网传丨三星将发布第九代 V-NAND 储存技术,290层堆叠、3.2Gbps 速率
据业内消息,三星将在下月发布全新第九代 V-NAND 技术,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数,小超美光和海力士等竞争对手。
据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。
具体来说,三星将发布 1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度28.5Gb平方毫米,国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上,I/O速率达到了3.2 Gbps,现有第8代是2.4 Gbps。
粗略计算,三星可能会推出8TB 或16TB 容量的 M.2 SSD,可能由 990 Pro 的继任者首发,支持采用PCIe 5.0。
此外,三星还公布了第10代技术,层数将达到430层,定于明年发布,或许会引入三堆栈架构。
值得一提的是,此前三星公布了到2030年的产品路线图,最后会将层数提升至1000层+;铠侠CTO 最近也表示,到了2031年开始量产1000层的颗粒。所以,SSD 的容量未来6-7年还会有3-4倍的增长,总之 SSD 技术寿命还很长。
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