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DRAM和NAND Flash到底有什么区别？

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05-22 15:08

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从算力到存储，谁能掌握AI时代的“口粮”？ #大咖观察 #红衣聊AI #算力 #存储 #硬件

网络用户 2026-01-03

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#已有手机品牌暂停下一代旗舰项目#AI数据中心的存储需求虹吸，正将手机行业推入成本危机的深渊。头部存储厂商向高利润高端产品倾斜产能，让手机用成熟制程内存供应告急，价格半年内近乎翻倍，直接击穿本就微薄的硬件利润，魅族22 Air取消上市、旗舰研发暂停成为行业缩影。这场涨价并非短期周期波动，而是AI重构存储供需的结构性失衡，产能缺口或持续至2028年，手机厂商陷入涨价失市场、降配失竞争力的两难。千元机首当其冲面临成本覆盖难题，低端市场加速收缩，行业被迫向中高端转型。此轮危机亦是行业洗牌的试金石，供应链把控力、产品定价能力成为核心竞争力，中小厂商或加速退场，头部玩家凭借资源优势进一步巩固地位。手机行业的规模竞争时代落幕，价值竞争与技术壁垒构建，成为穿越行业寒冬的唯一出路。已有手机品牌暂停下一代旗舰项目

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1. 从算力到存储，谁能掌握AI时代的“口粮”？ #大咖观察 #红衣聊AI #算力 #存储 #硬件

2. #已有手机品牌暂停下一代旗舰项目#AI数据中心的存储需求虹吸，正将手机行业推入成本危机的深渊。头部存储厂商向高利润高端产品倾斜产能，让手机用成熟制程内存供应告急，价格半年内近乎翻倍，直接击穿本就微薄的硬件利润，魅族22 Air取消上市、旗舰研发暂停成为行业缩影。这场涨价并非短期周期波动，而是AI重构存储供需的结构性失衡，产能缺口或持续至2028年，手机厂商陷入涨价失市场、降配失竞争力的两难。千元机首当其冲面临成本覆盖难题，低端市场加速收缩，行业被迫向中高端转型。此轮危机亦是行业洗牌的试金石，供应链把控力、产品定价能力成为核心竞争力，中小厂商或加速退场，头部玩家凭借资源优势进一步巩固地位。手机行业的规模竞争时代落幕，价值竞争与技术壁垒构建，成为穿越行业寒冬的唯一出路。已有手机品牌暂停下一代旗舰项目

3. 另外，虽然骁龙8 Elite Gen 6 Pro和天玑9600支持LPDDR6，但以目前这个内存涨价幅度应该没厂家上。年底母系Pro Max和子年旗舰16GB顶配还有点可能，其他旗舰产品LPDDR6是别想了，还是标配LPDDR5X。

4. #存储芯片龙头计划扩产#存储芯片行业大动作！全球+国内龙头集体加码扩产，聚焦DRAM/HBM/3D NAND与先进封测，AI服务器需求爆发+存储价格暴涨成核心推手，2026-2031年迎扩产周期。国际三巨头砸重金攻高端HBM，国内长鑫、长江存储加速补位，封测端同步扩能，短期价格高位、业绩弹性拉满，中长期技术与规模定胜负！

5. 虽然LPDDR6内存尚未正式进入商用阶段，但规格更高的LPDDR6X已经出现在了演进路线图中。根据最新的行业消息，三星电子已经完成了LPDDR6内存的关键研发工作，并计划在2026年下半年实现正式商用。三星LPDDR6内存初始速度达到了10.7Gbps，凭借全新的动态功率管理系统，其能效比现有的LPDDR5方案提升了约21%。随着技术的进一步成熟，改进后的标准速度有望飙升至14.4Gbps。作为增强版本的LPDDR6X，则会在带宽和延迟表现上进一步挑战DRAM的极限。虽然JEDEC协会目前尚未敲定LPDDR6X的具体技术指标，但预计今年内会有更多官方标准对外公布。值得关注的是，三星的LPDDR6X内存样品已经寄送至高通进行测试，尽管目前的顶级AI芯片市场更倾向于使用HBM高带宽内存，但HBM在封装工艺、验证成本以及测试难度上都远高于传统的DDR架构。

6. 如何看待顶配内存价格已经超过旗舰SoC，一跃成为大部分机型最占成本的零部件，且后续还会再提价？

7. 学会这几招，你至少省出一半的空间

8. AI服务器把手机内存“吃”了今天手机圈有个“坏消息”：vivo、OPPO、一加等品牌齐刷刷宣布涨价，幅度200到1800元。别急着怪厂商，这背后是AI算力革命的“蝴蝶效应”——AI服务器把手机内存“吃”了。存储巨头把大部分先进产能转向HBM高带宽内存（专供AI芯片），导致手机内存供应锐减。一颗DDR4 8Gb颗粒半年涨369%，12GB手机内存成本从200元飙到近600元。存储成本占整机比重从10%-15%骤升到30%-40%。消费电子周期正被AI算力周期重塑。即便手机卖不动，存储价格也会被AI需求撑在高位，这种“结构性缺货”可能持续到2027年。行业冲击：成本传导：存储成本飙升挤压毛利，涨价加速“消费分级”——高端机更贵，千元机萎缩。国产替代：国际大厂产能转向AI，给国内存储企业留出替代空间，部分企业已迎业绩爆发。集中度提升：供应链弱的小品牌压力更大，行业资源向头部集中。未来3-5年：高端机型更“贵气”，中低端收缩；存储芯片成战略资源；国产存储若抓住机遇，有望跑出世界级选手。宏观背景：今晚美联储利率决议牵动市场；国内氢能政策再加码。全球资本在不确定性中寻找方向。互动问题：你最近有换手机计划吗？面对“涨价潮”，是再等等还是“早买早享受”？我是凯文，一个爱琢磨财经、科技、商业的朋友。每天一杯咖啡的时间，和你聊聊昨天发生的那些事儿。关注我，每天一起进步一点点。#AI创造营#凯文思考

9. 高盛日前发布的报告指出，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。其中2026年DRAM缺口将创15年之最，NAND短缺规模亦达历史高位，即便消费电子需求大幅下滑，服务器市场的疯狂吞噬能力仍将维持紧张格局。在DRAM方面，高盛预测2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%，其中2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。主要原因在于服务器需求的爆发式增长，高盛将2026/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求预期上调6%/10%，预计将分别达到39%和22%。如果将HBM计算在内，服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53%和57%。NAND市场同样不容乐观，预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2%/2.1%，这将是NAND行业历史上最大规模的短缺之一。

10. 三星、英伟达闪存技术获重大突破！三星正与英伟达合作，加速研发下一代铁电基NAND闪存。联合团队成功开发出物理信息神经算子模型，分析速度较现有模型提升10000倍以上，将大幅加快铁电NAND闪存商业化进程。此次合作有望推动全球NAND闪存技术快速迭代，全面利好存储芯片全产业链，并进一步加速国内存储芯片国产替代，带动设计、制造、设备、材料等全环节需求增长。受益概念股梳理 1. 长江存储：国内NAND闪存龙头，专注3D NAND研发与量产，深度受益行业技术升级与国产替代，产能稳步释放。2. 兆易创新：主营存储芯片设计，产品覆盖NOR Flash、NAND Flash，下游应用广泛，受益行业景气度提升与国产替代。3. 北京君正：布局存储+模拟芯片，涵盖SRAM、DRAM、NAND，车载与工业客户优质，受益需求复苏与技术升级。4. 澜起科技：全球内存接口芯片龙头，DDR5领域领先，充分受益存储接口技术迭代与行业扩容。5. 深科技：专注存储封测与制造，NAND、DRAM封测布局完善，绑定头部客户，受益封测需求增长。6. 华邦电子：存储芯片设计企业，主营NAND Flash、SPI NOR，工业与消费电子应用广泛，产品迭代能力强。7. 旺宏电子：专注NOR与NAND Flash，车规级存储布局深厚，受益技术升级与国产替代。8. 东芯股份：中小容量存储设计龙头，覆盖NAND、DRAM，消费电子与工业客户资源优质。9. 普冉股份：聚焦小容量NOR Flash、EEPROM，物联网与消费电子应用广泛，业绩弹性充足。10. 通富微电：专业存储封测厂商，NAND、DRAM封测业务成熟，受益下游产能扩张。11. 长电科技：全球头部封测企业，存储芯片先进封测布局完善，客户优质，业绩增长稳健。12. 晶方科技：晶圆级先进封装领先，适配下一代存储封装需求，受益先进封装需求爆发。13. 中微公司：半导体刻蚀设备龙头，NAND闪存刻蚀实现突破，深度受益存储设备国产替代。14. 北方华创：半导体设备平台型龙头，刻蚀、PVD等布局存储制程，受益存储扩产与国产替代。15. 拓荆科技：薄膜沉积设备龙头，存储芯片制程突破显著，下游扩产带动订单增长。16. 沪硅产业：12英寸大硅片龙头，充分受益存储芯片产能扩张对大尺寸硅片的需求。17. 立昂微：布局半导体硅片与功率器件，6-12英寸硅片产能充足，受益存储制造用料需求。18. 南大光电：半导体材料核心企业，ArF光刻胶、特种气体突破，受益存储芯片材料国产化。总结三星与英伟达联手突破下一代铁电NAND闪存技术，将推动全球存储芯片加速迭代与商业化落地，全面利好存储芯片全产业链。国内企业将同步受益行业景气上行与国产替代加速，设计、制造、封测、设备、材料等环节需求持续释放，长期有望迎来业绩与估值双重提升。

11. 美光将大幅增加DRAM内存产能｜显卡日报1月20日

12. 手机集体涨价，成本涨成鬼故事？

13. 苹果据报道正在考虑与中国存储芯片制造商长江存储（YMTC，NAND）和长鑫存储（CXMT，DRAM）建立合作伙伴关系，因为全球存储短缺加剧，而三星、SK海力士和美光优先供应AI存储而非智能手机。此举可能使苹果在谈判中占据优势，并确保更稳定的供应链。

14. AI推理将重构DRAM的版图，CPU对DRAM需求的增长将超过GPU，DDR/LPDDR也将迎来新的爆发。根据SK Hynix的Q1财报可以分析服务器需要的DDR/LPDDR已经远超移动需求的LPDDR，甚至远超过HBM。 Intel的新AI CPU DDR的配置达到400GB，其他CPU厂商的方案都在快速推出。当前DRAM还有10%以上的缺口，可以预见2026年的存储超级周期，以及很有确定性地延续到2027年。

15. 现在蔚来、理想、小鹏、小米绝大多数车型座舱都是 24GB/32GB 的内存 + 128GB/256GB 的存储，辅助驾驶芯片无论是 Thor、图灵还是神玑都是 64GB 的内存，双芯片的直接 x2。12+512 的手机成本涨了 1500 元，汽车上的内存和存储得涨价多少？#512存储飙涨4倍涨幅约1500元#

16. 一盒内存条，涨成上海一套房？

17. 手机电脑内存价格暴涨的主要原因，还是AI算力需求爆发导致存储产能结构性失衡。全球数据中心和高性能计算对HBM（高带宽内存）的需求激增，促使大厂将产能优先转向利润更高的HBM及服务器用DRAM，造成消费级DRAM和NAND闪存供应大幅缩减，再叠加厂商库存普遍偏低、经销商囤货惜售等因素，进一步加剧了市场供需失衡，价格水涨船高，短时间之变不了。

18. 存储巨头：所有客户需求都无法完全满足

19. 美光CEO：内存已成战略资产，缺货将持续至2027年“虽然美光正在积极扩产DRAM，但新产能最快也要2027年底才会出货，所以DRAM供不应求的状态将持续至2027年，其中另一关键原因则在于一些半导体设备产能不足”

20. SK 海力士退出消费级存储市场，将如何影响存储行业竞争格局？

21. 【#内存缺货或常态化##DRAM短缺或将持续至2030年#】3月18日，在NVIDIA GTC 2026大会期间，SK集团会长崔泰源接受采访时发出预警：由于DRAM供应很难跟上需求增长的速度，全球DRAM芯片紧缺态势或将延续至2030年。崔泰源指出，AI算力扩张对HBM的饥渴需求正层层传导至上游，每生产一颗HBM需消耗大量DRAM晶圆，而晶圆产能从投资到投产至少需要四至五年周期。"无论韩国本土还是海外建厂，时间窗口都不会缩短"，他坦言，基础DRAM晶圆短缺幅度预计将超过20%。崔泰源透露，公司正准备推出稳定DRAM价格的专项措施，具体方案将由CEO后续公布，他同时强调，SK海力士不会为追逐HBM高利润而放任通用DRAM供应萎缩，"若过度倾斜HBM，智能手机、笔记本电脑等既有产业将遭受冲击"。谈到中国本土存储产业的发展时，其表示，“我了解中国市场也遭遇存储供应短缺问题，在此情况下，他们还能向中国以外市场销售产品，令人印象深刻，新的竞争或许已崛起。”与此同时，另一家韩国存储巨头三星对未来的预判则显得更为审慎，三星内部认为，当前的行业繁荣可能仅能维持一到两年，市场或将在2028年前后出现转折。（快科技）#存储芯片概念持续上涨#

22. 涨得比黄金猛，为什么内存条原地起飞？AI看得上我这200块破内存？【柴知道】

23. DDR5暴涨500%！从资源垄断到巨头疯抢，深聊背后的AI硬件争夺战

24. 受存储涨价影响红米、vivo、OPPO 等多个品牌手机涨价上市，影响可能会持续多久？价格会持续上涨吗？

25. 三星电子在财报会上明确表示：当前时间传统DRAM比HBM更赚钱。主要原因还是HBM定价按年度锁价，而传统DRAM定价是每季度谈判。而且DRAM的良率更高，生产成本相比HBM要低，所以从二季度开始DRAM5的利润应该超过HBM3E。

26. 突传内存“闪崩”！记者实探华强北！商家：回调有限

27. 【#存储芯片板块暴跌原因#】 3月26日，谷歌研究院一篇关于AI内存压缩技术TurboQuant的论文，引发全球存储芯片板块暴跌。A股方面，恒烁股份、兆易创新、佰维存储等多只存储股跌幅超5%；美股闪迪、西部数据、美光科技等也大幅下挫，市场出现恐慌性抛售。 TurboQuant是针对大模型推理中键值缓存的压缩算法，可在几乎不损失精度的前提下，将缓存内存占用压缩至原来的六分之一，并在GPU上实现最高8倍性能加速。资本市场担心，内存效率大幅提升会显著降低对DRAM、HBM等存储硬件的需求，从而冲击行业景气度。不过多家机构认为市场存在明显误读。该技术仅优化推理环节的缓存，不影响模型训练与高带宽内存需求；所谓8倍性能提升，是与较旧的32位模型对比，实际提升幅度被夸大。此外，该技术目前仅在部分开源模型上验证，通用性仍待观察，类似优化思路国内外早已出现。从长期看，此次事件更符合“杰文斯悖论”：效率提升会降低AI使用成本，反而刺激更多应用场景落地，带动整体算力与存储需求扩大。2026年服务器内存需求仍将高速增长，技术优化带来的影响大概率被行业增长所消化。此次大跌更多是短期情绪与资金避险所致，并不改变存储芯片长期需求逻辑。#安全配置不能从夯到拉##生命安全不分高低配#

28. 内存涨价，一台车会涨多少钱？2026年初，内存价格的飙涨让整个科技产业再次感受到上游供给收缩的压力。从消费级DDR5、企业级DRAM到高端HBM，价格几乎同步上行，AI算力需求结构性膨胀对存储资源的真实挤压。相比手机、PC等消费电子领域，汽车行业对这轮内存涨价的感受更为复杂：既有成本端的压力，也有供应稳定性的隐忧。当然蔚来的李斌提到，内存涨价对汽车行业是巨大的压力，是与AI、算力中心、手机行业去抢。目前内存涨价的成本压力还没有传导到终端的售价，在蔚来的承受范围内，喊话“大家买车要早一点”，到底多少钱呢？基于以下核心假设做出内存涨价对不同车型的成本冲击概算：◎ RAM (DDR) 基准价 $3/GB，翻倍后 $6/GB；◎ ROM (UFS/NAND) 基准价 $0.3/GB，翻倍后 $0.6/GB。我们大概可以估算下涨一倍，涨1000块是要的。本轮内存涨价的核心驱动不是传统周期性供需波动，而是AI应用从“训练导向”向“推理导向”转移所带来的结构性变化。大模型推理阶段对上下文记忆、KV缓存、向量数据库的需求显著上升，使得DRAM和高性能SSD的消耗强度远超以往。AI服务器单台内存配置是普通服务器的8到10倍，目前已消耗全球超过一半的内存月产能。在产能总量短期难以快速释放的背景下，三星、SK海力士、美光等原厂自然优先保障利润更高、订单更大的AI客户，HBM、DDR5和企业级SSD成为产能倾斜重点，而面向消费电子和汽车的中低端存储资源被动收缩。简单来说，AI的战争是从基础设施开始的，现在内存的重要性飙涨，有限的产能被拿去给AI的军备竞赛了。汽车行业有点惨，从中国来看正好处在智能化快速升级阶段。智能座舱、城市NOA、端侧大模型、数据记录系统等功能，使得单车内存需求从过去的几GB提升到64GB甚至128GB，部分高端车型开始向256GB演进。内存已经从“普通电子件”转变为智能汽车的关键基础硬件之一。但在存储资源争夺战中，汽车行业的议价能力天然弱于AI算力中心和消费电子巨头。无论是订单规模还是利润弹性，车企都难以与动辄数十万台GPU服务器采购量的云厂商相抗衡。从成本结构来看，内存涨价对整车BOM的影响相对有限。以一辆售价20万元的智能电动车为例，车载内存成本通常在1000–3000元之间，内存价格上涨50%，单车成本增加在500–1500元区间；如果增长100%，单车成本增加1000-3000块，当然由于之前有一定的储备，汽车市场由于供应还行而且需求下降，尚未出现大规模涨价或销量波动。关键的影响并不在“贵”，而在“稳”。车企真正担心的是供应确定性，而不是短期成本上浮。理想、蔚来、小米等车企高层频繁提到“内存可能成为新的供应风险点”，是担忧产能进一步向AI倾斜后，车规级存储的交付周期、配额和价格稳定性必然是会被打破。如果出现极端供需失衡，部分车型的配置节奏、上市节奏乃至交付节奏都会受到影响。从目前情况看，内存仍属于“能买到、但更贵”的状态，在接下来的半年甚至1年，可能演变为“买不到”的系统性短缺。本轮内存涨价与2021年芯片荒的根本区别。当年的芯片荒涉及MCU、功率半导体、传感器、模拟芯片等多类核心器件，直接影响整车生产能力，全球汽车产量一度减少约1000万辆，多家车企被迫停产或减产。而内存涨价更多体现为成本压力和结构性资源重新分配，对整车产能的冲击远弱于当年的“断供式冲击”。从产业影响层级看，芯片荒威胁的是“能不能造车”，内存涨价考验的是智能化的进程，是不是继续要围绕AI智能化去进行。对于不同规模的车企而言，影响也呈现明显分化。头部车企凭借规模优势和资金实力，可以通过长期采购协议、提前锁定产能、多供应商布局等方式对冲涨价风险，同时通过产品定价、配置组合和内部成本优化消化部分压力。规模小智能化深、采购量比较大的车企则面临更现实的挑战：产品特色导致没办法减配置、议价能力不算强、供应链抗风险能力有限，存储成本和交付周期出现波动，就可能遇到难题，涨价是不可能的，减配也是很难得，到底怎么去艰难选择，很不好说。从用户层面看，内存涨价短期内不会明显改变购车行为。汽车属于低频、高单价、长使用周期的耐用品，消费者更关注安全性、品牌、续航、智能化体验等核心指标，价格敏感度差异决定了内存涨价对汽车销量的影响更隐性、更滞后。存储资源的重要性只会进一步上升。随着端侧大模型、车端多模态感知、持续学习和数据闭环能力成为智能汽车竞争核心，车载存储不再只是“缓存工具”，而是算法能力的底座。这也会推动车企重新审视内存架构设计，例如分层存储、CXL互联、车端与云端协同存储等方案，以降低对单一高端DRAM的依赖。同时，国产存储厂商的技术进步也在改变格局，长鑫、长江存储等企业在DRAM和3D NAND上的突破，为车规级存储提供了更多可控选项。过去十年，算力是核心约束条件；而进入推理与智能体阶段后，存储与带宽逐渐成为新的限制因素。汽车行业作为物理AI应用的重要载体，是要承受这一结构性转变带来的阵痛。这轮内存涨价会“推高车价”，客观来说反应车企的盈利能力有限，抢不过AI领域的大鳄去赌明天的动作，电子部件如芯片和内存确实是在倒逼车企提升供应链管理能力、架构设计能力和成本控制能力。 #新能源汽车##大v聊车#

29. #三星将停产LPDDR4与4X内存#三星将陆续停止生产LPDDR4、LPDDR4X内存，不再接受任何新的订单，而之前已下单的不受影响。目前LPDDR4/4X的生命周期已经超出预期，因为行业需求持续旺盛，三星停产原因是多方面的，最核心有两点。一是LPDDR4/4X成熟产品利润本来就很低，如今存储厂商肯定要把精力放在更赚钱的LPDDR5/5X上边。二是中国内存厂商快速崛起，凭借更低的价格，严重冲击三星等的利润，迫使其不得不加速转向更高利润的LPDDR5/5X。

30. 长江存储进军内存：新厂一半闪存一半内存｜显卡日报2月9日

31. 内存暴涨，到底怪谁？

32. #明年手机会大幅度涨价吗# 涨价已成定局，其实从今年下半年开始，旗舰和中端性能都开始涨价了，核心原因还是因为内存涨价了，导致手机成本增高，很多品牌都取消 1TB 版本。这波内存涨价的核心原因还是AI引发的，存储厂商优先供应利润更高的AI服务器，这样一来手机内存这边的产能降低，加剧内存短缺，中端、高端旗舰都会提价，入门机器的存储组合可能回到前两年水准。一般来说，存储芯片扩产周期长达1-2 年，供不应求局面将持续很长一段时间。#数码主理人#

33. 冲上热搜！内存价格崩了？

34. 看到爆料说，下代的三星Galaxy S27系列会首发搭载新的UFS 5.0闪存，这也意味着手机行业将会进入存储性能的新阶段。相较于之前的UFS 4.X，新的UFS 5.0会有哪些进步呢？首先是读写速度，理论最高速度可以达到惊人的10.8GB/s，这也意味着不管是加载大型游戏，还是处理高码率的视频，速度都可以更快；其还能运行复杂的AI大模型本地运算，让AI响应速度和效率再度攀升。对了，下代的骁龙8 Elite Gen6和天玑9600 Pro都可以支持UFS 5.0内存，到时候买新机都能用上

35. 倒反天罡：DRAM内存利润率大幅反超HBM｜显卡日报3月3日

36. 【瑞银：存储芯片和电池成本上涨车企难以退出价格竞争】2026年开年，车企面临存储芯片、电池原材料碳酸锂、铜铝等多重价格上涨压力，单车成本预计增加数千元。1月14日，瑞银中国汽车行业研究主管巩旻在媒体沟通会上称，车企还需要在终端市场激烈竞争，这些成本很难全部传递给消费者。瑞银：存储芯片和电池成本上涨车企难以退出价格竞争　　汽车行业正在向智能电动化转型，车辆搭载大量电池，辅助驾驶和智能座舱等功能又需要大量芯片，其中DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（闪存）都是必需品。近期存储芯片和碳酸锂等原材料价格明显上涨，车企已感受到压力。　　近一年，车规级DRAM和NAND的价格涨幅超过100%，个别规格产品涨价数倍。2026年1月6日，蔚来（NYSE：NIO）董事长李斌称，存储芯片涨价是2026年最大的成本压力，也是关乎行业的大事。

37. 国产手机集体涨价，要不要抓紧换手机？旧手机会升值吗？一条视频告诉你 #手机涨价 #国产机 #芯片

38. 失控的内存：AI为何被困在“内存墙”中？未来四大技术风口深度解析！

39. 安卓多两倍,推送服务少不了: 双平台/海内外内存占用大横评

40. #三星将停产LPDDR4与4X内存#三星停产，然后长鑫存储扩产来承接。三星专注生产利润更高的LPDDR5和LPDDR5X，不再接受LPDDR4和LPDDR4X订单，也算抛弃老客户，或者逼老客户升级产品。然后长鑫存储和GigaDevice签了一个8.25亿美元的DRAM合作，生产销售LPDDR4/4X，长鑫存储来承接三星的LPDDR4/4X客户，或者说巩固与被三星放弃的众多客户的潜在合作关系。

41. 【苹果内存告急！后续成本要显著上涨，iPhone 要涨价？📈】库克亲自发话，苹果内存库存见底，二季度后成本显著提高，6 月后影响越来越大！分析师预测明年 iPhone 存储成本占比或飙到 45%，后续价格有点悬了😭库克的库存也见底，苹果预计第二季度及后续内存成本将“显著提高”

42. 明年手机涨价的理由，又多了一个。。。【X.PIN】

43. vivo/iQOO官宣涨价，手机电脑涨价潮真的来了！核心原因是存储芯片成本失控：全球存储巨头把90%产能转向AI服务器HBM芯片，消费级DRAM内存3个月暴涨300%，再叠加3nm代工费、屏幕、电池成本上涨，单机综合成本增加800-1500元。涨价会贯穿2026全年，千元机彻底退市，1500元成新机入门门槛，中小品牌承压退场，国产存储厂商加速替代海外芯片。#手机电脑迎来涨价潮#

44. 这社交巨头又因“吃手机内存”被骂上热搜，网友不想再忍了

45. 美银调研了10家存储厂商，得到的结论是中东冲突对存储芯片供应链影响很小。主要原因是存储芯片产业链具有高度的亚洲内循环特征。生产端，全球95%的芯片生产在亚洲，特别是东亚地区，材料的库存充足；设备端主要来自亚洲、美洲和欧洲厂商，但主要通过空运，不需要通过海湾地区；封装测试也都在东亚，HBM和模组的封装基本都在东亚地区完成。2月份韩国半导体出口暴涨161%，创历史记录。DRAM行业营业利润率超过60%，NAND行业营业利润率超30%。

46. 三星电子将于5月21日启动史上最大规模罢工，持续至6月7日共18天，获93.1%工会成员支持，预计参与超5万人。就在今天最新劳资谈判破裂，工会接受调解方案但遭资方拒绝，罢工已成定局。三星DRAM市占率38.4%，HBM收入同比增长3倍，罢工或致AI芯片、内存供应紧张，直接利好存储芯片、半导体，A股科创板在存储芯片、半导体带领下不断刷出历史新高。#如何缓解存储芯片供应短缺问题#

47. 终于有人说清楚了什么是DRAM、什么是NAND Flash

48. 手机的RAM与ROM，电脑的内存条与电脑硬盘，99%的人，都搞错了

49. 🌟 一天一个半导体小知识｜NAND

50. 存储芯片怎么记数据的？一文讲透DRAM内存，SRAM缓存，NAND闪存(固态硬盘）三大存储核心工作原理

51. 芯片存储知多少，NANDA和DRAM区别

52. DRAM 和 NAND 是目前最主流的两种存储芯片

53. 存储芯片史上最全分类：

54. 存储芯片：DRAM/NAND/ROM/Flash全解析

55. NAND Flash闪存

56. 存储芯片分类全图谱

57. NAND Flash驱动开发实践全流程详解

58. 存储之DRAM，NAND，HBM有什么区别

59. DRAM和NAND的区别

60. 原来内存和闪存，根本不是一回事！

61. 一文看懂 DRAM | 为什么内存断电会丢数据？

62. 存储NAND Flash 经历从 2D 向3D 架构发展

63. 黑猫带你学Nand第3篇：NandFlash介质工作原理，你想要的都在这里！

64. RAM、ROM、DRAM、SSD、HBM、NAND、DDR5通俗易懂版

65. 存储器层级架构：易失性存储与非易失性存储的底层分野

66. NAND Flash：数据时代的数字基石

67. NAND flash 学习笔记 (1)-NAND Flash原理

68. 存储器分类

69. DRAM/HBM/NAND/SSD 一文搞懂存储芯片行业

70. 一篇了解存储芯片：DRAM/NAND/NOR/HBM 有什么区别？

71. 从nor flash转向使用CS SD NAND:为什么必须加入缓存机制?

72. NAND Flash（闪存），最核心的10家公司！

73. 做嵌入式那么久，ROM、SRAM、DRAM、eMMC、NAND…是不是也曾傻傻分不清？

74. 叫存储芯片，DRAM、NAND Flash和NOR Flash有啥区别？

75. 存储芯片种类全解：DRAM、NAND、HBM、UFS、eMMC 5分钟看懂不踩坑

76. 科普丨计算机存储器分类

77. 不只是快！HBM、DRAM、SRAM缓存、GDDR、LPDDR、NAND Flash存储芯片到底还有什么区别？

78. 黑猫带你学Nand第4篇：NandFlash结构详解

79. 科普存储

80. SSD 长期断电后会缓慢丢失数据

81. DRAM vs NAND 一图看懂 💡

82. 黑猫带你学Nand第10篇：万字长文带你了解NandFlash的读干扰原理及特性（Read Disturb）

83. 🧠 闪存Flash：断电也不掉数据的半导体存储 - 哔哩哔哩

84. 你知道SSD固态硬盘长期断电后会缓慢丢失数据吗？

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