DRAM+内存将商业化：采用FeRAM技术，提供DRAM性能和类似SSD的存储功能

Ferroelectric Memory Co. (FMC) 和Neumonda宣布达成战略合作，建立合资企业，联手在德国德累斯顿建造DRAM生产线，将“DRAM+”内存商业化。这是自2009年英飞凌和奇梦达在德国的DRAM工厂关闭后，欧洲地区首次重启存储芯片的生产。

据TomsHardware报道，双方新的合资企业将专注于DRAM+内存，采用FeRAM技术，这是一种将DRAM速度与非易失性数据存储相结合的架构。其采用了铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，代替了传统材料，在提供高性能、保持纳秒级访问时间的同时，可以在没有电力的情况下进行持久存储。

过去的FeRAM内存不能很好地缩小工艺节点，与标准CMOS工艺集成是非常困难的，且成本很高。过去使用锆钛酸铅（PZT）的FeRAM内存具有很大局限性，新方法解决了以往无法扩展到兆字节以上容量的限制，从最多4/8MB提升至Gb-GB级别。现在DRAM+内存能与现有的半导体制造工艺集成，从而实现更高的密度和性能，更接近于常见的DRAM。

FMC与Neumonda已经展示了原型设计，希望共同推进一种新的存储产品，为欧洲半导体产能的更广泛复苏奠定基础，并为高级存储器设计和测试重建一个本地的生态系统。

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