1平方毫米打10万个孔：SK海力士获得新技术授权，冲击 16 层堆叠内存

近日，SK海力士宣布，已经与Xperi Corp旗下子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议，获得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权。

DBI Ultra是一种专利的裸片-晶圆(die-wafer)混合键合互连技术，每平方毫米的面积里可以容纳10万个到100万个互连开孔，孔间距最小只有1微米，相比每平方毫米最多625个互连开孔的传统铜柱互连技术，可大大提高传输带宽。

DBIUltra使用化学键合来连接不同的互联层，也不需要铜柱和底层填充，因此不会增加高度，从而大大降低整体堆叠高度，释放空间，可将8层堆叠翻番到16层堆叠，获得更大容量。

虽然它要使用新的工艺流程，但是良品率更高，也不需要高温，而高温正是影响良品率的关键因素。

和其他下一代互连技术类似，DBI Ultra也灵活支持2.5D、3D整合封装，还能集成不同尺寸、不同工艺制程的IP模块，因此不但可用来制造DRAM、3DS、HBM等内存芯片，也可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

比如3D堆栈内存方案，可以是4层的DRAM，可以是4/8/12/16层的HBM2/HBM3并在底部整合逻辑电路。

比如3D集成方案，可以上方是4-16层堆叠HBM、下方是CPU/GPU/FPGA/SoC等逻辑单元。

比如2.5D集成方案，可以在基板上一边是4-16层堆叠HBM并通过逻辑电路接入基板，另一边则是CPU/GPU/FPGA/SoC等逻辑单元直接以DBI Ultra互连的方式接入基板。

SK海力士还未透露会将DBI Ultra封装技术用在哪里，但是DRAM、HBM显然是最佳选择。

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