还在盯着内存条价格一天一看?最近几天,美光交出了一份覆盖未来几年的 DRAM/NAND 存储路线图,几乎同时,台积电又被曝不愿接盘其中最关键的 3D DRAM。把这两件事拼起来看,大家追问最多的那个问题——内存和 SSD 到底什么时候降价——其实已经被写进了一张时间表。
美光的底牌:400 层 SSD,2027 下半年量产
路线图里最实惠的部分在 NAND:第 11 代 G11 3D NAND 计划把有源层数从 276 层直接拉到 400 层以上,引入晶圆级键合,位密度有望翻倍(21Gb/mm² 提到 42Gb/mm²),接口速度再提 50%,2027 年下半年量产。层数翻倍意味着同样一片晶圆能装下多得多的容量,每 bit 成本往下走——大容量 SSD 想真正便宜,靠的就是这类节点放量。36氪知乎
但要注意节奏:现在市面上主力还是 G9,新闪存从量产到颗粒爬坡、主控和板卡适配,消费端能感知到降价,大概率要到 2028 年。
DRAM 这边:三条路线打架,终点谁都没到
美光这次干脆放弃了 4F² 架构——这正是长鑫、三星、海力士押注的方向——理由是研究了二十年仍"没有可行微缩路径",转而去押注把存储单元一层层竖着堆的 3D DRAM。但美光没给 3D DRAM 的量产时间,只说等成本和性能追平平面 DRAM 再推出。小红书36氪
对手们也没闲着:长鑫 10 月 10 日官宣 4F² 研发取得关键进展,预计年底就推出融合 4F² 与混合键合的新一代 DDR5 RDIMM 产品。三星在 VLSI 2026 上已展示 16 层完整 3D DRAM 器件。有意思的是,圈内分析认为大家吵的只是过渡期走法,终点其实是同一个:单片多层 3D DRAM——只是谁也还没到。知乎
而原本被英伟达拉来"救场"的台积电,11 月 8 日刚刚表态始终专注于核心(逻辑代工)业务;相关报道写得更直白:这类产品按当前进度至少还需要五年,短期内无法缓解供应紧张。知乎
落到钱包上,就两句话
短期,别等。SK 海力士已经把话挑明:直至 2029 年,其 DRAM 与 HBM 产能"实际上已经近乎售罄";三星也已确认 2028 年整体 DRAM 供应将维持紧张。病根是 AI 在吃产能——美光自己晒出的图:从训练、推理到 Agentic、Physical AI,每一波浪潮都把存储需求往上顶一个量级。36氪
终端已经开始承压:IDC 数据显示,2026 年三季度国内智能手机出货量同比大跌 15.2%。TrendForce 跟踪显示,内存占 PC/服务器物料成本的比重,已从约 15% 抬到三成上下。这些压力,最终都会写进你下一份装机报价单。36氪36氪
长期,有窗口。2027 下半年是新技术第一次真正落地放量:400 层 NAND 与 1δ DRAM 一起进入量产爬坡。按业内测算,三星、海力士也要顶到 2030 年前后才进 3D,3D DRAM 的普及更晚。而 DDR6 给消费端的时间同样是 2028 年之后。也就是说,这轮高价大概率要扛过整个 2027,真正的降价窗口要看 2028——容量党可以盼一盼那时的 400 层大硬盘。36氪知乎知乎
一句话总结:急用的该买就买,别赌短期回调;能等的,记住 2027 下半年这三个字——那是这轮存储周期里,涨价逻辑第一次出现实质性松动的地方。
