11月5日至10日，第九届中国国际进口博览会上，上海微电子（SMEE）携自主研发的新一代前道干式扫描投影光刻机SSC800、SSB800的模型亮相中国馆。 先说结论：亮相的是干式平台的技术模型，适配I-line和KrF两条成熟制程路线，不是浸没式DUV，更不是EUV；它能造的是功率器件、MCU、显示驱动这类“不先进但缺一不可”的芯片；而从这套平台走到EUV，中间还隔着浸没式和整套极紫外供应链两级台阶。微博
进博会现场流出的官方口径信息量很密：平台关键零部件国产化率突破90%，已实现定型与规模化量产，填补国内空白。 公司披露，多台设备已在国内头部逻辑、存储量产线长期稳定运行，累计支持流片超过千万片，设备有效运行率超过92%。 这次展品的真正分量，不在“模型”两个字，而在模型背后的产线实绩。微博知乎
亮相的是“平台”，比一台新机型更重要的是可复制
先把模型和整机分开。这次上海微电子展出的并非量产设备，也不是新机型发布，而是国产前道光刻装备在平台化、标准化方向上的阶段性展示。 展品采用透明剖视设计，把整机光学光路与内部机电系统直接摊开给人看，观众看到的是架构。真正值得注意的是“标准化架构”带来的商业含义：一套底盘、换光源派生两条线、供应链复用、可批量复制。 对装备制造业来说，这是从“单机定制”走向“产品线”的转身，直接影响后续机型的研发效率和交付节奏。知乎知乎
官方表述里“成像性能已与国际同类领先产品水平相当”一句话值得细读，它锚定的是同一档干式设备的国际竞品，不是EUV，也不是浸没，套刻精度和生产效率仍处于追赶状态。 判断设备进步，要看进没进产线、跑了多少片、停不停机——千万片流片和92%的可用率，说明国产成熟制程光刻设备已经从“能造”走到了“能用、能扛、能复制”。知乎
能造哪些芯片：不追先进线，但撑起芯片需求的另一半
I-line和KrF是光刻机的两个“基础档位”。I-line对应约0.35微米及以上工艺，主要做功率器件、电源管理芯片、模拟芯片、MEMS传感器和驱动IC；KrF波长248纳米、分辨率在百纳米级，对应MCU微控制器、NOR和嵌入式存储、CIS图像传感器、显示驱动芯片，以及汽车、工控类芯片和存储产线的非关键层。知乎
这批芯片的共同点是不追线宽极限、但用量巨大，缺货就整机停产——手机的电源管理、汽车的MCU、屏幕的驱动IC都靠它们。理论上用多重曝光可以把干式设备压向二十几纳米，但成本要涨2至5倍、良率下降，28nm节点没有fab真会这么干。 至于7nm、5nm的先进芯片，必须使用浸没式ArFi乃至EUV，不在展出平台的适用范围里。知乎知乎
离EUV还有多远：两级台阶，一段被各方拉得很开的时间区间
第一级是浸没式。从干式到浸没ArFi（193纳米波长、高NA物镜加浸没液体），是28nm以下先进制程的入场券，而干式平台的自主可控，并不能代表浸没平台上所有的子系统都已达到同样的水平，NA1.35物镜、流场控制和更高档位的套刻计量都要逐项过关。知乎
第二级是EUV本身，那是一条几乎全新的物理链：13.5纳米极紫外光会被空气吸收、被玻璃吞掉，整条光路要在超高真空里靠几十层纳米级钼硅镀膜反射镜来导光，光源则要用激光每秒五万次轰击下落的锡滴，把它汽化成几十万度的等离子体来发光。今年10月的上海工博会上，民企朗道燧岩展出了一台EUV光源系统样机，该公司称核心部件大部分为自主研发，国产化率约达90%。 样机目前的功率还在十瓦量级，距量产机型数百瓦级的稳定输出仍差一个数量级以上——能点亮、能出13.5纳米的光是突破，但只是链条上第一环的突破。知乎
时间上各方的判断相差很大。英伟达CEO黄仁勋在2026年9月称中国到2030年能造出自己的先进光刻机，这是目前最乐观的一档。 瑞银9月2日的报告则展望，中国自产光刻机目前大约相当于ASML 2004年的水平。 在EUV上该机构更保守，认为未来10年内仍难以研发出可替代ASML的设备。哔哩哔哩知乎微博
落到光源本身的商业化节奏，朗道燧岩预计距离大规模量产还需要3至5年，但外媒分析认为这一预期偏于乐观，即便一切顺利，可能也需要8至10年。 把这些估计摆在一起，比较稳妥的读法是：离EUV的距离，不是一台整机追不追得上的问题，而是一条供应链攒不攒得齐的问题——光源、物镜、双工件台、量检测、光刻胶、掩模与计算光刻，每个环节都要按验证节点逐一过关。15瓦的光源样机和千万片在产上跑的干式平台说明攒链子的进度比外界想象得快，但从“亮灯”到在先进制程产线上稳定跑片，仍是以5到10年为量级的事。知乎
接下来值得盯的信号很具体：浸没式机型是否会公布量产交付与验收、光源功率能否爬坡到百瓦级、国产设备商能否拿到连续订单而非单台采购。光刻机的突破从来不是一台机器突然横空出世，而是把一项项关键技术慢慢拼起来——这次进博会摆出来的，是拼图中扎实的一块，但离整幅画完成还差不少块。
