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三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求

2019-10-07 13:53:31 13点赞 17收藏 32评论

本文经超能网授权转载,原标题《三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求》,作者:倪嘉声,未经允许请勿转载。

北京时间今天上午,三星电子宣布他们成功研发了新的12层3D-TSV芯片封装工艺,这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺,而此前最大仅为8层。

三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求

目前比较多见的,运用到3D-TSV封装技术的产品就是HBM显存。TSV技术全称硅穿孔(Through-silicon via),这种技术是在芯片内部通过打孔填充金属导电材料的方式来实现多层芯片间的互联,与传统的PoP(Package on Package)方式相比,它具有更快的速度和更高的密度。因此,它对于采用3D堆叠的芯片意义非凡。

而三星在3D-TSV技术领域中一直是处于领先地位的,新的12层DRAM封装技术需要在整个封装中开超过60000个TSV孔,每个孔的厚度不超过一根头发的二十分之一。


三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求

采用新的12层3D-TSV封装的芯片厚度仍然与现在的8层HBM2产品相同,为720μm。保持相同的厚度使得客户无需对现有的设计进行修改即可用上新的12层封装产品,这意味着直接可以使用更大容量的产品。

三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求

三星电子TSP(测试与系统封装)部门的执行副总裁Hong-Joo Baek表示:而三星将凭借着这项业界顶尖的封装技术来满足市场对于大容量HBM的需求——它正在快速增长。并借此巩固三星在高端半导体市场中的领先地位。

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