三星西安工厂已完成第一阶段生产线升级，推进至236层第8代V-NAND闪存

此前有报道称，去年三星向其位于西安的NAND闪存工厂投资了4654亿韩元，相比于2024年的2778亿韩元大幅增加，同比增长了67.5%。这是一个明显的转变信号，要知道三星在2020年至2023年之间，基本没有在这里进行重大投资。三星计划升级西安工厂的生产线，从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，目标今年再提升至400层第10代V-NAND闪存。

据TrendForce报道，三星已经完成了西安NAND闪存工厂第一阶段的生产线升级，将逐步淘汰128层第6代V-NAND闪存，同时加快236层第8代V-NAND闪存的量产工作。三星并不打算放慢升级的脚步，第二阶段的生产线升级很快便会到来，将升级至286层第9代V-NAND闪存，预计今年内完成，与去年初传出的消息相符。

旧产品需求减弱是主要的驱动因素，竞争对手凭借尖端产品快速发展，进一步加速了三星的转型进程。比如长江存储（YMTC），去年已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，无论密度还是总层数，都已提高到目前业界的最高水平。

就如之前的报道所言，三星除了第二阶段的生产线升级，同时还会为400层第10代V-NAND闪存的生产做好准备工作。

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