站在2025看QLC SSD：用户从“被说服”走向“自主选”

前言：

对于SSD的闪存介质类型，当前用户面临的不再是MLC到TLC时代的强行转换与“不得不买”。不知不觉间，QLC SSD问世已有近十年时间。在近两年，QLC SSD正在从给用户多一种选择，逐步过渡到成为市场主流。

就像TLC取代MLC一样，QLC也在加速普及，虽然有些用户很不情愿，但这正是产业链在进行的事件。我们需要了解更多的闪存技术，以及接下来一段时间的SSD趋势。下图是今年以来新发布的QLC消费级客户端SSD，大都采用PCIe 4.0 x4接口，基本上都是四通道无DRAM缓存设计。

QLC的密度优势：

随着用户对QLC了解的深入，现在已经无需从头开始科普TLC和QLC的概念与原理。存储密度相比TLC提升三成，这就是QLC的底气。而存储密度提高，不仅意味着更大的SSD容量，同时也意味着更低的成本与更高的性价比。

截至目前，当前主流的TLC闪存，单die容量在1T比特，而QLC的单die容量已经可以达到2T比特。下图中位于指尖上的是铠侠/西数的2Tb BiCS8 QLC闪存die，通过16die封装，在单个闪存颗粒中就可以提供高达4TB的存储容量。除了铠侠/西数之外，长江存储和美光也都推出了单die容量2Tb的新一代3D QLC闪存。

当前3D TLC闪存的单die容量依然维持在1Tb水平。对应到SSD上，在其他条件相同的情况下，使用QLC闪存就能提供双倍于TLC闪存的存储空间。这也是为什么QLC SSD能轻松上到8TB、16TB甚至上百TB了，大容量有谁不爱呢？各大闪存原厂都在大力宣传QLC，不可能是因为它“低端”，而是业界都认为QLC是未来技术发展的一个方向，自己在前沿技术上有突破，所以才要展现出来。

QLC SSD同样可以总线饱和：

四通道设计是当前SSD的主流，在闪存通道数量有限的前提下，提升闪存接口速度就成为SSD提速的关键。

接口提速是闪存技术发展的大势所趋。铠侠在不久前宣布第九代BiCS闪存开始送样，虽然这次送样的是TLC类型，但是我们可以看到，只需在现有BiCS5的技术基础上，辅以CMOS与存储阵列分开加工，就能大幅提升SSD性能。无论是TLC还是QLC，都能从闪存接口提速中受益。

上图是铠侠BiCS5闪存的架构图，它原本属于CNA设计，相比CUA设计的BiCS6还要落后一代，但在应用CBA技术后，CMOS电路在单独晶圆上加工制造，不再受存储阵列部分高温工艺的掣肘，闪存接口速度提升到和BiCS8相同的3600MT/s。

当代QLC目前几乎拥有和TLC相同水平的接口速率，同样可以实现总线饱和，也就是大家平时所说的“满速读取”。

以江波龙今年新推出的XP1100和XP2350系列SSD为例，他们都使用了3D QLC闪存，分别实现PCIe 3.0和PCIe 4.0接口下的带宽饱和。对于以读取为主的消费级应用环境，其性价比优势会得到进一步凸显。

QLC SSD写入短板也有解：

过去大家普遍认为，QLC SSD无论如何进步，其写入性能短板都无法被忽视。SLC缓存虽然能最大化写入性能，但对于QLC模拟SLC写入来说，需要占用4倍的用户空间，并且缓存用尽后的性能劣化也非常严重。

上月问世的美光7100给QLC SSD带来了全新的多层缓存机制。AWT自适应写入技术发挥了闪存的灵活性，融合SLC缓存与TLC缓存，在兼顾QLC成本优势的同时实现更平缓的写入能力。

QLC寿命更无需担心：

得益于闪存技术与LDPC纠错算法的进步，近几年SSD的写入耐久度其实是不断增强的。优秀的3D QLC闪存，在擦写循环次数早已超越当初的2D TLC闪存。比如江波龙XP1100/2350使用的Floating Gate架构3D QLC闪存，就具备3000次擦写循环寿命，是2D TLC闪存的两倍以上。

关于Floating Gate浮栅架构，其实它是2D闪存时代的主流。进入3D闪存时代后，由于制造工艺方面的原因，绝大多数闪存制造商转向Charge Trap电荷陷阱架构。坚持使用Floating Gate浮栅架构的仅有英特尔。后来英特尔闪存业务出售给了SK海力士，也就是现在的Solidigm。Solidigm目前专注于企业级SSD市场，对于浮栅或是电荷陷阱架构并没有厚此薄彼，两种类型的闪存都有应用。

根据英特尔当年的资料，Floating Gate浮栅架构在断电数据保存时间上相比Charge Trap电荷陷阱架构拥有明显优势。

在断电保存时间方面，行业标准的规定是标称写入耐久度用完后，消费级SSD应当能够在30度环境下断电保存一年，而不发生数据丢失。

江波龙今年推出的XP1100和XP2350系列SSD则在行业标准的基础上加码提升要求，BOL做到43度环境温度下断电保存7年不出错，EOL 指标同样按 43 ℃ 环境下 1 年零失效设计。从此无需再说重要资料只能用HDD保存了。

这里的BOL和EOL分别代表寿命开始（Beginning Of Life）和寿命结束（End Of Life），也就是初始状态和标称寿命用完后的状态。根据JESD218规范，消费级SSD应当满足在EOL状态下于30度环境断电保存1年数据。而断电保存时的温度越高，闪存出错率也越大，江波龙的EOL 1Y@43C，是在43度条件下断电保存1年不出错，相比JEDEC规范的难度增加了很多。这从侧面显示了Floating Gate浮栅架构闪存的优势。

用户不会被强迫做选择：

从行业趋势来看，头部存储厂商都在积极布局QLC SSD，特别是行业类产品。TLC短期内不会消亡，并且由于容量提升幅度的原因，PLC闪存也不会很快进入实用阶段。在可以预见的未来，TLC SSD将同QLC SSD长期并存，并且QLC SSD的发展速度可能会更快。

以江波龙为例，除了已经在Computex 2025上亮相的XP1100和XP2350之外，明年还将推出采用3D QLC闪存（Floating Gate架构）的PCIe 5.0 SSD，为品牌机提供容量更大、速度更快的SSD，提升PC整机的使用体验。此外，江波龙还计划在未来推出企业级QLC SSD，给服务器、工作站提供更多选择。而他们在多处宣传中提到的PTM模式，本质上是全栈式定制化服务，结合了自研固件，自有封测厂（元成苏州，原力成苏州），可为行业客户提供多种软硬件定制方案，未来SSD还可定制数据恢复工具。随着SSD产品越来越同质化，这种模式也许会被更多的厂商借鉴。

除了OEM型号，QLC SSD也正在覆盖至零售品牌。但我们可以放心，无论是SSD制造商还是媒体，都会确保用户意愿的核心地位，无论是SLC、TLC，还是QLC，用户都能根据自身需求精准选择。而关键就在于透明的闪存介质标注和完善的产品评测，才能给用户提供有价值的参考信息，方便用户去做出适合自己的决策。