中国内存产业大突破：长鑫存储推出 DDR5 内存，直追三星海力士

在全球 DRAM 市场因 AI 需求暴涨而出现结构性紧缺的背景下，长鑫存储科技在中国国际半导体博览会上正式发布旗下首款 DDR5 与 LPDDR5X 内存产品，标志着国产 DRAM 技术全面迈入高速代际，向三星、SK 海力士、美光等国际巨头发起正面竞争。

本次亮相的 DDR5 芯片提供 16Gb 与 24Gb 两种容量，最高速率达到 8000MT/s，超越当前服务器与消费级 PC 普遍采用的 6400MT/s 水平。围绕这一代芯片，长鑫存储同步推出包括 UDIMM、SODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM、CUDIMM、CSODIMM 在内的七大 DDR5 模组，面向服务器、工作站、笔记本电脑以及高端超频 PC 市场。CUDIMM 与 CSODIMM 采用 JEDEC 2024 标准的时间驱动设计，并整合 CKD 芯片，以保证在高频下仍具备稳定的信号完整性。

展会现场还能看到这批 DDR5 芯片已被内存模块厂商 ASGARD 采用，相关游戏内存套件支持更高幅度的超频，为国产 DDR5 在消费级市场打开了新的窗口。

在移动端与轻薄笔记本方向，长鑫存储带来了最高 10667MT/s 的 LPDDR5X 芯片，提供 12Gb 与 16Gb 颗粒，并支持 12GB、16GB、24GB、32GB 多种封装容量，适用于新一代嵌入式设备与 AI 终端。自去年 10 月起，该系列产品已经开始样品测试，并计划率先应用于将面向中国市场推出的旗舰级系统。

长鑫存储表示，通过 DDR 与 LPDDR 双线推进，公司将进一步扩大全球 DRAM 的有效供给，缓解高端内存依赖进口的现状，同时为国内产业链带来更具竞争力的选项。