硬核桌面物志 篇三十四：雕牌信仰，技嘉AORUS NVMe Gen4 M.2固态硬盘上手测评

在去年，技嘉对AORUS X570平台玩家推出过一款最高5GB/s的固态硬盘，它就是AORUS NVMe Gen4固态硬盘。其采用群联PS5016-E16主控制器，搭配东芝19nm TLC BiCS4 3D NAND颗粒，提供最高5000MB/s读取速度、4400MB/s写入速度性能，4K随机读写更高达750000 IOPS读取、700000 IOPS写入，还加入了双面铜散热器，确保固态硬盘可以长时间高性能运行，避免过热而降速的情况。对于这款去年发布的产品，在如今会有怎样的表现呢？请看以下上手测评。

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今天上手测试的版本为1TB容量的版本，采用M.2 2280 Form Factor、PCIe Gen4 x4，支持NVMe 1.3传输规格，总写入量高达3600TBW、177万小时的平均故障间隔，闲置功率为21.1mW、最高功耗为6.6W。

相较于一般小型M.2散热片，AORUS NVMe Gen4固态硬盘则采取了双面全纯铜散热片，正面的27道剖沟大幅增加了散热表面，让散热片可以与不同方向的风流进行大量且快速的热交换，相较同级产品温度降低16%。

AORUS NVMe Gen4固态硬盘采用群联PS5016-E16主控制器， 28nm制程、TSMC代工，采用8 Channel设计、最高32CEs、96层堆叠并可支持最高8TB容量，支持PCIe Gen4 x4、第4代RAID ECC和LDPC纠错、AES-256/TCG Opal 2.0/TCG Pyrite安全加密。

在NAND Flash方面，AORUS NVMe Gen4固态硬盘在PCB正背两面，合计提供了4颗东芝19nm TLC BiCS4 3D NAND颗粒，相较旧有BiCS3颗粒性能提升10%，拥有96 Layers、单颗512GB容量，采用BGA无铅素、无卤素封装，支持3.3V Toogle 3.0模式。

板载2颗海力士H5AN4G8NBJR-UHC DDR4-2400 512MB、合计1GB缓存容量，作为储存FTL资料及缓存用途，能有效提升读写速度，加上随机写入数据由SLC区块处理，就能提供类似SLC固态硬盘的快速反应时间、连续写入则直接传递给TLC区块。

测试平台：

• CPU︰AMD Ryzen 9 3900X

• 主板︰X570 AORUS XTREME

• 内存︰芝奇DDR4-3200 8G X4

• 固态硬盘：AORUS NVMe Gen4 SSD

在ATTO Disk测试软件中，AORUS NVMe Gen4固态硬盘的最高写入速度约为4.23GB/s，读取速度则为 4.69GB/s。

另外在CrystalDiskMark测试中，AORUS NVMe Gen4固态硬盘的连续读写速度分别为5009.4 MB/s读、4274 MB/s写。4K随机读写速度为944.4 MB/s读、 922.3 MB/s写。单线程数值为32，4K随机读写速度为352.1 MB/s 读、335.3 MB/s写。

小结：

技嘉AORUS NVMe Gen4固态硬盘具备极速5GB/s、750K IOPS的性能，配合AORUS X570主板打造极速AMD Ryzen平台，对于DIY玩家确实是件幸事。