外媒：中国EUV光刻机落地在即！

自“芯战”拉开帷幕后，光刻机就成了业界关注的焦点。原因很简单，这项核心制造设备是大陆芯片产业最薄弱的环节，美国也意识到了这个问题，所以频繁施压荷兰，限制ASML对中企提供EUV等中高端光刻机产品，企图借助垄断优势打乱我们芯片产业的自主化步伐。

要知道，EUV光刻机被誉为人类科技的巅峰，它涵盖了超10万个精密配件，且分别来自全球5000多家供应商，技术门槛很高。正因如此，外界一直不看好我们能够研发出属于自己的EUV设备，就连ASML也曾泼来冷水，叫嚣着即便把EUV图纸送给我们，中国也造不出来。

但正如王传福所说：芯片是人造的，而非神造的！尖端工业设备也同样如此，盾构机就是例子，既然国外能够研发，那么中国科学家也一定不遑多让。

让人感到振奋的是，经过长达7年的沉淀，中企接连公布了EUV三大技术路线，此消息一出，美西方彻底傻眼了，不少外媒更是纷纷表示：中国EUV光刻机落地在即，这场“芯战”要结束了。

首先，来自上海微电子的LPP光源专利。它通过优化锡靶轰击技术，使得光源收集率在原有基础上大幅提升了15%。相比ASML的传统方案，我们的LPP光源技术可降低30%的镜面污染率！

ASML工程师们耗费了15年才取得的突破，中企只用其一半的时间就做到了，而且方案更完善、更出色。尽管这不属于EUV的整机突破，可其重大意义却不容忽视，该技术不仅能够提高设备维护效率，关键是还能够减少成本，这将为未来国产EUV的长远发展“保驾护航”。

其次，哈工大公布的DPP技术路线，它采用创新的放电等离子技术，制备出了13.5nm光源，这一举颠覆了EUV的传统路径。相比ASML采用的激光等离子技术，哈工大的此次突破，在光源能量转化率、体积和造价等多方面都具明显优势。

另外，则是由上海光源推出的FEL路线。它在同步加速器技术基础上实现重大创新，所推出的小型化自由电激光装置，可稳定输出13.5nm波长、250W的极紫外光束，其各项主要技术指标达到工业应用标准，这为国内在半导体光刻等高端制造领域提供了新型光源解决方案。

值得一提的是，国内不仅在EUV光源系统上拥有了深厚的积累，在其他核心技术方面也同样取得了实质性的突破。例如哈工大的长脉冲激光器、华为的反射式物镜专利，还有中科院推出的双工件台系统等等。可以说，国产EUV光刻机的研发工作已经走完了前面的99步，只差临门一脚。

伴随着国内在EUV领域的持续推进，现如今美西方已经开始坐不住了，例如荷兰ASML，顶着美方的压力，开始隐瞒在大陆的销售数据，同时还提议在大陆市场设立光刻机维修中心，试图通过为中企客户提供售后服务来稳固自身的行业地位。而美半导体专家则对我们的DPP技术路线给予了高度评价，认为这将催生EUV2.0时代、重塑全球半导体产业格局！

事实证明，只有自身强大，才能换来真正的尊重。无论ASML或者高通、英伟达等美国芯片供应商，如今都收起了曾经对我们高高在上的“设施”姿态，反而是一再强调中国市场的重要性，纷纷想办法求合作。

他们非常清楚，一旦中国EUV光刻机迎来规模量产，那么美西方以尖端设备为支点构筑的芯片霸权壁垒，或将就此灰飞烟灭，当下只有重启合作、提前布局，才能避免有朝一日被排除在中国市场之外。

当然，无论外部环境因素如何改变，我们都不能掉以轻心，过去早已多次证明，美帝主义亡我之心始终未死，因此，我们仍需不断加大研发投入与创新，力争站在“技术制高点”，如此，方能无惧任何对手。