性能提升10%、能耗降15%：SAMSUNG 三星 量产第二代10纳米工艺DRAM颗粒

近日，SAMSUNG（三星）官方宣布成功研发出全球最小DRAM颗粒——第二代10纳米工艺DRAM颗粒，性能提升10%，功耗降低15%，相比市场同类产品提升30%能耗，比4年前的20nm产品能耗表现提升足足一倍。据了解，三星将很快投入量产，容量为8GB，预计将2018年Q2季度陆续发货。

官方表示，第二代10纳米工艺DRAM颗粒比第一代10纳米工艺性能提升10%，据悉最高为3600MHz，内存容量8GB，还采用更先进的电路设计技术，能耗降低约15%。三星表示，与2012年使用20纳米工艺生产的4GB DDR3芯片相比，新的8GB DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

另外，三星计划提升第二代10纳米工艺DRAM产品30%产能，在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。值得一提的是，目前三星正与周边厂商密切合作，已完成了第二代10纳米DDR4内存测试验证，将于下一代平台上正式问世。