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写入速度是UFS 3.0的2~3倍:铠侠宣布出样UFS 3.1闪存,最大容量可达1TB

2020-02-26 14:41:30 3点赞 6收藏 12评论

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本文经快科技授权发布,原标题:《铠侠宣布出样UFS 3.1闪存:最大1TB、写速是UFS 3.0两到三倍》,作者:万南,未经允许请勿转载。

昨日,iQOO 3 5G首发UFS 3.1闪存,调试信息显示芯片颗粒来自三星。

事实上,上周西部数据也推出了符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存,品名iNAND MC EU521 ,引入第六代SmartSLC缓存技术,写速最高可达800MB/s,且号称容量满载时也不掉速。

本周,铠侠(KIOXIA,原东芝存储)宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。

新闪存基于东芝BiCS 3D存储技术打造,设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB,比西数EU521丰富,主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内。

关于性能,铠侠未给出具体数据,但表示写速是UFS 3.0的2~3倍,连续读速比UFS 3.0提升30%,引入HPB改善随机读取性能,睡眠模式下功耗更低,温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。

铠侠指出,东芝是最早在2013年推出UFS的厂商,去年也是第一波提供UFS 3.0产品的企业。

写入速度是UFS 3.0的2~3倍:铠侠宣布出样UFS 3.1闪存,最大容量可达1TB

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