紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：12nm工艺、速率可达16Gbps

不经意间，中国的芯片公司又闯入了一个新领域，日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。

紫光国芯之前做过DDR内存芯片，还有就是NAND闪存，但推出显存相关的IP芯片还是第一次，而且水准不低，制程工艺使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺，做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），大家可以理解为GDDR6显存的主控芯片。

根据紫光国芯介绍，这个GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计算等。

该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。

物理接口（PHY）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。

与主流GDDR6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时，平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。

关于西安紫光国芯

西安紫光国芯半导体有限公司前身为成立于2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部，2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司，2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年再次被紫光集团收购并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

公司拥有掌握存储器和集成电路核心设计和测试技术的国际化团队。公司核心业务是存储器设计开发，存储器产品量产销售，以及专用集成电路设计开发服务，公司自成立以来，一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，产品持续量产销售到国内外，积累了良好的存储器/SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。