传黄仁勋催着台积电造内存：官方拒绝评论

快科技11月9日消息，据报道，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造。据称台积电近期应最大客户英伟达的要求，着手规划生产3D DRAM，该项目由负责先进封装业务的副总经理徐国钦牵头。

对此，台积电回应称不评论市场传闻，强调始终聚焦集成电路代工核心业务。

英伟达此举的背景，是存储已成为AI硬件的最大瓶颈。在高端AI训练集群中，HBM成本已占整机物料清单的20%至25%。

HBM3E 12-Hi单颗价格超1500美元，下一代HBM4单价可能突破2500美元。产能紧缺且报价高昂，迫使黄仁勋极力寻找非韩系的产能保障。

支持派认为，台积电具备3D DRAM相关的垂直结构与先进封装专利，能天然延伸至存储堆叠领域。但短期内应会以共同开发或专用技术验证为主，不至于贸然转型为标准型存储的大规模量产厂。

反对派则更为直接，直言应该罚传谣者把张忠谋自传读一百遍。业界指出，台积电做的是逻辑代工与封装整合，储存阵列是存储厂的专业。张忠谋自传已记载存储教训：德碁深陷DRAM崩盘巨亏，台积电并购后第一件事就是把8英寸厂改造成逻辑代工线。

更现实的考量是利润率。台积电先进工艺长期毛利率目标在53%以上，而DRAM具备强烈的景气循环特性，赚一年赔三年。若把巨额资本开支拿去铺DRAM产线，只会大幅稀释股东回报率。

抛开传闻真伪，3D DRAM已成为存储巨头竞逐的确定性方向。三星、SK海力士与美光均在推进相关技术，试图将内存垂直堆叠缩短数据距离。

但这则传闻最合理的注脚是：黄仁勋在为存储瓶颈找出口，台积电在评估技术边界，而跨界造存储仍距离现实甚远。

编辑：红茶

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