被内存条价签背刺过的人,最近又被一条产业新闻背刺了:全球最大芯片代工厂台积电,传闻要跨界造内存了。
据 The Information 11 月 6 日报道,台积电已经开始规划生产一种叫 3D DRAM 的先进内存,推动者不是别人,正是它最大的客户英伟达。光是这句话,就够三星、SK 海力士、美光这三家全球内存霸主喝一壶的。微信
不做 AI 芯片生意的台积电,为啥要接内存这活?因为 AI 真的吃不下内存了。对大模型来说,提高吞吐的关键在内存带宽,带宽几乎是绕不开的唯一方向。HBM 把三星、SK 海力士、美光的先进产能吸了个干净,普通 DRAM 的供给随之抽紧,美光更是放话短缺会持续到 2028 年。知乎微信

价格是实打实的:10 月通用 DDR4 8Gb 合约均价冲到 27.5 美元,较 2016 年起点价累计上涨约 9.5 倍,Q4 PC DRAM 合约价预计还要环比再涨 13%–18%。苹果都顶不住了,6 月涨 Mac、iPad 的价,9 月又涨 iPhone,还砸了 330 亿美元采购去锁产能。微信
英伟达更直接:此前就推动三大厂统一用台积电 3nm 工艺制造 HBM 的基底裸片。现在更进一步——干脆让台积电把 DRAM 也造了。微信
关键问题:3D DRAM 到底是个啥?一句话:HBM 是"叠芯片",3D DRAM 是"叠单元"。内存里最基础的存储单元不再平铺一层,而是竖起来往上堆,走的是 3D NAND 那套"越堆越多"的老路,核心思路就一句:向 z 轴拓展,在相同晶圆占地面积下靠增加结构高度来提升性能。路径更短、同面积带宽更高,还能用混合键合直接堆到逻辑芯片上——而台积电最值钱的先进逻辑制程和晶圆级封装,恰恰就是干这事的地基。知乎
但注意,这条赛道不是无人区:三星内部已完成 16 层 3D DRAM 堆叠验证,SK 海力士规划三年内进入量产;美光则放弃了研究了约 20 年的 4F² 架构,转头押注 3D。台积电若真建产线,一头撞进的是三巨头的核心地盘——专利墙、良率坑、周期险。微信微信

而且台积电在这块地盘还有段"黑历史":上世纪 90 年代到 2000 年代末它真造过常规存储芯片,2008 年才彻底退出。各平台评论区也很清醒:“等量产了周期都过了”“三巨头专利绕不开”——毕竟眼下一切都还停在规划阶段。微信
短期,内存价格确实救不了;但长期看,三巨头"没有第四家"的定价权前提,第一次被英伟达亲手动摇了。 眼下连量产时间都没定。AI 的瓶颈,正在从算力转向内存。 想装机、换手机的朋友,这两年请捂好钱包;看芯片产业的朋友,这场换牌,值得盯紧。微信小红书