三星凭借全新4F单元结构突破10nm DRAM壁垒，密度提升50%

据报道，三星已生产出全球首款采用低于10nm制程技术的"独立式"DRAM模块。长期以来，DRAM行业一直依赖10nm制程技术来生产集成电路。10nm DRAM技术涵盖了1x、1y、1z、1a、1b、1c和1d等节点。如今，三星正在研发一种全新的DRAM 10a制程技术，该技术将突破官方"10nm"制程极限。

据分析，采用10a工艺后，制程技术将缩小至9.5-9.7nm，使其成为业内首个亚10nm制程技术。实现这一新技术的关键变革在于"4F平方单元结构"和VCT（垂直沟道晶体管）工艺。

截至目前，三星预计今年完成10a DRAM的开发，并计划于2028年实现量产。这一新结构将首先由10a采用，并在10b和10c世代中进一步优化。10d DRAM将转向3D DRAM技术，预计于2029-2030年发布。

目前，DRAM产品采用6F结构，形成一个3F×2F的矩形块。采用4F结构后，则得到一个更接近正方形的结构（2F×2F）。仅通过将结构改为4F，DRAM制造商就能将每颗IC的单元密度提升30-50%。这不仅能提供更高的存储密度，还有助于节省功耗。

这款新型DRAM还将采用氧化铟镓锌（IGZO）等新材料，相较于此前产品使用的硅材料，IGZO在更窄的单元中漏电更少，从而确保数据保持能力。

三星的竞争对手如美光目前则暂缓了4F结构的计划，转而等待3D DRAM技术的到来。随着多家公司致力于该技术以满足AI领域不断增长的需求，3D DRAM的开发正在加速推进。