国产芯片从无到有重大突

中国科学院上海微系统所团队近期在300mm SOI晶圆制造技术方面取得了突破性进展。他们成功制备出国内首片300mm射频（RF）SOI晶圆，实现了从无到有的重大突破。

该团队利用集成电路材料全国重点实验室的300mm SOI研发平台，解决了300mm RF-SOI晶圆制备过程中的多个核心技术难题，例如低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等。这一突破为国内300mm SOI制造技术提供了坚实的基础。

（a）展示了沉积的多晶硅薄膜表面 SEM 图像；（b）展示了多晶硅剖面 TEM 结构；（c）为多晶硅薄膜及衬底纵向电阻率分布

晶圆是制作硅半导体集成电路时所使用的硅晶片。它是通过将高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，并慢慢拉出形成圆柱形的单晶硅；随后经过研磨、抛光和切片等工序，形成硅晶圆片。晶圆作为半导体材料，在微电子技术领域具有广泛的应用，是芯片、太阳能电池板、LED光源等重要元器件的基础。

在芯片制造过程中，晶圆首先需要被切割成一定大小的小块，然后在上面进行电路设计、光刻等工艺步骤，最终形成一个完整的芯片。可以将晶圆和芯片的关系类比为"大理石"和"雕塑"，晶圆就像是未被雕刻的大理石，而芯片则是在晶圆上按照设计图案雕刻出来的具有特定功能的结构。

（a）国内第一片 300 mm RF-SOI 晶圆；（b）RF-SOI 晶圆剖面 TEM 照片；（c）RF-SOI 晶圆顶层硅厚度分布；（d）RF-SOI 晶圆表面 AFM 图，

此次实现的300mm射频SOI晶圆的自主制备将极大推动国内RF-SOI芯片设计、代工和封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实保障。这一突破对中国半导体行业的发展具有重要意义。