张大妈

AI浪潮下的存储革命:NAND闪存迎来历史性拐点

源自公众号:算力核芯

01-31 19:21

摩根大通的报告指出,AI浪潮正重塑存储市场。过去由消费电子主导的NAND闪存,正转向由AI推理需求驱动。企业级SSD成为核心增长引擎,市场规模与增速将迎来历史性转折,这为行业带来了全新的增长逻辑和投资视角。

AI浪潮下的存储革命:NAND闪存迎来历史性拐点智能速览

  • AI推理需求成为NAND闪存增长新引擎。

  • 企业级SSD出货量创下十多年来最大增幅。

  • 企业级SSD在NAND总需求中占比预计将过半。

  • SSD的低延迟高吞吐特性完美匹配AI推理任务。

  • NAND厂商策略从产能扩张转向技术升级。

AI浪潮下的存储革命:NAND闪存迎来历史性拐点精华内容

AI工作流程的特性,决定了其在推理阶段对存储提出了截然不同且更为苛刻的要求,这直接催生了NAND闪存的黄金时代。

增长引擎转换

过去25年,NAND市场由智能手机和PC等消费电子驱动,但该市场已趋饱和。智能手机出货量在2017年见顶后增长乏力。与此同时,AI,特别是推理工作负载,正催生对企业级存储的巨大需求。据报告预测,到2028年,AI相关NAND市场规模将达到700亿美元,年复合增长率高于DRAM市场。这标志着NAND行业的增长驱动力发生了根本性转变。

推理需求爆发

AI工作流中,训练阶段依赖GPU和HBM,NAND作用有限。但进入推理阶段,模型需快速读取海量参数响应查询,对存储的低延迟和高吞吐量提出极高要求。企业级SSD相比HDD拥有数量级的速度优势,完美匹配“热数据”实时访问需求。为应对GPU内存瓶颈,将部分缓存从HBM卸载到高速SSD,正成为关键技术方案。

技术军备竞赛

NAND技术演进的核心是纵向堆叠以提升密度。目前主流已进入200层以上,SK海力士已量产321层产品,铠侠与西部数据正推进332层。除堆叠层数,架构创新同样关键,如铠侠的BiCS技术采用CMOS直接键合,在性能和密度上取得优势。未来,融合NAND大容量与HBM高带宽的高带宽闪存(HBF)技术,预计在2026-2027年进入样品阶段,可能重塑AI硬件存储架构。

竞争格局生变

NAND市场相对分散,三星约占三分之一份额,铠侠与SK海力士紧随其后,前三合计约80%。与DRAM不同,NAND厂商近年利润率较低,抑制了激进扩张。当前,主要厂商策略已从“产能扩张”转向“技术迁移”,资本支出强度趋于稳定。这种“克制的资本支出”为供需紧张和价格复苏奠定了基础,有助于维持行业良性发展。

AI浪潮已将NAND闪存从昔日的配角推向舞台中央,企业级SSD正成为决定AI效率的关键。随着技术融合与竞争深化,存储市场的未来版图将如何演变?

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