宏碁N8000评测：新一代PCIe 5.0 SSD撑起一片天

前言

去年底我们测试了慧荣在PCIe 5.0 SSD上新布局的SM2504XT主控，它不仅能提供比同类主控更高的读写速度，还使用更先进的制造工艺降低功耗。现在我们有机会评测采用这款主控的正式版产品——宏碁N8000固态硬盘，一起来看看N8000能否如我们预言的那样颠覆原有旗舰级SSD格局。

宏碁N8000外观秉承暗影骑士系列风格，提供1TB和2TB两种容量选项，本次评测的是2TB版本，标称顺序读写速度11000/10000 MB/s，4K随机读写1700K/1700K IOPS，提供5年或1500TBW保修（以先到为准）。

单面PCB设计能够提供出色的空间兼容性。宏碁N8000从一开始就充分考虑了笔记本电脑的安装使用需求，研发部门已经完成了N8000在宏碁暗影骑士·擎7 Pro、华硕天选5 Pro FA607P、ROG魔霸9/枪神9、机械师曙光16S、微星刃影16/泰坦16/泰坦18 Pro/雷影18 2025、联想Thinkpad X1 Carbon Aura/ThinkBook14+ 2025等笔记本平台上的兼容性测试。得益于更高的能效比表现，宏碁N8000还能够为移动设备带来更长的续航时间优化。

测试平台和信息识别

测试平台：

CPU：Intel Core i9-13900K
主板：技嘉Z790 AORUS MASTER X
内存：DDR5 16GB*2
硬盘：三星980 PRO 1TB（系统盘）
      宏碁N8000 2TB
系统：Windows 11 25H2
驱动：系统默认stornvme

CrystalDiskInfo信息识别：

宏碁N8000使用PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0标准。3600MT/s高速闪存的采用，使得四通道设计的宏碁N8000能够提供超过11GB/s的顺序读取速度，直逼部分早期PCIe 5.0旗舰型号。

理论性能测试

测试项目1：理论带宽测试

CrystalDiskMark测试了SSD在理想情况下的最大顺序读写速度，以及理论最大4K随机读写性能。宏碁N8000 2TB在我们的英特尔测试平台上实测顺序读写11452.97/10372.55 MB/s，4K随机读写约合1789K/1759K IOPS，全部达到并超过官方标称值。

基准测试2：PCMark 10完整系统盘基准测试

PCMark 10完整系统盘基准针对当代最新固态硬盘的广泛测试，通过记录-回放原理再现SSD对各种不同应用的性能影响。测试项目涵盖系统开机启动、Adobe设计套件应用、Office办公套件应用、图片/ISO文件拷贝复制、多个游戏加载过程等测试内容。

宏碁N8000 2TB在PCMark 10完整系统盘基准测试中获得6980分，它的成绩不仅力压三星9100 Pro和英睿达T705这些原厂旗舰级产品，更是将同定位的铠侠VD10远远甩在身后。

基准测试3：3DMark存储基准测试

3DMark存储基准测试涵盖了战地5、使命召唤15：黑色行动4、守望先锋三款游戏的启动加载过程、在运行守望先锋的同时通过OBS记录1080P游戏视频、从EPIC平台安装天外世界、天外世界游戏进度保存以及将Steam游戏反恐精英：全球攻势从移动硬盘拷贝到系统盘的过程，涵盖了PC游戏玩家所能遇到的方方面面。

尽管我们都知道PCMark 10完整系统盘基准和3DMark存储基准都是跑在SLC缓存内，存在着定向优化的问题。但性能优化本身也是一种能力，凭借慧荣SM2504XT主控的后发优势，宏碁N8000将前浪狠狠地拍在了沙滩上。

进阶测试

进阶测试项目1：SLC缓存及缓外写入速度测试

在无文件系统条件下使用IOMeter进行128KB QD32顺序写入测试30分钟，每秒记录。在空盘条件下宏碁N8000 2TB能提供大约600GB的可用SLC缓存容量。缓外TLC直写速度达到4270MB/s，这是很多同容量级旗舰级SSD都未必能达到的水平。

进阶测试项目2：TLC直接读取性能测试

SSD的顺序读取速度同时受到闪存接口速度、通道数量以及外部PCIe接口带宽的影响。PCIe接口大提速以及QLC闪存的应用，使得“缓外”顺序读取速度成为大家关注的焦点。和写入时的情况一下，SLC缓存的读取性能也是高于TLC状态的。由于缓存的原理使然，日常使用中数据主要是从TLC状态读取，如果闪存的直接读取性能不佳就可能出现测速和实际使用体验脱节的情况。

这个测试在顺序写入填满全盘之后进行，使用fio进行1MB QD8顺序读取，宏碁N8000 2TB的成绩为10.8GB/s，TLC读取也能达到满速水平。至于SLC缓存的读取速度为何没有变得更快（比如14GB/s），那是因为4通道设计搭配3600MT/s接口速度，最高只能实现11GB/s的带宽（未来的闪存支持SCA协议后带来传输效率提升，慧荣SM2504XT主控方案的SSD顺序读取速度有望进一步提升到12GB/s）。

接下来我们测试全盘范围的4K单线程随机读取，测试时长1000秒，这里测试的是不受SLC缓存影响的TLC读取成绩。此外，主流级的DRAMLess设计节省了DRAM缓存的成本，由HMB共享部分主机内存作为缓存来提升性能。但HMB的容量有限（Windows自带Stornvme驱动限制为不超过64MB），所以大范围内的4K随机读取性能还是不如旗舰级SSD采用的DRAMBased方案。不过即便是DRAMLess设计，宏碁N8000 2TB的4K单线程随机读取成绩还是非常亮眼：53.6MB/s。

这个成绩已经可以直面PK一些DRAMBased旗舰型号！三星9100 PRO的成绩也仅为61.4MB/s，差距并不是很大。宏碁N8000的优势主要来自它所采用的闪存，在读取延迟上的表现要比三星9100 PRO所用的三星第八代V-NAND更出色。

进阶测试项目3：温度压力测试

温度压力测试在室温25度，安装主板M.2散热片，被动散热条件下使用IOMeter进行（1MB QD8T1顺序读取），以考察SSD在连续高负载条件下的温控机制。宏碁N8000在连续15分钟的满载读取测试中没有出现过热限速。

SSD的能效表现不仅和温度有关，在笔记本电脑上安装使用时还会影响到电池续航时间。宏碁N8000采用6纳米工艺制造的慧荣SM2504XT主控，在功耗表现上具有优势，相比以往的Gen5主控方案更适合笔记本电脑安装使用。

总结

宏碁N8000使用6纳米工艺制造的慧荣SM2504XT主控，兼具了四通道DRAMLess方案的低功耗优势和11GB/s读速的性能优势。无论是缓外写入还是排除缓存后的全盘范围4K随机读取，宏碁N8000都有着超出自身定位的高水准表现。它既可以是游戏加载的提速引擎、本地AI大模型快速加载的利器，也可以是提升生产力的好帮手。