2026年CES展会清晰地揭示了，数字存储与内存技术已成为驱动AI发展的核心引擎。通过深入解析各大厂商展出的前沿产品，从高速SSD到新型存储器，可以看到存储技术正如何为AI训练、推理及边缘计算提供关键支撑，并展现出低功耗与高性能的明确趋势。
智能速览
铠侠展示第十代332层BiCS NAND晶圆，性能与功耗效率显著提升
闪迪旗下高端SSD产品线统一更名为Optimus系列，针对不同用户群体
OWC发布新款ThunderBlade X12，提供高达192TB容量与6.6GB/s峰值速度
新型MRAM与ReRAM技术加速落地，在汽车、可穿戴设备等场景展现低功耗优势
边缘AI设备成为新型非易失性存储器的重要应用场景
精华内容
展会现场不仅有速度竞赛，更有底层架构的革新。从主流SSD的性能跃升，到新型存储器的商业化进程，这些技术细节共同描绘了AI时代存储的未来蓝图。
SSD性能突破
铠侠推出的BG7系列SSD，其顺序读取性能高达7GB/s，随机读写速度达到100万IOPS。与前代BG6相比，其顺序读取性能提升16%，顺序写入性能更是大幅提高了67%。这些提升得益于其CBA（CMOS Bonded to Array）技术，该技术实现了无DRAM设计，适用于多种紧凑型设备。
OWC则瞄准高端媒体创作市场，发布了ThunderBlade X12扩展坞。它集成了十二块16TB NVMe SSD，总容量达192TB，峰值写入速度可达6.6GB/s，展现了极致的存储性能，专为视频处理等专业工作流设计。
存储技术革新
铠侠展出的第十代BiCS NAND晶圆达到了332层，这一技术进步意味着更高的存储密度、更快的读写速度和更优的功耗效率，为未来大容量、高性能存储奠定了基础。
群联电子则推广其E37T PCIe第五代控制器，性能高达4.8GT/s。该控制器同样采用无DRAM设计，旨在为笔记本电脑和手持设备等紧凑系统提供高性能存储解决方案，满足AI PC和游戏设备的需求。
新型存储器落地
新型非易失性存储器在CES上备受关注。恩智浦展示了其16纳米汽车3-MRAM微控制器，用于实现车辆控制的高度集成，彰显了MRAM在汽车电子领域的可靠性与高速度优势。
Ambiq则在其面向边缘AI的SoC中集成了高达4MB的嵌入式MRAM，并计划在更小尺寸的产品中采用ReRAM技术。这些存储器以其极低功耗特性，成为可穿戴设备和智能工业监控等应用的理想选择。
生态与场景拓展
除了硬件，存储生态也在拓展。OWC推出了Strada点对点协作平台，使内容创作者能与世界各地的本地驱动器进行高效协作，打通了存储硬件与工作流软件的壁垒。
闪迪则将旗下高端SSD产品线统一更名为Optimus系列，并细分为面向创作者的Optimus、游戏玩家的Optimus GX及AI专业人士的Optimus GX Pro，这反映了市场对存储需求的精细化趋势。
CES 2026清晰地表明，存储技术不再是AI的幕后配角，而是推动应用落地的核心驱动力。从高速读写到低功耗持久化存储，技术演进正全方位匹配AI时代的需求。未来，随着新型存储器的进一步成熟，数据处理的边界将被推向何方？
