HMB盘天花板级的存在,980Pro和990Pro的成绩我已经测好了过几天会发
这个表现比起它的竞争对手们——西数的SN770、三星980之辈可以说是遥遥领先,而且目前价格也并不贵,京东自营促销价649元1TB,1199的2TB
目前它这个促销价位,我暂时没有找到它的对手,比它便宜的没它快,比它强的没它便宜和温度低,所以暂时是一个没有敌手的状态
所以打分情况是:
★为1星,☆为半星,满星为5颗★
固态硬盘外观:★★★★★
顺序读写:★★★★★
4K随机性能:★★★★☆
抗压能力:★★★☆
用料程度:★★★★★
性价比:★★★★★
综合评分为★★★★☆
作者声明本文无利益相关,欢迎值友理性交流,和谐讨论~
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