别再让功耗“吃”掉你的续航!这款1.8V SPI NAND,专为低功耗

2026-08-06 15:11:22 0点赞 0收藏 0评论

型号:XT26Q01D | 品牌:芯天下(XTX)
关键词:1.8V、1Gbit、SPI、Quad I/O、LGA8/WSON8、内置ECC

一、什么时候会用到这颗料

做低功耗便携设备的工程师应该都有这个体会:电池容量就那么点,每一毫安都得省着用。而存储芯片的电压等级直接关系到整机功耗——3.3V的Flash在1.8V的主控系统里不仅要额外加电平转换,还会多耗电。

XT26Q01D是一颗1.8V供电的SPI NAND Flash,容量1Gbit(128MB)。对于需要低功耗、小封装、够用容量的项目来说,是一个值得关注的选项。

别再让功耗“吃”掉你的续航!这款1.8V SPI NAND,专为低功耗

二、基础规格一览

容量1Gbit,也就是128MB。供电电压1.7到1.95V,典型值1.8V。接口是SPI,支持单线、双线和四线模式。封装有两种:WSON8(8×6mm)和LGA8(6×5mm)。工作温度-40到85℃,工业级标准。存储单元是SLC。

内部结构是(2048+64)字节 × 64页 × 1024块。

三、核心规格解读

关于1.8V供电

这是这颗料最基础的定位。现在很多先进制程的MCU和SoC,IO电平已经降到1.8V甚至更低。如果用3.3V的Flash,就得加电平转换芯片或者LDO升压,BOM成本增加不说,功耗也上去了。

XT26Q01D直接跑1.8V,可以和主控共用电源域,省掉电平转换的麻烦,也能把功耗压到最低。

关于接口速度

最高支持108MHz时钟频率,四线模式下理论峰值能到432Mbit/s。加载几十MB的UI资源或者固件升级包,速度够用。对于需要快速启动的设备,这个带宽不会成为瓶颈。

关于内置ECC

传统的NAND需要主控端自己处理ECC纠错。XT26Q01D内部集成了8-bit/528字节的ECC引擎,默认开启。主控只管读写,芯片自己把纠错干了。

这意味着低端MCU也能轻松带得动这颗NAND,不需要额外配硬件ECC引擎,驱动代码也省事不少。

关于封装选择

WSON8是8×6mm,LGA8是6×5mm。LGA8的尺寸比指甲盖还小一圈,适合TWS耳机、智能手环这类空间极度受限的设备。两种封装都是8个引脚,Layout简单,走线不占地方。

四、几个值得注意的功能

内部数据搬运

这颗料支持片内数据拷贝,做垃圾回收或者磨损均衡的时候,数据在Flash内部的缓存寄存器里直接搬,不需要经过主控。省总线带宽,也省时间。

待机功耗

待机电流典型值15μA,对于电池供电的设备来说比较友好。大部分时间设备在休眠,只有唤醒时才读写,这颗料的低待机功耗能帮上忙。

唯一ID与OTP

每颗芯片有128-bit的唯一ID,可以做设备身份标识或者软件加密。另外有OTP区域,可以存密钥、序列号、校准参数,锁定后只读。

五、坏块管理

NAND出厂就有坏块,一共1024个块,有效块数不低于1008个。出厂坏块标记在每块第一页冗余区的第一个字节,拿非FFh标记。

拿到芯片先扫描建立坏块表,再开始擦写操作。直接全片擦除会抹掉出厂标记,后面就分不清哪些是出厂坏块、哪些是新增坏块了。

六、硬件设计提示

电源上,1.8V供电需要主控端提供稳定的1.8V电源域,确保电压在1.7到1.95V范围内。

Layout的时候注意电源去耦,VCC和VSS之间并0.1μF电容,靠近芯片放。写入和擦除时电流大约十几到二十几毫安,电源纹波处理好。

SPI总线的CLK、DI、DO、CS四根线尽量短直,减少信号反射。四线模式下IO2和IO3也要走好。

七、适用场景

TWS耳机和智能穿戴:1.8V低电压加LGA8小封装,功耗敏感和空间受限的产品很合适。128MB容量存固件和音频资源够了。

电池供电的IoT模组:智能门锁、燃气表、传感器节点这类设备大部分时间在休眠,15μA待机电流能有效延长电池更换周期。

行车记录仪和车载设备:-40到85℃宽温,四线SPI高速读取保证视频流写入不卡顿。

八、小结

XT26Q01D的核心定位很清晰:1.8V低电压、LGA8小封装、内置ECC、128MB容量。

最适合的项目就是那些"电池供电、板子小、对功耗敏感"的便携设备。如果正在做这类产品,这颗料可以放进选型清单里实际测一下。


以上内容基于公开规格书整理,具体设计请以官方最新数据手册为准。

作者声明本文无利益相关,欢迎值友理性交流,和谐讨论~

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