英特尔展示先进封装技术：以Intel 14A/18A与2.5D/3D封装打造巨型芯片

据Wccftech报道，近日英特尔展示了针对高性能计算（HPC）和人工智能（AI）应用场景准备的先进封装技术最新成果，从尖端互连到系统级封装和测试，提供了驱动下一代多芯片平台所需的规模和集成度，同时向台积电（TSMC）的CoWoS封装生态发起挑战。

英特尔介绍了其最新的Multi-chiplet封装架构，与Intel  18A及Intel  14A工艺深度融合，构建出面积超过传统光罩极限的超大芯片。展示的核心在于英特尔对“超越光罩极限”的系统性突破，光罩极限（Reticle  Limit）也就是芯片制造中光刻机单次曝光的最大面积，突破这个极限（比如  >12x），意味着通过拼接技术，制造出比传统单颗芯片大得多的巨型芯片。

打造下一代计算芯片，英特尔所用到的主要技术包括：

Intel 14A-E - 采用RibbonFET 2与PowerDirect技术的突破性逻辑架构

Intel 18A-PT - 首款支持背面供电的基础裸片，提升逻辑密度与供电可靠性

High-Performance Top Die - 基于Intel 14A及14A-E工艺，实现更高密度与更高能效比。

Foveros Direct 3D - 采用超精细间距混合键合技术的精密3D堆叠。

EMIB-T - 在EMIB加入TSV技术，实现更高带宽与更大的芯片封装尺寸。

HBM协议支持 - 无缝兼容最新及未来HBM标准，包括HBM4和HBM5等。

 >12x光罩可扩展性 - 突破传统光罩限制的架构设计。

在具体解决方案上，英特尔展示了两种概念架构设计：一种是提供了4个计算模块搭配12个HBM模块的组合；另外一种更为激进，以16个计算模块搭配24个HBM模块。英特尔采用Intel  18A-PT制造基础裸片，可以集成海量SRAM缓存，在此之上采用Intel 14A或Intel  14A-E制造计算模块或者AI引擎，然后两者通过Foveros Direct 3D技术进行垂直互连。

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