内存墙有救了！前英特尔CEO押注的内存：不用EUV

快科技10月28日消息，佐治亚理工学院出身的初创公司Nagare Labs推出Z2RAM内存架构，号称把SRAM的速度、DRAM的密度和NAND的可制造性集于一身，直指AI芯片的内存墙。

公司刚从隐身模式现身，拿到Playground Global领投的500万美元（快科技注：约3344.7万元人民币）种子轮，为它站台的是前英特尔CEO帕特·基辛格。

内存墙是什么，AI芯片的算力每年涨70%，内存带宽每年只涨20%，这个差距就是内存墙。

芯片厂商被迫在片上SRAM和片外DRAM/HBM之间二选一，SRAM带宽高但密度低，DRAM和HBM容量大但延迟高。

Z2RAM的解法是不要电容，DRAM靠一个晶体管加一个无源电容存电荷，读取时电容被放空，必须读后回写，Z2RAM用两个晶体管构成存储单元，借助第二个晶体管的栅极电容存电荷，读取不破坏数据，天然省掉了回写环节。

联合创始人苏曼·达塔解释，这种全晶体管架构让Z2RAM速度上可与SRAM媲美，功能上更像DRAM。

密度指标最为激进，初代Z2RAM瞄准SRAM的5倍以上位密度。据Nagare官网披露，其规划中的Z1代含6层存储，密度达2nm高密度SRAM的5倍，路线图一路铺到Z7代的106层、90倍密度。

达塔本人对现状毫不讳言："我们只有实验室原型。"

500万美元在半导体行业只够支撑实验室阶段的工作，公司正在寻找研发代工伙伴，把工艺从大学洁净室推向晶圆厂，目标是4年内拿出可用的内存tile样品，10年内实现量产出货。

对基辛格而言，这笔投资符合他一贯的口味，他加入Playground时对路透社说过，自己只找"比现有技术水平好至少10倍"的技术。

Z2RAM若真能做到SRAM的5倍密度，恰好踩在这条线上，但若可靠性、代工伙伴和接口标准任何一环掉链子，它也会像过去三十年里无数新兴内存一样，停留在论文与原型之间。

编辑：知微

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