英伟达或选择英特尔EMIB-T封装，用于下一代Rubin Ultra

上个月有报道称，英伟达的开发重点逐渐转向下一代Rubin Ultra。与Rubin采用2-Die架构不同，英伟达打算在Rubin Ultra上采用4-Die架构，单个封装内的HBM模块也将从8个增至16个。台积电原计划在Rubin Ultra使用CoWoS-L封装，不过遇到了变形问题，将影响良品率，推高制造成本，可能需要替代方案。外界分析，英伟达可能放弃4-Die架构，趋向2-Die架构，优先考虑制造效率和量产可行性。

据Wccftech报道，英特尔正在积极地向英伟达推销支持HBM4/4E等新技术的EMIB-T封装，以替代台积电的CoWoS-L封装，用在Rubin Ultra上。如果英伟达选择EMIB-T封装，对于英特尔代工服务来说，将是一次重大的胜利。

EMIB-T利用硅通孔（TSV） 从芯片封装底部通过TSV桥接芯片进行供电，从而实现了直接、低电阻的供电路径，这对于HBM4/4E集成至关重要。与此同时，TSV还提升了芯片间的通信带宽，使用UCIe-A互连技术，将数据传输速率提升至32 Gb/s或更高。

EMIB-T还能实现更大的芯片封装尺寸，达到120 x 180 mm，并在单个大型芯片封装中支持超过38个桥接器和超过12个矩形大小的裸片。EMIB-T可支持35微米的凸块间距，25微米间距也在开发之中，远胜于初代EMIB的55微米和第二代EMIB的45微米。此外，EMIB-T还兼容有机或玻璃基板，其中玻璃基板是英特尔未来芯片封装业务的关键战略方向。

相比于台积电的CoWoS-L，英特尔的EMIB-T主要优势在于使用基板而非硅中介层将芯片与电路板连接，不会受到大面积硅中介层的限制，意味着能够制造更大的芯片，而且成本也更低，适合不同制程的芯片进行异构集成。

超能网**

**关注我们，浏览热门硬件评测

随时查看最新天梯榜