抓住巨大历史机遇：新兴存储势力飚速推进，下半年开启新厂区量产

猜猜我说的是谁

由于要规避相关公司的舆情雷达监测，所以我这边全程都会用指代词，懂的读者应该都能懂，不懂的读者，思考一下，我想应该也能懂。

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朝鲜日报30日报道，我国国内最大的NAND闪存公司正在以前所未有的速度推进新一轮第三阶段投资，Fab 3于去年九月开始建设，最初预计于明年（2027）实现完整量产体系，但根据最新的业内分析预测，这个进度已经大幅提前，预计将在今年下半年即开始规模量产。

报道称，国内半导体行业人士30日透露，该公司正在快速推进设备订购和工厂建设。一位熟悉该公司情况的消息人士解释说：“开工建设仅一年就开始量产，这表明他们采取了‘快速通道’战略，基本上是在工厂仍在建设的同时就引进设备并启动生产线。”

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媒体分析称，该公司如此快速投产的动机在于，在NAND闪存“超级周期”中巩固其全球市场地位。与DRAM市场不同，NAND闪存领域拥有多家供应商，包括三星电子、SK海力士、美光科技、日本铠侠以及该公司。尽管人工智能的蓬勃发展导致当前需求远超供应，但众多供应商的存在也带来了潜在的价格竞争风险。

在近两年海外的分析机构都基本表明，公司的NAND技术已基本赶上三星电子和SK海力士等行业领先者。该公司已掌握270层3D NAND技术，正迅速缩小与三星电子（286层）和SK海力士（321层）的差距。其生产良率和稳定性也被评估为与一流企业不相上下，这得益于长期投资和积极引进外部专家。

公司已早早被列入了美国实体清单，这限制了其进口先进制造设备的能力。尽管如此，该公司仍于去年9月启动了NAND三期工程的建设，表明了其对“NAND崛起”的坚定承诺。

当地业内人士表示：“公司似乎将今年视为积极拓展市场份额的‘黄金时期’，而三星电子和SK海力士则将重心转向DRAM和高带宽内存（HBM）。鉴于政府在技术和产能方面的大力支持，预计未来一到两年内，公司在全球NAND市场的影响力将显著增长。”

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市场调研机构Counterpoint Research的数据显示，该存储行业公司基于NAND闪存出货量的全球市场份额在去年第一季度首次达到10%，并在第三季度攀升至13%，同比增长4个百分点。这一水平已接近全球第四大NAND闪存生产商——美国美光科技的市场份额。

如此大新闻自然不止一个信源，另一名分析师来自Cirini Research的twi@zephyr_z9 提到了相关产量，首先在Fab 3大部分产线已经使用了包括光刻机在内的完整国产设备；此外，在2025年底，Fab 2的产能已经达到了每个月65K晶圆，而Fab 3的产能初步为每个月10万片晶圆，Fab 2产能也将达到每个月10万片晶圆。