更低延迟、高效节能：SAMSUNG 三星 宣布 量产 eMRAM 颗粒

由于eFlash所面临的可扩展性挑战，新一代eMRAM (嵌入式磁性随机存取存储器)应运而生，依靠非易失性、更强的随机性能和耐久性，因此被业内各家巨头纷纷看好。作为储存技术佼佼者，SAMSUNG（三星）总是走在最前面，今天官方宣布开始量产eMRAM，首批eMRAM已在三星京畿道Giheung电子半导体工厂下线。

据了解，三星eMRAM采用28nm工艺、FD-SOI技术打造，也叫28FDS eMRAM，首批下线颗粒容量为1GB。通过创新28FD-SOI技术可有效减少漏电发生，具有更好的稳定性，而且可提供差异化定制方案，适用于包括微控制器单元（MCU），物联网（IoT）和人工智能（AI）等设备中。

性能方面，官方表示写入延迟比eFlash爆降大约一千倍，而且eMRAM比eFlash具有更好的功耗表现，在断电模式下几乎可以做到不消耗电力，从而为设备高效节能。