三星官方聊下一代 DDR6 内存、GDDR6+、GDDR7以及 HBM3 显存开发进展

在近日的三星技术日大会上，三星聊了接下来的超高频DDR6内存、GDDR6+、GDDR7以及HB3显存的开发情况。毋庸置疑，三星的一举一动都会影响着整个内存、显存发展趋势，所以我们赶紧来看看。

虽然目前市场上已经出现了像6400MHz高频的DR5内存，但这只是开始，他们表示目前三星已经做出来8400MHz的DDR5颗粒和内存了，具体上市时间还不清楚，猜测明年就应该能看到。

除了DDR5，三星还聊了下一代 DDR6 内存标准，据说频率是 DDR5 的两倍，按照 JEDEC联盟制定的DDR5起始频率，预计新的 DDR6 标准最低也可以达到9600MHz。但三星表示，自家的 DDR6 的默认主频就可以达到12800MHz，超频后甚至可以达到17000MHz。另外，据称内存通道数比 DDR5 增加了两倍，达到四通道，这样的话 DDR6 内存会大幅提升平台性能。

另外，三星还提到了针对超薄本、平板等的低功耗LPDDR6内存。虽然三星的 LPDDR5 最快还需等到明年才能看到，但 LPDDR6 已经处于早期开发阶段，同样最高可以飚到 17000MHz/s 。

除了内存，三星还聊了接下来的GDDR6+、GDRR7和HBM3显存。三星表示，GDDR6+ 采用 1z nm工艺，等效频率会从现有GDRR6的18000MHz/s 提升至 24000 MHz/s。在往后，GDRR6+将被 GDDR7 标准将取代，等效频率来到32000MHz/s。值得一提的是，在 GDDR7 中，还将增加一个叫“实时错误保护功能”的新功能，目前尚不清楚细节。据推测，应该类似于服务器专用内存的 ECC ，还有待确认。

最后，三星还调了已经被抛弃的 HBM3 显存。他们表示，三星将在 2022 年第二季度量产新的HBM3，总带宽为 800 GB/s，不过并不针对普通消费级平台，而是针对人工智能应用等平台，三星正在与合作伙伴进行测试等工作，明年Q2-Q3应该就会看到了。