张大妈

DRAM现货价格持续攀升、供应链紧张加剧与贸易规则调整

源自公众号:Eugene-未命名计划

01-22 13:58

当前DRAM市场正经历一场由AI需求驱动的深刻变革。现货价格持续攀升,HBM技术加速迭代,贸易政策调整叠加供应链紧张,共同推高了行业的不确定性。理解这些动态背后的逻辑,对于把握半导体产业未来的走向至关重要。

DRAM现货价格持续攀升、供应链紧张加剧与贸易规则调整智能速览

  • DRAM现货价格延续上涨,1Q26合约价预计季增55-60%。

  • 英伟达推动HBM4向16层升级,三大厂商2026年产能已全面售罄。

  • 台积电CoWoS产能扩张,英伟达占用约60%,数据中心消耗70%以上高端存储。

  • 美台半导体贸易协议达成,台湾厂商在美扩产可获进口配额优惠。

  • 传统DRAM供应紧张,已影响PC和智能手机等消费电子领域。

DRAM现货价格持续攀升、供应链紧张加剧与贸易规则调整精华内容

这场由AI引发的存储风暴,其根源在于产业链上下游的失衡。从技术升级到产能分配,再到国际贸易规则,每一个环节的变化都在加剧市场的波动。

价格风暴与供需失衡

根据TrendForce最新数据,DRAM现货市场涨势不止。DDR5 16GB(2Gx8)单日上涨2.83%至36.33美元,DDR4 16GB(2Gx8)报价也达到78.36美元。这背后是深刻的供需矛盾,数据中心AI需求预计将占用2026年全球70%以上的高端存储芯片产能,导致SK海力士、三星、美光三大厂商的产能全面售罄。市场普遍预计,1Q26传统DRAM合约价将季增55-60%,供应紧张态势至少将持续至2026年下半年。

HBM技术竞赛与产能瓶颈

为满足超大规模AI模型训练需求,英伟达正推动供应链在2026年下半年供应16层HBM4芯片,其容量可达128GB,较前代提升78%。这场技术竞赛使得SK海力士、三星和美光的HBM产能早已售罄,SK海力士凭借约62%的市场份额保持领先。然而,16层堆叠技术面临热压键合等工艺挑战,量产难度极大,这直接限制了高端GPU的产能释放。

产能扩张与贸易变局

面对旺盛需求,台积电正加速CoWoS先进封装产能扩张,预计月产能将从2025年底的7-7.5万片增至2026年底的12.5-13万片,其中英伟达独占约60%。与此同时,美台达成的半导体贸易协议为台积电等厂商在美新增产能提供了1.5-2.5倍的进口配额优惠,意图重塑全球供应链格局。美国对部分半导体产品征收25%关税,但豁免了支持国内基建的进口,显示其在保护与开放间寻求平衡。

综上,半导体产业链正经历一场以AI为核心的结构性重塑。短期内,存储价格的上涨和供应的紧张将成为常态。未来,HBM技术的迭代速度、产能扩张的实际落地以及贸易政策的持续演变,将是决定产业走向的关键变量,值得市场持续关注。

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