读取14500MB/s，PCIe 5.0 SSD大成之作 英睿达 T705硬核测评

大家好，我是黄昏百分百，今天为大家带来的是一款原厂、旗舰级PCIe 5.0 SSD 英睿达Crucial T705的硬核性能测试。

为了对得起如此高端的SSD固态硬盘，本次测评将分别在intel Z790主板与AMD X670主板上进行，以便让我们测试一下，intel平台与AMD平台在使用PCIe 5.0 SSD时有多少性能差距。

那么废话不再多说，我们开车吧。

英睿达Crucial T705 SSD外观与参数

▲本次我拿到的是英睿达T705 白色限量版，与普通版本的区别是其预装了一块Premium级别的被动式散热器。

▲SSD的两面均被散热器包裹，这款散热器采用铝+镀镍铜材质，其上拥有多条通风散热镂空，经后文实测，即使是被动散热，其也能够保证英睿达Crucial T705可以低温、稳定运行。

▲英睿达Crucial T705搭载了群联PS5026-E26 Max14um主控+美光自家的232L 3D TLC NAND颗粒，英睿达Crucial 作为美光自有品牌，在颗粒来源与品控上都无需担心。

▲英睿达Crucial T705共有1TB、2TB、4TB三个容量可供选择，分别拥有1GB、2GB、4GB的独立缓存，其中2TB版本官标顺序读取速度为14500MB/s，顺序写入速度为 12700 MB/s，4K随机读取 1550000 IPOS，4K随机写入1800000 IOPS。

▲使用CrystalDiskInfo软件进行查询，英睿达Crucial T705 的工作协议为PCIe 5.0×4，支持NVMe 2.0标准、S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache等功能。

英睿达Crucial T705 SSD硬核测试

众所周知，intel的全系CPU均只支持到256bytes的传输负载，PCIe 4.0 SSD的理论传输速度上限为7150MB/s，PCIe 5.0 SSD的理论传输速度上限为14300MB/s，是无法跑满英睿达Crucial T705 2TB版本14500 MB/s的官标读取速度的，这也是我会引入AMD平台进行测试的核心原因之一，当然，更重要的一点，是我想测试一下PCIe 5.0 SSD固态硬盘在两大平台上的包括随机性能等的实际表现差异。

intel 测试平台简介

▲微星 MPG Z790 EDGE TI MAX WIFI 刀锋钛主板的下半部分几乎通体被厚重的散热装甲覆盖，取下所有的散热装甲后可以看到，主板共有5个M.2 SSD插槽，其中M.2_1 最大支持22110尺寸的SSD大船并支持PCIe 5.0规格，其余四个插槽均最大支持2280尺寸的SSD且为PCIe 4.0规格。

▲因此，我们自然是将英睿达Crucial T705放在主板最靠近CPU的固态硬盘位上进行测试，本插槽使用了CPU直连的PCIe 通道，另外，本次测试CPU为intel 酷睿i9-14900K。

AMD 测试平台简介

AMD测试平台方面，使用的则是七彩虹的CVN B650 GAMING FROZEN巡洋舰主板+AMD Ryzen 7 7700 CPU，主板与CPU均支持PCIe 5.0。

七彩虹CVN B650 GAMING FROZEN巡洋舰主板共有3个M.2 SSD硬盘插槽，除了最下方的一个为PCIe 4.0协议之外，另外两个均为PCIe 5.0协议。

因此，本次依旧使用最靠近最上方的CPU直连M.2 槽位进行测试，另外，这个槽位还最大支持22110尺寸的SSD大船。

CrystalDiskMark 测试

首先我们进行CrystalDiskMark测试，这个软件在常用软件中跑分最高，所以官方宣传也基本会用这个CrystalDiskMark的数据。

▲在intel平台，英睿达Crucial T705顺序读取14104 MB/s，顺序写入11947MB/s，4K随机读取（Q1T1）97MB/s，4K随机写入（Q1T1）390MB/s。

▲而在AMD平台，英睿达Crucial T705顺序读取14520 MB/s，顺序写入12592 MB/s，4K随机读取（Q1T1）75MB/s，4K随机写入（Q1T1）267MB/s。

在AMD平台上，英睿达Crucial T705实测跑出了12500MB/s+的官标顺序读取速度，顺序写入速度的达成率也非常之高（官标12700MB/s），因此我们可以说，英睿达Crucial 作为镁光旗下自有品牌，宣传参数上还是十分靠谱的。

另外，我们也可以看到，intel平台的4K随机读写，要比AMD平台表现更好，当然，这也有可能是CPU等级差距过大导致的。

AS SSD Benchmark

紧接着同样是一款SSD测试的常用软件，不同软件间测试算法有所不同，所以速率有差别属正常现象，请悉知。

▲在intel平台，英睿达Crucial T705顺序读取9879 MB/s，顺序写入8072MB/s，4K随机读取（Q1T1）90MB/s，4K随机写入（Q1T1）384MB/s，总得分13898分，其中读取得分4767分，写入得分6792分。

▲而在AMD平台，英睿达Crucial T705顺序读取10190 MB/s，顺序写入9102MB/s，4K随机读取（Q1T1）71MB/s，4K随机写入（Q1T1）223MB/s，总得分13064分，其中读取得分4446分，写入得分6413分。

在AMD平台的顺序读取与顺序写入均高于intel平台时，总得分依旧是intel平台更高，可见4K随机性能在AS SSD软件评分中权重很大。

TxBENCH 基准测试

紧接着我们进行TxBENCH测试，这是一个功能十分完善的软件，不仅可以进行基准测试，还可以做全盘写入、读取，甚至RAW格式全盘写入等功能，晚一点我们会用这款软件进行RAW格式全盘写入，以探究英睿达Crucial T705的SLC缓存方案。

这里，我们先来进行基准测试。

▲在intel平台，英睿达Crucial T705顺序读取12969 MB/s，顺序写入12063MB/s，4K随机读取（Q1T1）95MB/s，4K随机写入（Q1T1）309MB/s。

▲在AMD平台，英睿达Crucial T705顺序读取13119MB/s，顺序写入12947MB/s，4K随机读取（Q1T1）76MB/s，4K随机写入（Q1T1）227MB/s。

TxBENCH RAW格式全盘写入

▲我们先来看一看SLC缓存的大小，在测试开始后，英睿达Crucial T705 2TB版本的持续写入速度一直稳定在11000MB/s左右直至第20秒，此时写入容量为209GB，这便是其SLC Cache的容量，紧接着会进入TLC直写阶段，速度约为4000MB/s。

写入容量大概达到总容量的一半时（892GB），进入垃圾回收阶段，在此过程中，前半程由于主控释放SLC Cache的Write Back操作非常积极，使得部分写入数据落入了空白块中，写入速度有短暂回升到TLC直写速度的波动，最后随着空白块耗尽，终于进入了稳定的Write Back+R-E-W低速区间，速度在800MB/s左右。

英睿达Crucial T705 2TB版本的SLC策略还是比较保守的，只有11%左右的空间被划到了SLC Cache，不过，本SSD TLC直写阶段依旧能够有4000MB/s左右的速度，所以并不会因为SLC Cache划分较小而影响实际使用体验，毕竟平时单次持续写入200GB以上数据的场景都很少见。

3DMark Storage Benchmark

▲关于3DMark Storage Benchmark的得分，我两个平台放在一起说吧，首先在intel i9-14900K +Z790平台上， 英睿达Crucial T705 2TB版本得分高达5938分，而在AMD Ryzen7 7700 + X670平台上，英睿达Crucial T705 2TB版本得分仅为3211分，经过多次复测成绩差距依旧如此之大。我们可以推断，3DMark Storage Benchmark还是很吃CPU性能的，未来比较SSD固态硬盘时，我们必须将测试平台作为变量进行控制。

英睿达Crucial T705 SSD发热测试

▲因为英睿达Crucial T705限量版预装了厚实的被动散热器，热成像仪就没有用武之地了，所以这里我们使用CrystalDiskInfo来查询SSD的温度，左图为英睿达Crucial T705的待机温度，右侧为跑完一整轮CrystalDiskMark时的温度，温度仅从50°C上升到54°C。

因此，我们可以确认，群联PS5026-E26 Max14um主控+美光232L 3D TLC NAND颗粒的发热控制十分优秀，即使是被动式的散热器也可以满足其散热需求。

3DMark Storage Benchmark

▲关于3DMark Storage Benchmark的得分，我两个平台放在一起说吧，首先在intel i9-14900K +Z790平台上， 英睿达Crucial T705 2TB版本得分高达5938分，而在AMD Ryzen7 7700 + X670平台上，英睿达Crucial T705 2TB版本得分仅为3211分，经过多次复测成绩差距依旧如此之大。我们可以推断，3DMark Storage Benchmark还是很吃CPU性能的，未来比较SSD固态硬盘时，我们必须将测试平台作为变量进行控制。

英睿达Crucial T705 SSD发热测试

▲因为英睿达Crucial T705限量版预装了厚实的被动散热器，热成像仪就没有用武之地了，所以这里我们使用CrystalDiskInfo来查询SSD的温度，左图为英睿达Crucial T705的待机温度，右侧为跑完一整轮CrystalDiskMark时的温度，温度仅从50°C上升到54°C。

因此，我们可以确认，群联PS5026-E26 Max14um主控+美光232L 3D TLC NAND颗粒的发热控制十分优秀，即使是被动式的散热器也可以满足其散热需求。

新游戏技术与PCIe 5.0 的关系

文章最后我们再来说说，PCIe 4.0的SSD已经很快了，我们为何还要升级到PCIe 5.0的SSD。

新的、与SSD固态硬盘有关的技术主要有三个，分别是NVIDIA RTX IO技术、Microsoft DirectStorage与Resizable BAR 技术。这里我们通过NVIDIA RTX IO技术来了解一下传统的游戏加载方案与未来游戏加载方案的区别。

▲当前主流的游戏数据传输模式为：

电脑先将硬盘中的数据传输至内存中，CPU再对内存中的数据进行解压缩，然后再将数据传输到显存中。然而现在NVMe固态硬盘的传输速率已经非常高了，解压缩7GB/s数据就需要24核心的CPU，目前家用电脑平台并没有那么多核心数的CPU。以之前的技术而言，CPU的核心数成为了数据传输的瓶颈。

▲而新应用的NVIDIA RTX IO技术，可以使数据从硬盘中被读取之后，直接走PCIe通道，经过GPU进入显存，通过GPU（CUDA）进行数据的解压，这样，就无需担心CPU与系统内存的性能了，也可以轻松跑满SSD与显卡的带宽。Microsoft DirectStorage与之相似，这里我就不再二次介绍了。

▲这个是NVIDIA官方给出的使用各款RTX 显卡时，使用PCIe 5.0 SSD，在开启关闭RTX IO技术下，游戏的加载时间与游戏占用硬盘体积的对比。其中，RTX IO技术最高可以将游戏加载速度提升到原来的5倍，并将游戏占用体积压缩的比原体积少44%。

▲目前，NVIDIA RTX IO技术已经从PPT走向现实，前几个月推出的《瑞奇与叮当：时空跳转》以及《传送门：序曲 (Portal: Prelude)》RTX 版均以实装了这项技术，这两款游戏我都有，晚一些我争取连上采集卡，测试一下RTX IO技术在这两款游戏中，对读取速度的提升。

另外，相信在英伟达的力推下，RTX IO技术也会像DLSS技术，光线追踪技术那样迅速的普及开来，从这个角度来说，提前布局一下PCIe 5.0的固态硬盘，也是十分不错的选择。

▲另外一项技术则是已经实装很久的Resizable BAR 技术。前文已经说过，在传统的游戏加载模式下，游戏的数据是从CPU解压缩后再传输到显存中的，而CPU单次向显存传输数据的大小被限制为了256MB，数据量超过这个体积就需要多次传输，电脑的内存则成为了剩余数据的缓冲区。由于游戏越做越大，庞大的数据使得CPU与显存的数据交换次数也越来越多，不仅使得整体运算效率低，还给了内存非常大的存储压力。而Resizable BAR 技术让则可以使数据以整体方式进行传输，PCIe4.0、PCIe 5.0的大带宽也让电脑可以同时进行传输多个数据请求。

▲根据NIVIDIA的官方数据，RTX 3080显卡使用Resizable BAR 技术就可以使某些游戏有着10%的帧数提升，这要比显卡核心超频什么的来的更加立竿见影，而在RTX 40系显卡与PCIe 5.0 固态硬盘的加持下，这个帧率的提升只会更高。

▲在两年半之前，就有如此多的3A大作支持Resizable BAR 技术，而后续的新作中，Resizable BAR 技术更基本上是标配。

所以，从NVIDIA RTX IO与Resizable BAR 两项技术的发展，可以看出，加快数据的传输速度，是显卡厂商、游戏厂商的工作重点，大家搭配一套支持PCIe 5.0 SSD固态硬盘的游戏平台，可以更好的享受这两款技术带来的游戏体验提升。

总结

英睿达Crucial T705高达14500MB/s的超高顺序读取速度可以说是跑满了PCIe 5.0x4的理论带宽，4K读写表现也非常好，且运行稳定发热低，主控、颗粒也均来自大厂，个人觉得，它完全可以视作PCIe 5.0 SSD的大成之作之一了。

在测试中，我们发现AMD平台在顺序读写中依旧要比intel好很多，而intel平台则在4K随机读写方面有着更好的表现，与PCIe 4.0时代保持一致。

好了，以上就是本次测试的全部内容，希望对你有所帮助，我是黄昏百分百，我们下次见。