【ISSCC 2026】半导体创新的半个世纪：RCAT/V-NAND/HBM/GAA 架构演进 (Samsung - Kinam Kim) [中英字幕]

这场讲座由三星电子前CEO主讲，硬核复盘了近五十年的半导体技术演进。内容深度剖析了DRAM、3D闪存、HBM及GAA等四大核心技术如何突破物理极限，为从业者和学生揭示了行业发展的关键脉络与未来方向。

智能速览

• DRAM中的RCAT技术成功攻克了亚百纳米的漏电难题。

• 3D V-NAND技术打破2D闪存物理瓶颈，实现容量突破。

• HBM与TSV互连成为AI算力时代的核心内存技术。

• MBCFET架构突破FinFET限制，为摩尔定律延续提供可能。

• 讲座最后分享了工程师自我创新与彻底执行的人生信条。

精华内容

要理解今日芯片的格局，就必须回溯其背后的关键技术突破。以下将从DRAM、闪存、AI内存和逻辑工艺四个维度，解析半导体是如何一步步走到今天的。

DRAM革新：RCAT

在DRAM工艺迈向百纳米以下时，短沟道效应引发的漏电问题成为巨大挑战。RCAT（凹槽沟道阵列晶体管）技术的出现，通过在硅片上刻蚀凹槽来增加有效沟道长度，而非一味缩小平面尺寸。这一三维结构创新，有效抑制了漏电电流，保证了DRAM在微缩化过程中的稳定性和可靠性，为后续大容量内存的普及奠定了坚实基础。

存储跃迁：V-NAND

当2D平面NAND闪存的单元尺寸接近物理极限，单元间的干扰问题日益严重。为突破瓶颈，行业转向了三维堆叠。三星的V-NAND技术通过垂直堆叠存储单元，极大地提升了存储密度。与此同时，CTF（电荷捕获型闪存）技术取代了传统的浮栅技术，将电荷困在绝缘层中，进一步增强了数据保持能力和可靠性。这一从平面到立体的转变，是存储产业史上最关键的变革之一。

AI算力：HBM内存

人工智能应用的爆发对内存带宽提出了前所未有的要求。传统内存已无法满足GPU等加速器海量数据吞吐的需求。HBM（高带宽内存）通过TSV（硅通孔）技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，并直接与处理器封装在一起，极大地缩短了数据传输路径，实现了远超传统内存的带宽。HBM已成为高端AI加速器的标配，是驱动AI算力指数级增长的关键支柱。

延续摩尔：MBCFET

当FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺接近3纳米节点时，其结构对栅极的控制能力开始减弱，出现性能瓶颈。MBCFET（多桥沟道全环绕栅极）架构应运而生，它将沟道由鳍片变为纳米片，并让栅极从四面完全包裹沟道，从而实现更优异的静电控制。这一突破被认为是延续摩尔定律的关键路径，将为未来更强大、更高效的逻辑芯片提供技术基础。

这场跨越半个世纪的技术复盘，不仅是半导体演进史的缩影，更是一部关于挑战与突破的启示录。从材料、结构到系统集成的创新，共同描绘了芯片产业的宏伟蓝图。面对未来的量子计算、神经形态芯片等新方向，下一代的工程师又将写下怎样的篇章？