导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发！

2021是DDR内存技术升级换代的裂变时代，也被称为DDR5商用元年。自JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后，国内外各大模组厂商竞速开启探索模式并布局DDR5。

记者了解到，作为国内半导体存储企业，金泰克为满足行业客户及广大用户对DDR5产品应用的期待，以及为存储行业应用提供更多可能性，金泰克也将于近日正式发售DDR5内存产品。金泰克DDR5内存产品的面世，为对设备性能有刚需的行业带来了更多可能，同时也为终端用户带来更流畅的产品体验。

DDR3到DDR4的小进步花了五年；DDR4从2012年发布第一版到2021年的DDR5，用了整整十年。俗话说“十年磨一剑”，相较于DDR4,DDR5又有哪些特点和产品优势呢？今天我们就一探究竟。

产品特性

（DDR5和DDR4对比）

大容量：

DDR4为4Gb的单片芯片密度，而DDR5的内存颗粒容量会从16Gb起跳，最大可达64Gb，16Gb容量意味着单颗芯片就有2GB容量，内存单条单面容量轻松做到16GB，单条双面容量做到32GB，如果使用单颗64Gb芯片，那么就会有单条容量128GB的DDR5内存出现。

高速率：

DDR5从3.2Gbps起跳，到6.6Gbps，起点即是DDR4的速度峰值。DDR5最高可扩展到8.4Gbps，预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n。

低能耗：

采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是几代DDR电压总线以来下降比例最少的一次，说明其对电源完整性和信号完整性的设计要求越来越严苛。

产品优势：

端到端接收模式的强化，信号传输更纯净

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT，采用片内终结。

全新的PMIC电源架构，采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供电

DDR5的供电模块也从系统主机板移到了DDR5内存条上。该功能模块（PMIC）4.5V-5.5V输入，输出VPP 1.8V ，VDD 1.1V，VDDQ 1.1V，VDDSPD 1.8V ，VIO 1.0V，更近的电源芯片带来更好的电源布局和更短的电源传输路径。电源管理芯片通过I2C/I3C协议配置，调节电源纹波、电压和上下电时序，达到更稳定和更加省电的效果。

新增On-die ECC, 增强DRAM颗粒本身的RAS，优化DRAM的稳定性。

也就是说Non-ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒, ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒 + 2颗DRAM颗粒用作ECC，这样就进一步优化了DRAM稳定性。

DDR5作为当前内存的发展趋势，主要应用于5G、大数据等对性能有刚需的行业领域，广泛赋能小型工作站、安防、远程医疗、高端游戏、云存储、高端计算机等。

另据了解，为赋能下游企业和广大用户、抢占行业发展的制高点，在行业公布DDR5标准后，金泰克就在为推出DDR5内存产品做准备。经研发、设计、生产、测试等多个环节的严格把关，最终打造出了金泰克的DDR5内存，并将于近期现货发售，产品值得期待。

金泰克作为一家专注数据存储20年的企业，拥有200余项自主知识产权，涵盖产品研发、制造及品控的各个环节，是一家集研发、生产和自主品牌产品营销于一体的专业存储方案提供商。

DDR5重新定义新标准，给行业和消费者带来无限可能。相信随着技术的持续导入，未来，金泰克将陆续推出更多的DDR5产品规格和技术服务，并投入到更多的应用场景中，为各行各业客户持续赋能！