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张大妈

HW推进GAA工艺研发：攻克寄生电容与新型材料

源自新浪微博：超能数码君老周

04-24 21:05

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聊聊HW在芯片端的进展，可以确定的是HW正研发GAA半导体工艺，为后续先进芯片技术打基础。了解半导体芯片的应该都知道传统的FinFET工艺越缩小，那么它的漏电、延迟等问题越难解决，而新一代的GAA全包围栅设计能更好控制静电，这也是芯片继续微型化的关键方向。目前，HW也在投入资源重点攻克芯片缩放后寄生电容过大的问题，新型材料工艺，新型栅极专利都有突破，既能降电容又可以提升工艺，这么说HW的一只大脚已经在业界的最前沿，大家要知道台积电3nm还用FinFET，最新的2nm才换GAA且已在2025年底量产，保证了性能功耗密度的提升。HW毕竟没有顶级EUV右脚的加持，所以目前更多是补左脚，距离业界最先进的3/2nm芯片，还有物理客观距离。新的一年，我们有相信海思芯片也会拿出新的成果，交付更强的答卷！

超能数码君老周 2026-01-26

来自新浪微博
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